[發(fā)明專利]使用大規(guī)模集成高壓振蕩電路引發(fā)核聚變反應(yīng)的方法

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• 申請(qǐng)日: 2022-11-22
• 公開（公告）號(hào): CN115732103A
• 公開（公告）日: 2023-03-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 何世鴻
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 何世鴻
• 主分類號(hào): G21B1/05
• 分類號(hào): G21B1/05;G21B1/21
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

1.大規(guī)模集成“高壓振蕩電路”，集成的“高壓振蕩電路”發(fā)出的射線，使其匯集到面積上盡可能小的一個(gè)點(diǎn)，把這個(gè)點(diǎn)對(duì)準(zhǔn)物質(zhì)，引發(fā)被對(duì)準(zhǔn)物質(zhì)產(chǎn)生核聚變反應(yīng)的方法。

2.大規(guī)模集成“能產(chǎn)生射線的電路”，集成的“能產(chǎn)生射線的電路”發(fā)出的射線，使其匯集到面積上盡可能小的一個(gè)點(diǎn)，把這個(gè)點(diǎn)對(duì)準(zhǔn)物質(zhì)，引發(fā)被對(duì)準(zhǔn)物質(zhì)產(chǎn)生核聚變反應(yīng)的方法。

3.大規(guī)模集成“能產(chǎn)生射線的裝置”，集成的“能產(chǎn)生射線的裝置”發(fā)出的射線，使其匯集到面積上盡可能小的一個(gè)點(diǎn)，把這個(gè)點(diǎn)對(duì)準(zhǔn)物質(zhì)，引發(fā)被對(duì)準(zhǔn)物質(zhì)產(chǎn)生核聚變反應(yīng)的方法。

4.制造大規(guī)模集成“高壓振蕩電路”芯片，芯片內(nèi)的“高壓振蕩電路”發(fā)出的射線匯集到面積上盡可能小的一個(gè)點(diǎn)的方法。

5.制造大規(guī)模集成“能產(chǎn)生射線的電路”芯片，芯片內(nèi)的“能產(chǎn)生射線的電路”發(fā)出的射線匯集到面積上盡可能小的一個(gè)點(diǎn)的方法。

6.制造大規(guī)模集成“能產(chǎn)生射線的裝置”芯片，芯片內(nèi)的“能產(chǎn)生射線的裝置”發(fā)出的射線匯集到面積上盡可能小的一個(gè)點(diǎn)的方法。

7.使用一個(gè)或多個(gè)大規(guī)模集成“高壓振蕩電路”芯片，這些一個(gè)或多個(gè)大規(guī)模集成“高壓振蕩電路”芯片發(fā)出的射線使其匯集到面積上盡可能小的一個(gè)點(diǎn)，把這個(gè)點(diǎn)對(duì)準(zhǔn)物質(zhì)，引發(fā)被對(duì)準(zhǔn)物質(zhì)產(chǎn)生核聚變反應(yīng)的方法。

8.使用一個(gè)或多個(gè)大規(guī)模集成“能產(chǎn)生射線的電路”芯片，這些一個(gè)或多個(gè)大規(guī)模集成“能產(chǎn)生射線的電路”芯片發(fā)出的射線使其匯集到面積上盡可能小的一個(gè)點(diǎn)，把這個(gè)點(diǎn)對(duì)準(zhǔn)物質(zhì)，引發(fā)被對(duì)準(zhǔn)物質(zhì)產(chǎn)生核聚變反應(yīng)的方法。

9.使用一個(gè)或多個(gè)大規(guī)模集成“能產(chǎn)生射線的裝置”芯片，這些一個(gè)或多個(gè)大規(guī)模集成“能產(chǎn)生射線的裝置”芯片發(fā)出的射線使其匯集到面積上盡可能小的一個(gè)點(diǎn)，把這個(gè)點(diǎn)對(duì)準(zhǔn)物質(zhì)，引發(fā)被對(duì)準(zhǔn)物質(zhì)產(chǎn)生核聚變反應(yīng)的方法。