[發(fā)明專利]一種低功耗、結(jié)構(gòu)簡易的電壓檢測電路在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202211462911.7 | 申請日： | 2022-11-22 |
| 公開（公告）號： | CN115754440A | 公開（公告）日： | 2023-03-07 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 李文嘉;權(quán)磊;劉浩;楊悅;王峰 | 申請（專利權(quán)）人： | 無錫中微愛芯電子有限公司 |
| 主分類號： | G01R19/165 | 分類號： | G01R19/165;H03K5/24 |
| 代理公司： | 無錫科嘉知信專利代理事務(wù)所(普通合伙) 32515 | 代理人： | 顧翰林 |
| 地址： | 214000 江蘇省無錫市*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 功耗 結(jié)構(gòu) 簡易 電壓 檢測 電路 | ||
1.一種低功耗、結(jié)構(gòu)簡易的電壓檢測電路，其特征在于：包括有MOS管NM1、MOS管NM2、MOS管NM3，電阻R1、電阻R2，反相器INV1、反相器INV2，偏置電流I1、偏置電流I2、偏置電流I3以及穩(wěn)壓二極管Z1；
所述反相器INV1的輸出端電性連接有所述MOS管NM1的一端，所述穩(wěn)壓二極管Z1的正極也與所述MOS管NM1的另一端電性連接；
所述MOS管NM2和所述MOS管NM3之間通過一端引腳電性連接，所述MOS管NM2的另一端引腳上電性連接有所述電阻R1，所述MOS管NM3的另一端引腳上電性連接有所述電阻R2，所述電阻R2和所述MOS管NM3的之間設(shè)有連接點B，所述連接點B與所述MOS管NM1的一端引腳電性連接；
所述MOS管NM3的另一端設(shè)有連接點C，所述連接點C與所述反相器INV2的輸入端電性連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低功耗、結(jié)構(gòu)簡易的電壓檢測電路，其特征在于：所述反相器INV1的輸入端和所述穩(wěn)壓二極管Z1的負極共同電性連接有待檢測的信號輸入端VIN，所述反相器INV2的輸出端電性連接有檢測結(jié)果的輸出端VOUT。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低功耗、結(jié)構(gòu)簡易的電壓檢測電路，其特征在于：所述MOS管NM2和所述MOS管NM3的尺寸相同，所述MOS管NM2的柵極和漏極之間電性連接，并與所述MOS管NM3的柵極電性連接，為電流鏡的連接方式，所述MOS管NM2和所述MOS管NM3的柵極端電壓相等。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低功耗、結(jié)構(gòu)簡易的電壓檢測電路，其特征在于：所述MOS管NM2和所述MOS管NM3的漏極分別與偏置電流I1和偏置電流I2的一端電性連接，所述MOS管NM2和所述MOS管NM3的源極分別與所述電阻R1和所述電阻R2的一端電性連接，所述電阻R1和所述電阻R2的另一端與接地端GND電性連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低功耗、結(jié)構(gòu)簡易的電壓檢測電路，其特征在于：所述反相器INV1的輸入端連接待檢測的信號輸入端VIN，所述反相器INV1的輸出端與所述MOS管NM1的柵極電性連接，所述MOS管NM1的漏極與所述穩(wěn)壓二極管Z1的正極電性連接，所述MOS管NM1的漏極與所述電阻R2的一端電性連接，所述反相器INV1的電源端與電源電壓輸入端VDD電性連接，所述反相器INV1的接地端和所述MOS管NM1的源極與接地端GND電性連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低功耗、結(jié)構(gòu)簡易的電壓檢測電路，其特征在于：所述偏置電流I1、所述偏置電流I2和所述偏置電流I3分別從電源電壓輸入端VDD流入所述MOS管NM2、所述MOS管NM3和所述反相器INV2，所述偏置電流I1、所述偏置電流I2和所述偏置電流I3均采用的是nA級別電流。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低功耗、結(jié)構(gòu)簡易的電壓檢測電路，其特征在于：所述偏置電流I1和所述偏置電流I2的大小相同，所述電阻R1的阻值大于所述電阻R2的阻值，所述電阻R1和所述電阻R2的阻值接近，相差不大。
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