[發(fā)明專利]量子比特處理方法、量子電路及量子計(jì)算機(jī)

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202211460047.7
• 申請日: 2022-11-16
• 公開（公告）號: CN115860129A
• 公開（公告）日: 2023-03-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王騰輝;鄧純青
• 申請（專利權(quán)）人: 阿里巴巴達(dá)摩院（杭州）科技有限公司
• 主分類號: G06N10/40
• 分類號: G06N10/40;G06N10/20
• 代理公司: 北京博浩百睿知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11134
• 代理人: 曾紅芳

1.一種量子比特處理方法，其特征在于，包括：

控制量子比特的高激發(fā)能級與目標(biāo)諧振腔產(chǎn)生共振，其中，所述高激發(fā)能級為大于或等于第二激發(fā)能級的能級；

在所述量子比特的所述高激發(fā)能級與所述目標(biāo)諧振腔處于持續(xù)共振的過程中，向所述量子比特施加微波，控制所述量子比特的第一激發(fā)能級向所述目標(biāo)諧振腔的耗散能級進(jìn)行絕熱演化，對所述量子比特進(jìn)行進(jìn)行初始化。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述控制所述量子比特的高激發(fā)能級與目標(biāo)諧振腔產(chǎn)生共振，包括：

獲取所述量子比特的高激發(fā)能級的頻率與施加在所述量子比特上的磁通之間的第一關(guān)系；

獲取所述目標(biāo)諧振腔的第一目標(biāo)頻率；

基于所述第一關(guān)系，以及所述第一目標(biāo)頻率，通過調(diào)節(jié)施加在所述量子比特上的磁通，控制所述量子比特的高激發(fā)能級與所述目標(biāo)諧振腔產(chǎn)生共振。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述控制量子比特的高激發(fā)能級與目標(biāo)諧振腔產(chǎn)生共振，包括：

獲取所述目標(biāo)諧振腔的頻率與施加在所述目標(biāo)諧振腔上的磁通之間的第二關(guān)系；

獲取所述量子比特的高激發(fā)能級的第二目標(biāo)頻率；

基于所述第二關(guān)系，以及所述第二目標(biāo)頻率，通過調(diào)節(jié)施加在所述目標(biāo)諧振腔上的磁通，控制所述量子比特的高激發(fā)能級與所述目標(biāo)諧振腔產(chǎn)生共振。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述控制量子比特的高激發(fā)能級與目標(biāo)諧振腔產(chǎn)生共振，包括：

通過調(diào)節(jié)施加在所述量子比特上的磁通或者施加在所述目標(biāo)諧振腔上的磁通，控制所述量子比特的高激發(fā)能級與所述目標(biāo)諧振腔絕熱地到達(dá)共振點(diǎn)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述量子比特的所述高激發(fā)能級與所述目標(biāo)諧振腔處于持續(xù)共振的過程中，向所述量子比特施加微波，控制所述量子比特的第一激發(fā)能級向所述目標(biāo)諧振腔的耗散能級進(jìn)行絕熱演化，包括：

確定目標(biāo)微波，其中，所述目標(biāo)微波的微波強(qiáng)度在預(yù)定時間段內(nèi)隨時間增加；

在所述量子比特的所述高激發(fā)能級與所述目標(biāo)諧振腔處于持續(xù)共振的過程中，向所述量子比特施加所述目標(biāo)微波，控制所述量子比特的第一激發(fā)能級向所述目標(biāo)諧振腔的耗散能級進(jìn)行絕熱演化。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述確定目標(biāo)微波，包括：

確定連續(xù)包括第一微波段，第二微波段，第三微波段以及第四微波段的微波組合為所述目標(biāo)微波，其中，所述第一微波段的微波強(qiáng)度隨時間增加的增加率為第一增加率，所述第二微波段的微波強(qiáng)度隨時間增加的增加率為第二增加率，所述第一增加率大于所述第二增加率。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述第二增加率趨近于零，所述第三微波段的微波強(qiáng)度隨時間減小，所述第四微波段為無微波階段。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述目標(biāo)諧振腔為與所述量子比特耦合的讀取諧振腔，所述讀取諧振腔用于讀取所述量子比特的量子態(tài)。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述量子比特為Fluxonium量子比特。

10.一種量子電路，其特征在于，包括：目標(biāo)諧振腔和量子比特，其中，所述量子比特通過所述目標(biāo)諧振腔與讀取線路耦合，所述目標(biāo)諧振腔與所述量子比特耦合，其中，所述量子比特為初始化后的量子比特，所述量子比特的初始化通過以下方式得到：控制量子比特的高激發(fā)能級與目標(biāo)諧振腔產(chǎn)生共振，其中，所述高激發(fā)能級為大于或等于第二激發(fā)能級的能級,以及在所述量子比特的所述高激發(fā)能級與所述目標(biāo)諧振腔處于持續(xù)共振的過程中，向所述量子比特施加微波，控制所述量子比特的第一激發(fā)能級向所述目標(biāo)諧振腔的耗散能級進(jìn)行絕熱演化，對所述量子比特進(jìn)行初始化。

11.一種量子芯片，其特征在于，包括：權(quán)利要求10所述的量子電路。