[發(fā)明專利]一種由單極子陣列天線構(gòu)成的混響室射頻測試系統(tǒng)

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202211457020.2
• 申請日: 2022-11-21
• 公開（公告）號(hào): CN115799847A
• 公開（公告）日: 2023-03-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周福蘭;聶晶;周萬文;李虎權(quán);伍連保
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市佳晨科技有限公司
• 主分類號(hào): H01Q21/00
• 分類號(hào): H01Q21/00;H01Q3/26;H04B17/00
• 代理公司: 深圳市中科創(chuàng)為專利代理有限公司 44384
• 代理人: 楊春;徐方星

1.一種由單極子陣列天線構(gòu)成的混響室射頻測試系統(tǒng)，其特征在于，包括：箱體、設(shè)置在所述箱體內(nèi)的單極子陣列單元、與所述單極子陣列單元電連接的射頻開關(guān)；所述單極子陣列單元包括：若干垂直極化單極子天線、若干水平極化單極子天線，所述的若干個(gè)垂直極化單極子天線與所述的若干個(gè)水平極化單極子天線交替設(shè)置于所述箱體的內(nèi)壁上；所述射頻開關(guān)上設(shè)置有若干第一輸入輸出通道和若干第二輸入輸出通道，所述單極子陣列單元通過所述第一輸入輸出通道與所述射頻開關(guān)連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種由單極子陣列天線構(gòu)成的混響室射頻測試系統(tǒng)，其特征在于，所述垂直極化單極子天線包括：與所述箱體內(nèi)壁連接的絕緣支架、安裝在所述絕緣支架上的金屬輻射片、與所述金屬輻射片連接的射頻連接器。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種由單極子陣列天線構(gòu)成的混響室射頻測試系統(tǒng)，其特征在于，所述射頻連接器貫穿所述箱體的內(nèi)壁，且與所述第一輸入輸出通道連接；所述水平極化單極子天線的結(jié)構(gòu)與所述垂直極化單極子天線的結(jié)構(gòu)相同。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種由單極子陣列天線構(gòu)成的混響室射頻測試系統(tǒng)，其特征在于，所述垂直極化單極子天線、水平極化單極子天線的工作頻率為0.6GHz～8GHz。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種由單極子陣列天線構(gòu)成的混響室射頻測試系統(tǒng)，其特征在于，所述金屬輻射片為圓盤狀，且所述金屬輻射片的直徑大于垂直極化單極子天線的最低工作頻率對應(yīng)的波長的四分之一。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種由單極子陣列天線構(gòu)成的混響室射頻測試系統(tǒng)，其特征在于，所述垂直極化單極子天線的金屬輻射片與其相鄰的水平極化單極子天線的金屬輻射片的中心間距為垂直極化單極子天線的最低工作頻率對應(yīng)的波長的四分之一。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種由單極子陣列天線構(gòu)成的混響室射頻測試系統(tǒng)，其特征在于，所述第一輸入輸出通道設(shè)置有16個(gè)，所述第二輸入輸出通道設(shè)置有4個(gè)，且所述第一輸入輸出通道設(shè)置在所述射頻開關(guān)的反面上，所述第二輸入輸出通道設(shè)置在所述射頻開關(guān)的正面上。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種由單極子陣列天線構(gòu)成的混響室射頻測試系統(tǒng)，其特征在于，所述垂直極化單極子天線設(shè)置有7個(gè)，所述水平極化單極子天線設(shè)置有8個(gè)。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種由單極子陣列天線構(gòu)成的混響室射頻測試系統(tǒng)，其特征在于，所述的7個(gè)垂直極化單極子天線中的5個(gè)垂直極化單極子天線設(shè)置在所述箱體靠近所述射頻開關(guān)這一側(cè)的內(nèi)壁上，2個(gè)垂直極化單極子天線分別設(shè)置在所述箱體左右兩側(cè)的內(nèi)壁上；所述的8個(gè)水平極化單極子天線中的4個(gè)水平極化單極子天線設(shè)置在箱體靠近所述射頻開關(guān)這一側(cè)的內(nèi)壁上，2個(gè)水平極化單極子天線設(shè)置在所述箱體左側(cè)的內(nèi)壁上，2個(gè)水平極化單極子天線設(shè)置在所述箱體右側(cè)的內(nèi)壁上。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種由單極子陣列天線構(gòu)成的混響室射頻測試系統(tǒng)，其特征在于，還包括設(shè)置在所述箱體內(nèi)的待測產(chǎn)品放置位，所述待測產(chǎn)品放置位設(shè)置在所述箱體內(nèi)遠(yuǎn)離所述單極子陣列單元的這一側(cè)上。