[發(fā)明專利]晶圓鍵合方法及晶圓鍵合結(jié)構(gòu)

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202211447734.5
• 申請日: 2022-11-18
• 公開（公告）號: CN115831779A
• 公開（公告）日: 2023-03-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王鑫琴
• 申請（專利權(quán)）人: 蘇州晶方半導(dǎo)體科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60
• 代理公司: 南京利豐知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 32256
• 代理人: 王鋒

1.一種晶圓鍵合方法，其特征在于，包括：

提供第一晶圓，所述第一晶圓包括若干第一芯片單元，每個所述第一芯片單元包含若干第一焊墊；

于所述第一焊墊上形成焊接凸起；

提供第二晶圓，所述第二晶圓包括若干第二芯片單元，每個所述第二芯片單元包含若干第二焊墊；

采用熱壓焊或超聲焊技術(shù)將所述第一晶圓壓合于所述第二晶圓上，所述焊接凸起與所述第二焊墊之間電性連接。

2.如權(quán)利要求1所述的晶圓鍵合方法，其特征在于，所述的將所述第一晶圓壓合于所述第二晶圓上的步驟之前，還包括：

在所述第二晶圓設(shè)有第二焊墊的表面上形成支撐層的步驟。

3.如權(quán)利要求2所述的晶圓鍵合方法，其特征在于，所述支撐層完全覆蓋所述第二焊墊。

4.如權(quán)利要求2所述的晶圓鍵合方法，其特征在于，所述支撐層上形成有若干空腔，每個所述空腔對應(yīng)一個所述第二焊墊，所述空腔暴露出所述第二焊墊。

5.如權(quán)利要求1所述的晶圓鍵合方法，其特征在于，所述的將所述第一晶圓壓合于所述第二晶圓上的步驟之前，還包括：

在所述第一晶圓設(shè)有第一焊墊的表面上形成支撐層的步驟。

6.如權(quán)利要求5所述的晶圓鍵合方法，其特征在于，所述支撐層完全覆蓋所述第一焊墊以及所述焊接凸起。

7.如權(quán)利要求5所述的晶圓鍵合方法，其特征在于，所述支撐層上形成有若干空腔，每個所述空腔對應(yīng)一個所述第一焊墊，所述空腔暴露出所述第一焊墊和所述焊接凸起。

8.如權(quán)利要求2或5所述的晶圓鍵合方法，其特征在于，所述第一晶圓壓合于所述第二晶圓后，所述支撐層填充于所述第一晶圓和所述第二晶圓之間。

9.如權(quán)利要求1所述的晶圓鍵合方法，其特征在于，所述支撐層的材質(zhì)為絕緣材質(zhì)，包括：環(huán)氧樹脂。

10.如權(quán)利要求1所述的晶圓鍵合方法，其特征在于，所述焊接凸起為金屬凸塊，所述金屬凸塊的材質(zhì)包括Au、Ag、In。

11.一種晶圓鍵合結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

第一晶圓，包括若干第一芯片單元，每個所述第一芯片單元包含若干第一焊墊；

第二晶圓，包括若干第二芯片單元，每個所述第二芯片單元包含若干第二焊墊，所述第二焊墊與所述第一焊墊之間通過焊接凸起電性連接。

12.如權(quán)利要求11所述的晶圓鍵合結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述晶圓鍵合結(jié)構(gòu)還包括支撐層，所述支撐層形成于所述第一晶圓和所述第二晶圓之間以密封所述第一晶圓和所述第二晶圓之間的區(qū)域。

13.如權(quán)利要求12所述的晶圓鍵合結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述支撐層上形成有空腔，所述第一焊墊、第二焊墊以及焊接凸起位于所述空腔內(nèi)。

14.如權(quán)利要求11所述的晶圓鍵合結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述焊接凸起為金屬凸塊，所述金屬凸塊的材質(zhì)包括Au、Ag、In。