[發(fā)明專利]鍍銅種子層對(duì)藍(lán)膜損傷以及對(duì)電性能影響的檢測(cè)方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202211445831.0 | 申請(qǐng)日: | 2022-11-18 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN115855949A | 公開(kāi)(公告)日: | 2023-03-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 韓宗諭;王金;魏科勝 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 通威太陽(yáng)能(安徽)有限公司 |
| 主分類號(hào): | G01N21/88 | 分類號(hào): | G01N21/88;G01N21/84;G01R31/385;H01L21/66;H01L31/18;H01L31/05 |
| 代理公司: | 華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224 | 代理人: | 龍永丁 |
| 地址: | 230031 安徽省合肥市*** | 國(guó)省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 鍍銅 種子 損傷 以及 性能 影響 檢測(cè) 方法 | ||
本發(fā)明提供了一種鍍銅種子層對(duì)藍(lán)膜損傷的檢測(cè)方法,包括以下步驟:提供第一藍(lán)膜片和第二藍(lán)膜片;測(cè)試所述第二藍(lán)膜片中的第一透明導(dǎo)電氧化物薄膜的灰度,得到第一灰度值;將所述第一藍(lán)膜片和所述第二藍(lán)膜片重疊放置在同一腔室內(nèi);采用物理氣相沉積工藝分別在所述第一藍(lán)膜片上制備第一銅種子層、以及在所述第二藍(lán)膜片上制備第二銅種子層;再次測(cè)試所述第二藍(lán)膜片中的第一透明導(dǎo)電氧化物薄膜的灰度,得到第二灰度值;通過(guò)比較所述第二灰度值和所述第一灰度值以判定所述第一藍(lán)膜片是否受到損傷。本發(fā)明能夠檢測(cè)銅種子層對(duì)藍(lán)膜的損傷。本發(fā)明還提供一種鍍銅種子層對(duì)電池片的電性能影響的檢測(cè)方法。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及太陽(yáng)電池技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種鍍銅種子層對(duì)藍(lán)膜損傷以及對(duì)電性能影響的檢測(cè)方法。
背景技術(shù)
隨著太陽(yáng)能電池,如銅互聯(lián)異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)電池效率的提高以及成本的降低,銅互聯(lián)異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)電池的市場(chǎng)份額也在不斷的增加。銅互聯(lián)異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)電池的制備工藝流程通常為制絨清洗、非晶硅鍍膜、PVD鍍透明導(dǎo)電氧化物膜、PVD鍍銅種子層、電鍍以及回刻等。其中,采用物理氣相沉積(PVD)工藝在藍(lán)膜中的透明導(dǎo)電氧化物薄膜(TCO)上制備銅種子層是制備銅互聯(lián)異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)電池必不缺少的一部分。然而,采用PVD工藝制備銅種子層時(shí)會(huì)對(duì)TCO產(chǎn)生轟擊,造成藍(lán)膜損傷。由于銅種子層的不透光性,當(dāng)在藍(lán)膜兩面經(jīng)PVD鍍銅種子層后,無(wú)法使用PL(光致發(fā)光)檢測(cè)藍(lán)膜的損傷情況。
發(fā)明內(nèi)容
基于此,有必要提供一種能夠檢測(cè)銅種子層對(duì)藍(lán)膜損傷的檢測(cè)方法。
本發(fā)明至少一實(shí)施提供了一種鍍銅種子層對(duì)藍(lán)膜損傷的檢測(cè)方法,包括以下步驟:
提供第一藍(lán)膜片和第二藍(lán)膜片,所述第一藍(lán)膜片和所述第二藍(lán)膜片均包括基底、依次層疊于所述基底其中一表面上的第一非晶硅層以及第一透明導(dǎo)電氧化物薄膜、以及依次層疊于所述基底另一表面上的第二非晶硅層以及第二透明導(dǎo)電氧化物薄膜;
測(cè)試所述第二藍(lán)膜片中的所述第一透明導(dǎo)電氧化物薄膜的灰度,得到第一灰度值;
將所述第一藍(lán)膜片和所述第二藍(lán)膜片重疊放置在同一腔室內(nèi),使所述第一藍(lán)膜片中的所述第二透明導(dǎo)電氧化物薄膜和所述第二藍(lán)膜片中的所述第一透明導(dǎo)電氧化物薄膜接觸;
采用物理氣相沉積工藝分別在所述第一藍(lán)膜片中的所述第一透明導(dǎo)電氧化物薄膜上制備第一銅種子層、以及在所述第二藍(lán)膜片中的所述第二透明導(dǎo)電氧化物薄膜上制備第二銅種子層;
再次測(cè)試所述第二藍(lán)膜片中的所述第一透明導(dǎo)電氧化物薄膜的灰度,得到第二灰度值;
計(jì)算所述第二灰度值和所述第一灰度值之間的差值,得到第三灰度值;以及
比較所述第三灰度值和預(yù)定灰度值的大小關(guān)系,當(dāng)所述第三灰度值小于所述預(yù)定灰度值時(shí),則判定所述第一藍(lán)膜片未受到損傷;當(dāng)所述第三灰度值大于或等于所述預(yù)定灰度值時(shí),則判定所述第一藍(lán)膜片受到損傷。
在其中一些實(shí)施例中,所述預(yù)定灰度值為8-12。
在其中一些實(shí)施例中,測(cè)試所述第二藍(lán)膜片中的所述第一透明導(dǎo)電氧化物薄膜的灰度具體包括:
使用光致發(fā)光光譜儀測(cè)試所述第二藍(lán)膜片中的所述第一透明導(dǎo)電氧化物薄膜的灰度;和/或
再次測(cè)試所述第二藍(lán)膜片中的所述第一透明導(dǎo)電氧化物薄膜的灰度具體包括:
使用光致發(fā)光光譜儀再次測(cè)試所述第二藍(lán)膜片中的所述第一透明導(dǎo)電氧化物薄膜的灰度。
本發(fā)明至少一實(shí)施提供了一種鍍銅種子層對(duì)藍(lán)膜損傷的檢測(cè)方法,包括以下步驟:
提供第一藍(lán)膜片和第二藍(lán)膜片,所述第一藍(lán)膜片和所述第二藍(lán)膜片均包括基底、依次層疊于所述基底其中一表面上的第一非晶硅層以及第一透明導(dǎo)電氧化物薄膜、以及依次層疊于所述基底另一表面上的第二非晶硅層以及第二透明導(dǎo)電氧化物薄膜;
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- 專利分類
G01N 借助于測(cè)定材料的化學(xué)或物理性質(zhì)來(lái)測(cè)試或分析材料
G01N21-00 利用光學(xué)手段,即利用紅外光、可見(jiàn)光或紫外光來(lái)測(cè)試或分析材料
G01N21-01 .便于進(jìn)行光學(xué)測(cè)試的裝置或儀器
G01N21-17 .入射光根據(jù)所測(cè)試的材料性質(zhì)而改變的系統(tǒng)
G01N21-62 .所測(cè)試的材料在其中被激發(fā),因之引起材料發(fā)光或入射光的波長(zhǎng)發(fā)生變化的系統(tǒng)
G01N21-75 .材料在其中經(jīng)受化學(xué)反應(yīng)的系統(tǒng),測(cè)試反應(yīng)的進(jìn)行或結(jié)果
G01N21-84 .專用于特殊應(yīng)用的系統(tǒng)
- 接收裝置以及接收方法、以及程序
- 凈水濾芯以及凈水裝置、以及洗漱臺(tái)
- 隱匿檢索系統(tǒng)以及公開(kāi)參數(shù)生成裝置以及加密裝置以及用戶秘密密鑰生成裝置以及查詢發(fā)布裝置以及檢索裝置以及計(jì)算機(jī)程序以及隱匿檢索方法以及公開(kāi)參數(shù)生成方法以及加密方法以及用戶秘密密鑰生成方法以及查詢發(fā)布方法以及檢索方法
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- ENB以及UEUL發(fā)送以及接收的方法
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- 圖書信息錄入方法以及系統(tǒng)以及書架
- 護(hù)耳器以及口罩以及眼鏡





