[發明專利]一種基于二硫化鉬的CMOS反相器的仿真結構及應用

在審

• 申請號: 202211442775.5
• 申請日: 2022-11-17
• 公開（公告）號: CN115935861A
• 公開（公告）日: 2023-04-07
• 發明（設計）人: 戴麗萍;王德印
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: G06F30/30
• 分類號: G06F30/30;G06F30/23
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種基于二硫化鉬的CMOS反相器的仿真結構及應用，其特征在于，包括：

步驟S1：利用SilvacoTCAD建立基于MoS2的n型和p型背柵場效應晶體管：合理劃分網格結構，并定義p型和n型MoS2材料、硅襯底、柵氧化層以及電極材料；

步驟S2：獲得p型和n型MoS2場效應晶體管的仿真結果，實現兩個晶體管的輸出特性相匹配；

步驟S3：將p型和n型MoS2晶體管定義在相同襯底上，定義MoS2反相器的結構，并將此結構導入Silvaco軟件中的MixedMode模塊進行電路仿真，驗證其基本邏輯功能和仿真特性；

步驟S4：將二硫化鉬的CMOS反相器的結構和程序導出，形成一種分析基于二硫化鉬的CMOS反相器特性參數的仿真結構。

2.如權利要求1所述的仿真結構，其特征在于，所述模型的建立和仿真是在二維坐標系下，網格劃分既保證MoS2場效應晶體管仿真結果的準確性，又保證二硫化鉬的CMOS反相器仿真結果的收斂性。

3.如權利要求1所述的仿真結構，其特征在于，所述MoS2以硅材料為基礎，模型為cvtsrh和boltzmann模型最適宜、與實際相符，并修正cvt模型參數達到與實際相符和晶體管輸出匹配的目的。

4.如權利要求3所述的仿真結構，其特征在于，所述p型和n型MoS2材料在同一襯底上相距大于1um，降低不同類型的晶體管之間的相互影響，確保仿真收斂。

5.一種采用權利要求1所述的仿真建立步驟得到背柵二硫化鉬的CMOS反相器的仿真結構，器件長度達3um左右、寬度為1um。

6.一種采用權利要求1或5所述的二硫化鉬的CMOS反相器在實際集成電路生產中的意義和作用。