[發明專利]一種用于分析LLC諧振變換器的寬頻阻抗模型及建模方法

在審

• 申請號: 202211442685.6
• 申請日: 2022-11-17
• 公開（公告）號: CN116663466A
• 公開（公告）日: 2023-08-29
• 發明（設計）人: 畢闖;羅嗣勇;唐愛歡
• 申請（專利權）人: 電子科技大學長三角研究院（湖州）
• 主分類號: G06F30/3323
• 分類號: G06F30/3323;H02M3/335;H02M1/44
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 唐莉梅

1.一種用于分析LLC諧振變換器的寬頻阻抗模型，其特征在于，所述用于分析LLC諧振變換器的寬頻阻抗模型包括：

全橋LLC諧振變換器共模高頻模型，由電路導線、焊盤、接線柱、PCB板銅走線、諧振腔、變壓器、PCB走線對地寄生電容和半導體開關管MOSFET對地寄生電容高頻模型組成；

全橋LLC諧振變換器差模高頻模型，由電路導線、焊盤、接線柱、PCB板銅走線、諧振腔、變壓器、PCB走線對地寄生電容、半導體開關管MOSFET和輸入電容高頻模型組成。

2.如權利要求1所述的用于分析LLC諧振變換器的寬頻阻抗模型，其特征在于，全橋LLC諧振變換器共模高頻模型中的共模路徑表示全橋LLC諧振變換器與大地之間的寄生回路，共模集總前置寄生模型L_wire–L_bus、L_wire-C_wirep-R_wirep分別是傳輸導線的寄生電感、寄生電容和寄生電阻并聯模型；

L_wt-C_wtp-R_wtp分別是接線柱的寄生電感、寄生電容和寄生電阻并聯模型；

L_pad-C_padp-R_padp分別是焊盤的寄生電感、寄生電容和寄生電阻并聯模型；

L_bus-C_busp-R_busp分別是PCB板銅走線的寄生電感、寄生電容和寄生電阻并聯模型，通過串聯連接。

3.如權利要求1所述的用于分析LLC諧振變換器的寬頻阻抗模型，其特征在于，諧振腔建模為L_r-C_rp-R_rp，L_r-C_rp-R_rp分別為寄生電感、寄生電容和寄生電阻并聯模型。

4.如權利要求1所述的用于分析LLC諧振變換器的寬頻阻抗模型，其特征在于，變壓器建模為上下兩端的R_pri-L_pri串聯模型，初次級側通過寄生電容C_t互相連接，次級側建模為R_rp-L_sec串聯模型。

5.如權利要求1所述的用于分析LLC諧振變換器的寬頻阻抗模型，其特征在于，全橋LLC諧振變換器對地寄生電容分為半導體開關管MOSFET通過散熱器對地集總寄生電容C_p、逆變側對地集總寄生電容C_b1和整流側對地集總寄生電容C_b2。

6.如權利要求1所述的用于分析LLC諧振變換器的寬頻阻抗模型，其特征在于，全橋LLC諧振變換器差模高頻模型中的差模路徑表示全橋LLC諧振變換器高壓端L線和低壓端N線之間的寄生回路；

半導體開關管MOSFET建模為L_m-C_mp-R_mp寄生電感、寄生電容和寄生電阻并聯高頻模型；

輸入電容C_in是差模低阻抗回路，建模為C_in-L_inp-R_inp串聯高頻模型；

諧振腔、變壓器和整流側集總高阻抗高頻簡化模型Z_DM1。