[發(fā)明專利]一種CuO/Si異質(zhì)PN結氫氣傳感器及其制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202211440511.6 | 申請日: | 2022-11-17 |
| 公開(公告)號: | CN115791903A | 公開(公告)日: | 2023-03-14 |
| 發(fā)明(設計)人: | 張成云;吳潤民;楊海林;黃思迪;楊家豪 | 申請(專利權)人: | 廣州大學 |
| 主分類號: | G01N27/22 | 分類號: | G01N27/22;C23C14/08;C23C14/35;C23C14/02 |
| 代理公司: | 北京八月瓜知識產(chǎn)權代理有限公司 11543 | 代理人: | 秦瑩 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 cuo si 異質(zhì) pn 氫氣 傳感器 及其 制備 方法 | ||
本發(fā)明涉及氫氣傳感器技術領域,尤其是涉及一種CuO/Si異質(zhì)PN結氫氣傳感器及其制備方法,首先使用飛秒脈沖激光對N型Si片進行處理,可在N型Si片表面誘導出尖錐狀納米結構,不僅提高了傳感器的比表面積,而且其周期性規(guī)律排列的納米結構進一步提高了對氣體分子的吸附性能;然后,使用磁控濺射的方法在N型Si片的表面制備連續(xù)好、結晶度高的P型CuO納米薄膜;最后,選擇適當?shù)碾姌O材料,制備CuO/Si異質(zhì)PN結氫氣傳感器。本發(fā)明的制備過程相比于現(xiàn)有技術綠色環(huán)保,易于運作和操控,并且所制備得到的PN結型(CuO/Si)氫氣傳感器可在室溫環(huán)境下工作,具有優(yōu)異的傳感性能,較高的靈敏度,具有良好的應用前景。
技術領域
本發(fā)明涉及氫氣傳感器技術領域,尤其是涉及一種CuO/Si異質(zhì)PN結氫氣傳感器及其制備方法。
背景技術
在現(xiàn)代生活中,科技的發(fā)展與進步離不開各類能源的使用,新能源氫能在如今的能源市場得到了越來越廣泛的應用。相對于傳統(tǒng)能源來說,氫能有著許多的優(yōu)勢,第一,氫能效率高,并且燃燒產(chǎn)物對環(huán)境有著較小的破壞與污染,與太陽能、核能等新型能源一起被應用在了各個領域;第二,電解水等工藝較為成熟,產(chǎn)氫簡單、可靠,可滿足大規(guī)模使用的需求。
但是,氫氣分子小,在生產(chǎn)、存儲、運送與安裝使用過程中非常容易產(chǎn)生人為或非人為的泄露,并且其顏色透明、沒有氣味,且著火點相對較低,當其空氣濃度在4%-75%之間時,遇到明火就會爆炸,因此在許多場合就需要對氫氣進行實時的檢測,以保證安全。可見,對氫氣的探測和實時報警具有非常重要的意義。
氧化銅(CuO)是一種常見的氣敏材料,在遇到還原性氣體((如氫氣)時,其表面吸附的O-會與該還原性氣體發(fā)生反應釋放出電子,CuO內(nèi)部載流子濃度發(fā)生變化,造成其電阻(電流)發(fā)生改變,若再將其置于空氣氛圍中,其電阻又會恢復。與此同時,其穩(wěn)定性良好、無毒、價格低且制備簡單,因此其被廣泛應用于氣體傳感領域。然而,單一的CuO靈敏度較低、響應和恢復時間較長、選擇性極差,遇到VOCs時也易與其反應,容易造成較大的誤差,故在氣體傳感領域常將其與其他材料組合,形成復合材料。
硅(Si)是一種被廣泛應用于半導體領域的物質(zhì),其集成性好,穩(wěn)定性強,無毒害,且制造工藝成熟,對其進行不同元素的摻雜可以得到不同類型的Si半導體,能夠其他半導體形成各式的結組合,這些結組合被廣泛應用于氣體傳感、電子線路等領域。N型Si與P型氧化銅結合形成PN結,能大大提升其對氫氣的靈敏度,縮短響應時間和恢復時間,且基于Si本身的性質(zhì),使得兩者能更易結合到電子器件當中,從而利于集成化。
P型CuO與N型Si結合形成異質(zhì)結型氫氣傳感器時,兩者形成PN結,當遇到還原性氣體時(例如氫氣),大量的O-與還原性氣體氫氣結合形成水,并釋放出大量的自由電子,造成其內(nèi)部空間電荷區(qū)發(fā)生改變,基于此原理可以制作出PN結型氫氣傳感器。
PN結型(CuO/Si)氫氣傳感器具有優(yōu)異的傳感性能,較高的靈敏度、較小的反應和恢復常數(shù),并且Si基更易集成,具有良好的應用前景。
現(xiàn)有技術中,制備PN結型(CuO/Si)氫氣傳感器有化學合成、退火沉積等方法。化學方法主要包括氧化法和電化學法,其中,氧化法需要銅鹽作為氧化銅的來源,且需要進行有機物氧化等操作,而有機物原料對環(huán)境有害,且形成氧化銅過程較為復雜;電化學法需要將金屬銅作為電極,用電解的方式,沉積得到CuO薄膜,最后將其與N型Si結合形成PN結型氫氣傳感器,該方法工藝較為復雜,成本較高,并且難以大規(guī)模制備;退火沉積法中需要先將一定厚度的Cu層熱包覆于N型Si襯底上,然后將其置于300℃下退火4小時使其氧化,得到異質(zhì)結結構,該方法形成的CuO難以成為連續(xù)性較好的膜,且Si易于退火環(huán)境下被氧化,造成異質(zhì)結形成不均,傳感效果變差。
有鑒于此,提出本發(fā)明。
發(fā)明內(nèi)容
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