[發(fā)明專(zhuān)利]基于Ge2

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202211439359.X
• 申請(qǐng)日: 2022-11-17
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN115747740A
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-03-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 曹峰;任志坤;伍作徐;王建;張倩;毛俊
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 哈爾濱工業(yè)大學(xué)（深圳）
• 主分類(lèi)號(hào): C23C14/35
• 分類(lèi)號(hào): C23C14/35;C23C14/06;C23C14/14;C23C14/58;F41H3/00
• 代理公司: 深圳市添源創(chuàng)鑫知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44855
• 代理人: 姜書(shū)新

1.基于Ge₂Sb₂Te₅的紅外隱身與輻射散熱薄膜，其特征在于，薄膜包含為Ni/晶態(tài)Ge₂Sb₂Te₅/Ni/非晶態(tài)Ge₂Sb₂Te₅四層結(jié)構(gòu)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜，其特征在于，各層的厚度分別為，Ni：100nm±10nm；晶態(tài)Ge₂Sb₂Te₅：90nm±10nm；Ni:14nm±2nm；非晶態(tài)Ge₂Sb₂Te₅：320±50nm，優(yōu)選320±20nm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜，其特征在于，非晶態(tài)Ge₂Sb₂Te₅由其他含Ge、ZnSn等紅外透明材料替換，Ni層可由Cu、Al、Au等材料替換。

4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一所述基于Ge₂Sb₂Te₅的紅外隱身與輻射散熱薄膜的制備方法，其特征在于，包括：

選擇薄膜材料為Ni和Ge₂Sb₂Te₅，襯底為高純硅片，選擇性發(fā)射薄膜包含為Ni/晶態(tài)Ge₂Sb₂Te₅/Ni/非晶態(tài)Ge₂Sb₂Te₅四層結(jié)構(gòu)，中間層晶態(tài)Ge₂Sb₂Te₅通過(guò)沉積后退火得到。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述制備方法，其特征在于，包括：該選擇性吸收薄膜使用高真空多靶磁控濺射系統(tǒng)進(jìn)行沉積制備，Ni與Ge₂Sb₂Te₅均采用直流濺射。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述制備方法，其特征在于，濺射功率分別優(yōu)選為50W和80W。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述制備方法，其特征在于，中間層晶態(tài)Ge₂Sb₂Te₅通過(guò)沉積后退火工藝包括：在沉積完成中間Ge₂Sb₂Te₅膜層后，使用真空管式爐退火制備晶態(tài)Ge₂Sb₂Te₅層。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述制備方法，其特征在于，在300℃下退火制備晶態(tài)Ge₂Sb₂Te₅層，退火時(shí)間為40±10min。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述制備方法，其特征在于，所述退火在氬氣作為保護(hù)氣下進(jìn)行。

10.根據(jù)權(quán)利要求4-9任一項(xiàng)所述制備方法，其特征在于，采用直流濺射各層的厚度分別為：Ni：100nm±10nm；晶態(tài)Ge₂Sb₂Te₅：90nm±10nm；Ni:14nm±2nm；非晶態(tài)Ge₂Sb₂Te₅：320±160nm，優(yōu)選320±20nm。