[發(fā)明專利]一種具有TaC復合涂層的石墨盤及其制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202211437848.1
• 申請日: 2022-11-15
• 公開（公告）號: CN115725960A
• 公開（公告）日: 2023-03-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張南;羅騫
• 申請（專利權(quán)）人: 季華實驗室
• 主分類號: C23C16/458
• 分類號: C23C16/458;C23C16/02;C23C16/14;C23C16/32;C23C16/505;C23C16/52;C23C16/56;C30B25/12
• 代理公司: 佛山市海融科創(chuàng)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44377
• 代理人: 羅尹清

1.一種具有TaC復合涂層的石墨盤的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

對石墨盤表面進行圖形化預處理，使所述石墨盤表面形成凹坑陣列；

在所述石墨盤表面依次形成SiC涂層、金屬涂層、TaC涂層，使所述石墨盤表面形成TaC復合涂層；

在所述TaC涂層表面進行后處理使所述TaC涂層表面非晶化，在高溫惰性氣體氛圍中進行退火處理。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有TaC復合涂層的石墨盤的制備方法，其特征在于，所述在所述石墨盤表面依次形成SiC涂層、金屬涂層、TaC涂層步驟中，在形成所述SiC涂層之后、形成所述金屬涂層之前，還包括以下步驟：

形成SiC-金屬過渡層；

所述在所述石墨盤表面依次形成SiC涂層、金屬涂層、TaC涂層步驟中，在形成所述金屬涂層之后、形成所述TaC涂層之前，還包括以下步驟：

形成金屬-TaC過渡層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的具有TaC復合涂層的石墨盤的制備方法，其特征在于，形成所述SiC涂層的過程包括以下步驟：

載氣為H₂，H₂的流量為500~2000 sccm，反應(yīng)氣體為SiH₄、C₃H₈混合氣體，SiH₄的流量為150~900sccm，C₃H₈的流量為50~300sccm，溫度為1400~1800℃，氣壓為40~200 mbar，射頻功率為5~10kW，沉積時間為10~40min；

所述金屬涂層為Ta涂層，形成所述金屬涂層的過程包括以下步驟：

載氣為Ar，Ar的流量為500~2000sccm，反應(yīng)氣體為TaCl₅、H₂混合氣體，TaCl₅的流量為10~30sccm，H₂的流量為100~500sccm，溫度為800~1000℃，氣壓為10~80 mbar，射頻功率為5~10kW，沉積時間為5~15min；

形成所述TaC涂層的過程包括以下步驟：

載氣為Ar，Ar的流量為500~2000sccm，反應(yīng)氣體為TaCl₅、C₃H₈混合氣體，TaCl₅的流量為10~50sccm，C₃H₈的流量為20~150sccm，溫度為900~1500℃，氣壓為10~200 mbar，射頻功率為5~10kW，沉積時間為30~120min。