[發(fā)明專利]顯示面板及其制作方法、蝕刻液組合物在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202211433442.6 | 申請日: | 2022-11-16 |
| 公開(公告)號: | CN115763494A | 公開(公告)日: | 2023-03-07 |
| 發(fā)明(設計)人: | 李恩慶 | 申請(專利權)人: | TCL華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L25/075;H01L33/48;H01L33/62;C23F1/16;C23F11/02 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人: | 郭科兵 |
| 地址: | 518132 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 及其 制作方法 蝕刻 組合 | ||
本申請?zhí)岢隽艘环N顯示面板及其制作方法、蝕刻液組合物;顯示面板包括驅動背板和設置在驅動背板上的發(fā)光芯片,驅動背板包括驅動層和設置于驅動層上的電極端子,發(fā)光芯片與電極端子固定連接。電極端子的表面設置有防銹層,防銹層的腐蝕速度小于電極端子的腐蝕速度,以及發(fā)光芯片與防銹層直接接觸;本申請通過提供一種蝕刻液組合物,并利用該蝕刻液組合物處理制作顯示面板,使顯示面板內的電極端子表面形成了防銹層,從而有效降低電極端子與發(fā)光芯片的焊接位置受到后續(xù)制的腐蝕,穩(wěn)定顯示面板的顯示效果,提升產品良率。
技術領域
本申請涉及顯示面板制作的領域,具體涉及一種顯示面板及其制作方法、蝕刻液組合物。
背景技術
Mini-LED和Micro-LED統(tǒng)稱為MLED,MLED顯示技術是指以自發(fā)光的微米量級的發(fā)光二極管LED為發(fā)光像素單元,將其組裝到驅動面板上形成高密度LED陣列的顯示技術。
當前,MLED芯片一般通過激光焊技術與陣列基板上的電極端子實現貼裝,但在后續(xù)制程中,MLED芯片與銅系金屬材質的電極端子的焊接位置容易因水汽入侵而發(fā)生腐蝕,造成MLED芯片與驅動背板導通不良進而引起顯示不良的問題。
發(fā)明內容
本申請?zhí)峁┮环N顯示面板及其制作方法、蝕刻液組合物,以改善當前MLED芯片與電極端子的焊接位置容易因水汽入侵而發(fā)生腐蝕引起顯示不良的問題。
為解決上述技術問題,本申請?zhí)峁┑募夹g方案如下:
本申請?zhí)峁┮环N顯示面板,包括:
驅動背板,包括襯底和設置于所述襯底上的電極端子;以及
發(fā)光芯片,設置于所述驅動背板上,所述發(fā)光芯片與所述電極端子固定連接;
其中,所述電極端子的表面設置有防銹層,所述防銹層的腐蝕速度小于所述電極端子的腐蝕速度,以及所述發(fā)光芯片與所述防銹層直接接觸。
在本申請的顯示面板中,所述防銹層包括唑類化合物,以及所述電極端子與所述防銹層通過范德華力固定連接。
在本申請的顯示面板中,所述唑類化合物包括二唑、三唑、四唑中的至少一種。
在本申請的顯示面板中,所述二唑包括咪唑、吡唑中的至少一種,所述三唑包括3-氨基-1,2,3-三唑、3-氨基-1,2,4-三唑、4-氨基-1,2,3-三唑、4-氨基-1,2,4-三唑中的至少一種,所述四唑包括5-甲基四唑、5-氨基四唑中的至少一種。
本申請還提供一種蝕刻液組合物,用于制作所述顯示面板,所述蝕刻液組合物包括以質量分數計的以下組分:
分解劑0.5%至6%、螯合劑0.01%至3%、腐蝕保護劑0.01%至1%,界面活性劑0.001%至0.5%,余量為水;
其中,所述分解劑為具有還原性和氧化性的路易斯酸,所述腐蝕保護劑包括唑類化合物。
在本申請的蝕刻液組合物中,所述蝕刻液組合物包括以質量分數計的以下組分:
分解劑1%至4%、螯合劑0.5%至1%、腐蝕保護劑0.05%至0.3%,界面活性劑0.005%至0.15%,余量為水。
在本申請的蝕刻液組合物中,所述分解劑包括過氧化氫、亞硝酸、亞硫酸中至少一種,以及所述蝕刻液組合物的pH值為5至8。
在本申請的蝕刻液組合物中,所述螯合劑包括亞氨基二乙酸、氨三乙酸、乙二胺四乙酸、二乙基內硝基乙酸、氨基三亞甲基膦酸、1-羥基乙烷-1,1-二膦酸、乙二胺四亞甲基膦酸、二亞乙基三胺五亞甲基膦酸中的至少一種。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





