[發(fā)明專利]一種金剛石線切割晶體硅片的絨面制備方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202211432784.6
• 申請(qǐng)日: 2022-11-16
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN115692183A
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-02-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 章金兵;胡動(dòng)力;周小英
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 浙大寧波理工學(xué)院
• 主分類號(hào): H01L21/223
• 分類號(hào): H01L21/223;H01L31/18;H01L31/0236
• 代理公司: 寧波甬致專利代理有限公司 33228
• 代理人: 胡天人

1.一種金剛石線切割晶體硅片的絨面制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1、預(yù)處理：取金剛石線切割晶體硅片與硼源置于擴(kuò)散爐中，通入氮?dú)庾鳛楸Ｗo(hù)氣，升溫，持續(xù)擴(kuò)散15-20分鐘，降溫后獲得表面帶有硼摻雜層的改性金剛石線切割晶體硅片；

S2、制絨：將步驟S1制得的表面帶有硼摻雜層的改性金剛石線切割晶體硅片使用混酸或堿溶液處理，即可完成絨面制備。

2.如權(quán)利要求1所述的一種金剛石線切割晶體硅片的絨面制備方法，其特征在于，所述步驟S1中的氮?dú)獾牧髁繛?.5～1.0L/min。

3.如權(quán)利要求1所述的一種金剛石線切割晶體硅片的絨面制備方法，其特征在于，所述步驟S1中，硼源選自硼酸三甲酯、硼酸三丙酯、三溴化硼中一種或多種。

4.如權(quán)利要求1所述的一種金剛石線切割晶體硅片的絨面制備方法，其特征在于，所述步驟S1中，擴(kuò)散的溫度為800～1000℃。

5.如權(quán)利要求1所述的一種金剛石線切割晶體硅片的絨面制備方法，其特征在于，所述步驟S1制得的表面帶有硼摻雜層的改性金剛石線切割晶體硅片的摻雜層厚度為0.3～0.8μm。

6.如權(quán)利要求1～5任意一項(xiàng)所述的一種金剛石線切割晶體硅片的絨面制備方法，其特征在于，使用HF/HNO₃/H₂O混酸對(duì)步驟S1制得的改性金剛石線切割晶體硅片中的多晶硅片進(jìn)行刻蝕制絨，使用KOH或NaOH堿溶液對(duì)步驟S1制得的改性金剛石線切割晶體硅片中的單晶體硅片進(jìn)行刻蝕制絨。

7.如權(quán)利要求6所述的一種金剛石線切割晶體硅片的絨面制備方法，其特征在于，所述HF/HNO₃/H₂O混酸中各組分的摩爾比為：m(HF)：m(HNO₃)：m(H₂O)＝(1～2)：(3～4)：(7～8)。

8.如權(quán)利要求6所述的一種金剛石線切割晶體硅片的絨面制備方法，其特征在于，使用HF/HNO₃/H₂O混酸對(duì)多晶硅片進(jìn)行刻蝕制絨時(shí)，刻蝕制絨反應(yīng)溫度為6～8℃。

9.如權(quán)利要求6所述的一種金剛石線切割晶體硅片的絨面制備方法，其特征在于，使用KOH或NaOH堿溶液對(duì)單晶體硅片進(jìn)行刻蝕制絨時(shí)，溶液中KOH或NaOH的濃度為40～60％。

10.如權(quán)利要求6所述的一種金剛石線切割晶體硅片的絨面制備方法，其特征在于，使用KOH或NaOH溶液對(duì)單晶體硅片進(jìn)行刻蝕制絨時(shí)，刻蝕制絨反應(yīng)溫度為80～85℃。