[發明專利]用于經改善的前驅物流的半導體處理腔室

在審

• 申請號: 202211431121.2
• 申請日: 2018-05-17
• 公開（公告）號: CN115799031A
• 公開（公告）日: 2023-03-14
• 發明（設計）人: 陳天發;D·盧博米爾斯基;S·鄭;S·樸;R·W·盧;P·范;E·C·蘇亞雷斯
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01L21/67
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 付尉琳;侯穎媖

公開了用于經改善的前驅物流的半導體處理腔室。示例性半導體處理系統可以包括處理腔室，并且可以包括與處理腔室耦接的遠程等離子體單元。示例性系統還可以包括與遠程等離子單元耦接的適配器。適配器可以包括第一端和與第一端相對的第二端。適配器可以在第一端處限定通向中心通道的開口，并且中心通道可以由第一橫截表面面積來表征。適配器可以在第二端處限定從第二通道離開的出口，并且適配器可以在適配器內、在第一端與第二端之間限定中心通道與第二通道之間的過渡部。適配器可以限定過渡部與適配器的第二端之間的第三通道，并且第三通道可與中心通道和第二通道流體隔離。

本申請是申請日為2018年5月17日、申請號為“201810471950.0”、發明名稱為“用于經改善的前驅物流的半導體處理腔室”的發明專利申請的分案申請。

技術領域

本技術涉及半導體系統、工藝和設備。更具體地，本技術涉及用于在系統和腔室內遞送前驅物的系統和方法。

背景技術

集成電路通過在基板表面上產生復雜地圖案化的材料層的工藝制成。在基板上產生圖案化的材料要求用于暴露材料的去除的受控方法。化學蝕刻用于多種目的，包括將光刻膠中的圖案轉移到下方層、將層薄化，或將已存在于表面上的特征的側向尺寸薄化。通常，期望具有比蝕刻另一材料更快地蝕刻一種材料以促進例如圖案轉移工藝或個別材料移除的蝕刻工藝。這種蝕刻工藝被稱為對第一材料有選擇性。由于材料、電路和工藝的多樣性，蝕刻工藝已發展成具有面向于多種材料的可選擇性。

蝕刻工藝可基于工藝中使用的材料而稱為濕法蝕刻或干法蝕刻。濕法HF蝕刻優選地移除了在其他電介質和材料上方的氧化硅。然而，濕法工藝可能難以穿透一些受限溝槽并有時還可能使剩余的材料變形。干法蝕刻工藝可以穿透到復雜的特征和溝槽中，但是可能無法提供可接受的頂部-底部輪廓。隨著在下一代器件中器件大小不斷縮小，系統將前驅物遞送到腔室中并通過腔室的方式可能會造成越來越大的影響。由于處理條件的均勻性的重要性不斷增加，腔室設計和系統設置對生產的器件的質量有重要作用。

因此，需要可用于產生高質量器件和結構的改善的系統和方法。這些和其他需要通過本技術來解決。

發明內容

示例性半導體處理系統可以包括處理腔室，并且可以包括與處理腔室耦接的遠程等離子體單元。示例性系統還可以包括與遠程等離子單元耦接的適配器。適配器可以包括第一端和與第一端相對的第二端。適配器可以在第一端處限定通向中心通道的開口，并且中心通道可以由第一橫截表面面積來表征。適配器可以在第二端處限定從第二通道離開的出口，并且適配器可以在適配器內、在第一端與第二端之間限定中心通道與第二通道之間的過渡部。適配器可以限定過渡部與適配器的第二端之間的第三通道，并且第三通道可在適配器內與中心通道和第二通道流體隔離。

在一些實施方式中，第二通道可以由小于第一橫截面積的第二橫截面積來表征。第二通道可以包括從中心通道延伸的多個通道。適配器可進一步限定提供用來進出第三通道的端口。系統可進一步包括耦接在適配器與處理腔室之間的隔離器。隔離器可以包括圍繞隔離器通道的環形構件，并且隔離器通道可與第二通道和第三通道流體耦接。在一些方式中，隔離器可以包括陶瓷材料。系統還可包括耦接在隔離器與處理腔室之間的混合歧管。混合歧管可以由具有的直徑等于隔離器通道的直徑的入口來表征。在實施方式中，混合歧管的入口可過渡到混合歧管的錐形區段。混合歧管的錐形區段可過渡到混合歧管的擴口區段，擴口區段延伸到混合歧管的出口。

本技術還包括半導體處理系統。系統可以包括遠程等離子單元，并且還可包括處理腔室。處理腔室可以包括氣體箱，氣體箱限定中心通道。處理腔室可以包括阻擋板，阻擋板與氣體箱耦接，并且阻擋板可以限定穿過阻擋板的多個孔。處理腔室可以包括面板，面板在面板的第一表面處與氣體箱耦接。處理腔室還可包括離子抑制元件，離子抑制元件在面板的與面板的第一表面相對的第二表面處與面板耦接。