[發明專利]一種基于LNOI材料的窄波束光學相控陣輸出光柵在審
| 申請號： | 202211428806.1 | 申請日： | 2022-11-15 |
| 公開（公告）號： | CN115903109A | 公開（公告）日： | 2023-04-04 |
| 發明（設計）人： | 時堯成;鄭書航;宋錦濤;袁愷旸 | 申請（專利權）人： | 浙江大學 |
| 主分類號： | G02B5/18 | 分類號： | G02B5/18;G02B6/12;G02B6/124;G02B1/02 |
| 代理公司： | 杭州君度專利代理事務所(特殊普通合伙) 33240 | 代理人： | 朱月芬 |
| 地址： | 310000 浙江*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 基于 lnoi 材料 波束 光學 相控陣 輸出 光柵 | ||
【權利要求書】：
1.一種基于LNOI材料的窄波束光學相控陣輸出光柵，其特征在于：由下至上包括支撐襯底層(1)、絕緣層(2)、LN波導層(3)和上包層(4)；
所述LN波導層(3)由輸入波導(5)、周期光柵波導(6)組成；當光以TE模式經輸入波導(5)輸入時，其在周期光柵波導(6)被耦合到自由空間，在遠場形成特定角度的窄掃描光束。
2.根據權利要求1所述的一種基于LNOI材料的窄波束光學相控陣輸出光柵，其特征在于：
所述支撐襯底層(1)為硅層，厚度為300～800μm；
所述絕緣層(2)為二氧化硅層，厚度為2～3μm，用于防止光泄露至所述支撐襯底層中；
所述LN波導層(3)選用鈮酸鋰材料，厚度為600nm，波導寬度為1.2μm，o光折射率為2.211，e光折射率為2.138；
所述上包層(4)為二氧化硅層，厚度為2μm。
3.根據權利要求1或2所述一種基于LNOI材料的窄波束光學相控陣輸出光柵，其特征在于：采用二次淺刻蝕結構(7)，淺刻蝕結構的周期長度為0.9μm，占空比為0.5，能夠有效避免遠場旁瓣。
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