[發(fā)明專利]一種膜狀多層量子點(diǎn)熒光材料、其制備方法及免疫層析應(yīng)用在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202211425337.8 | 申請(qǐng)日: | 2022-11-15 |
| 公開(公告)號(hào): | CN115746827A | 公開(公告)日: | 2023-03-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 汪崇文;顧兵 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 廣東省人民醫(yī)院 |
| 主分類號(hào): | C09K11/02 | 分類號(hào): | C09K11/02;C09K11/88;G01N21/64;G01N33/533;G01N33/543;G01N33/558;G01N33/569 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 多層 量子 熒光 材料 制備 方法 免疫 層析 應(yīng)用 | ||
1.一種膜狀多層量子點(diǎn)熒光材料,其特征在于,包括膜狀載體與設(shè)置于膜狀載體上的熒光層;所述熒光層包括依次疊加設(shè)置的陽(yáng)離子聚合物自組裝層與負(fù)電性量子點(diǎn)層,且所述熒光層中的陽(yáng)離子聚合物自組裝層與膜狀載體相接觸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的膜狀多層量子點(diǎn)熒光材料,其特征在于,所述熒光層中陽(yáng)離子聚合物自組裝層與負(fù)電性量子點(diǎn)層的層數(shù)均大于等于2,且陽(yáng)離子聚合物自組裝層與負(fù)電性量子點(diǎn)層相間設(shè)置。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的膜狀多層量子點(diǎn)熒光材料,其特征在于,所述膜狀載體為單層氧化石墨烯;所述陽(yáng)離子聚合物自組裝層為聚乙烯亞胺自組裝層;所述負(fù)電性量子點(diǎn)層為羧基化硒化鎘/硫化鋅核殼量子點(diǎn)自組裝層或3-巰基丙酸包覆硒化鎘/硫化鋅量子點(diǎn)自組裝層。
4.一種膜狀多層量子點(diǎn)熒光材料的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
S1)將膜狀載體與陽(yáng)離子聚合物溶液混合超聲,得到包含負(fù)載陽(yáng)離子聚合物自組裝層的膜狀載體的溶液;
S2)將負(fù)電性量子點(diǎn)溶液與包含負(fù)載陽(yáng)離子聚合物自組裝層的膜狀載體的溶液混合超聲,得到膜狀多層量子點(diǎn)熒光材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法,其特征在于,所述膜狀載體按照以下方法制備得到:
將單層氧化石墨烯分散液超聲處理,離心,收集沉淀重懸于水中,得到膜狀載體;所述單層氧化石墨烯分散液中單層氧化石墨烯的厚度為1~2nm;片徑大于200nm;所述超聲處理的功率為500~1000W;所述離心的轉(zhuǎn)速為10000~20000g。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法,其特征在于,所述陽(yáng)離子聚合物溶液中陽(yáng)離子聚合物的濃度為0.1~5mg/mL;所述陽(yáng)離子聚合物溶液中陽(yáng)離子聚合物的分子量為3000~100000;
所述負(fù)電性量子點(diǎn)溶液的濃度為1~50ng/mL;所述陽(yáng)離子聚合物溶液與負(fù)電性量子點(diǎn)溶液的體積比為(300~800):1。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述步驟S1)與步驟S2)中混合超聲的功率為500~1000W;混合超聲的時(shí)間為10~60min。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,步驟S2)中混合超聲后,離心收集沉淀后,以其替代膜狀載體重復(fù)步驟S1)與步驟S2);重復(fù)的次數(shù)為1~5次。
9.權(quán)利要求1~3任意一項(xiàng)所述的膜狀多層量子點(diǎn)熒光材料或權(quán)利要求4~8任意一項(xiàng)制備方法所制備的膜狀多層量子點(diǎn)熒光材料在免疫層析中的應(yīng)用。
10.一種膜狀多層量子點(diǎn)納米標(biāo)簽,其特征在于,包括權(quán)利要求1~3任意一項(xiàng)所述的膜狀多層量子點(diǎn)熒光材料或權(quán)利要求4~8任意一項(xiàng)制備方法所制備的膜狀多層量子點(diǎn)熒光材料與修飾在膜狀多層量子點(diǎn)熒光材料表面的檢測(cè)抗體。
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