[發明專利]一種分柵溝槽MOSFET在審
| 申請號： | 202211422841.2 | 申請日： | 2022-11-15 |
| 公開（公告）號： | CN115911130A | 公開（公告）日： | 2023-04-04 |
| 發明（設計）人： | 丘展富 | 申請（專利權）人： | 深圳市芯控源電子科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L29/417;H01L29/49;H01L29/51;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳力拓知識產權代理有限公司 44313 | 代理人： | 張小雪 |
| 地址： | 518000 廣東省深圳市龍崗區坂田街道*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 溝槽 mosfet | ||
1.一種分柵溝槽MOSFET,包括器件元胞單元，所述器件元胞單元包括第一導電類型襯底(2)及位于第一導電類型襯底(2)上的第一導電類型漂移區(1)，在所述第一導電類型漂移區(3)的上部設有第二導電類型阱區(9)，其特征在于：所述第一導電類型漂移區(1)內開設有介質槽(5)和與介質槽(5)連通的柵極沉淀槽，且介質槽(5)中填充有高K氧化物(4)，所述柵極沉淀槽內填充有沉淀柵極金屬柵(8)、包覆在沉淀柵極金屬柵(8)上的氧化層一(7)、包覆在氧化層(7)上的沉淀柵極碳化硅(6)。
2.根據權利要求1所述的一種分柵溝槽MOSFET，其特征在于：所述第二導電類型阱區(9)上設有第一導電類型源極區(10)，且第一導電類型漂移區(1)頂部兩側均開設有L形槽體，所述L形槽體、第二導電類型阱區(9)、第一導電類型源極區(10)上均設有P形埋層(12)。
3.根據權利要求1所述的一種分柵溝槽MOSFET，其特征在于：所述第一導電類型襯底(2)的下表面設置漏極金屬(3)，所述漏極金屬(3)與第一導電類型襯底(2)歐姆接觸。
4.根據權利要求1所述的一種分柵溝槽MOSFET，其特征在于：對于N型MOSFET器件結構，所述第一導電類型為N型導電，所述第二導電類型為P形導電；對于P形MOSFET器件結構，所述第一導電類型為P形導電，所述第二導電類型為N型導電。
5.根據權利要求1所述的一種分柵溝槽MOSFET，其特征在于：所述柵極沉淀槽內壁與沉淀柵極碳化硅(6)之間設有氧化層二，且沉淀柵極碳化硅(6)與高K氧化物(4)之間也設有氧化層三。
6.根據權利要求1所述的一種分柵溝槽MOSFET，其特征在于：所述第二導電類型阱區(9)與柵極沉淀槽鄰接。
7.根據權利要求1所述的一種分柵溝槽MOSFET，其特征在于：所述介質槽(5)的深度大于柵極沉淀槽的深度。
8.根據權利要求1所述的一種分柵溝槽MOSFET，其特征在于：所述柵極沉淀槽上覆蓋有源級金屬(11)，且源級金屬(11)伸入柵極沉淀槽上部的延伸端與第一導電類型源級區(10)接觸。
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