[發(fā)明專利]用于多前體流的半導(dǎo)體處理腔室

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202211420205.6
• 申請(qǐng)日: 2018-05-17
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN115763205A
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-03-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: D·楊;M·T·薩米爾;D·盧伯米爾斯基;P·希爾曼;S·帕克;M·Y·崔;L·朱;N·英格爾
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 應(yīng)用材料公司
• 主分類號(hào): H01J37/32
• 分類號(hào): H01J37/32;H01J37/305;H01L21/3065;H01L21/67
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 付尉琳;侯穎媖

公開(kāi)了用于多前體流的半導(dǎo)體處理腔室。示例性半導(dǎo)體處理系統(tǒng)可以包括處理腔室，并且可以包括與所述處理腔室耦合的遠(yuǎn)程等離子體單元。示例性系統(tǒng)還可以包括與所述遠(yuǎn)程等離子體單元耦合的適配器。所述適配器可以包括第一端和與所述第一端相對(duì)的第二端。所述適配器可以限定通過(guò)所述適配器的中央通道。所述適配器可以在所述第二端處限定從第二通道的出口。所述中央通道、所述第二通道、和所述第三通道可以各自在所述適配器內(nèi)互相流體隔離。

本申請(qǐng)是申請(qǐng)日為2018年5月17日、申請(qǐng)?zhí)枮椤?01810472445.8”、發(fā)明名稱為“用于多前體流的半導(dǎo)體處理腔室”的發(fā)明專利申請(qǐng)的分案申請(qǐng)。

技術(shù)領(lǐng)域

本技術(shù)涉及半導(dǎo)體系統(tǒng)、工藝和設(shè)備。更具體地，本技術(shù)涉及用于在系統(tǒng)和腔室內(nèi)遞送前體的系統(tǒng)和方法。

背景技術(shù)

通過(guò)在基板表面上產(chǎn)生復(fù)雜圖案化材料層的工藝而使集成電路成為可能。在基板上產(chǎn)生圖案化材料需要用于去除暴露材料的受控的方法。化學(xué)蝕刻用于多種目的，包括將光刻膠中的圖案轉(zhuǎn)移到下面的層中，減薄層或減薄已經(jīng)存在于表面上的特征的橫向尺寸。通常期望具有比另一種材料更快地蝕刻一種材料的蝕刻處理，這有利于例如圖案轉(zhuǎn)移工藝或單獨(dú)的材料去除。這種蝕刻工藝被稱為對(duì)第一種材料是有選擇性的。由于材料、電路和工藝的多樣性，已經(jīng)開(kāi)發(fā)了對(duì)各種材料具有選擇性的蝕刻工藝。

基于用于工藝的材料，蝕刻工藝可以被稱為濕法或干法。濕法HF蝕刻優(yōu)先去除其他電介質(zhì)和材料上的氧化硅。然而，濕法工藝可能難以穿透某些受限制的溝槽，并且有時(shí)還可能使剩余材料變形。干法蝕刻工藝可以滲透到復(fù)雜的特征和溝槽中，但可能無(wú)法提供可接受的頂部到底部輪廓。隨著下一代設(shè)備中設(shè)備尺寸的不斷縮小，系統(tǒng)將前體遞送進(jìn)腔室并通過(guò)腔室的方式可能會(huì)產(chǎn)生越來(lái)越大的影響。由于處理?xiàng)l件的均勻性的重要性不斷增加，腔室設(shè)計(jì)和系統(tǒng)設(shè)置可對(duì)生產(chǎn)的器件的質(zhì)量起著重要的作用。

因此，需要可用于生產(chǎn)高質(zhì)量器件和結(jié)構(gòu)的改進(jìn)的系統(tǒng)和方法。本技術(shù)解決了這些和其他需求。

發(fā)明內(nèi)容

示例性半導(dǎo)體處理系統(tǒng)可以包括處理腔室，并且可以包括與處理腔室耦合的遠(yuǎn)程等離子體單元。示例性系統(tǒng)還可以包括與遠(yuǎn)程等離子體單元耦合的適配器。適配器可以包括第一端和與第一端相對(duì)的第二端。適配器可以限定穿過(guò)適配器的中央通道。適配器可以限定在第二端處從第二通道的出口，并且適配器可以限定在第二端處從第三通道的出口。中央通道、第二通道和第三通道可以各自在適配器內(nèi)彼此流體隔離。

在一些實(shí)施例中，第二通道可以包括至少部分地延伸通過(guò)適配器的垂直橫截面的第一環(huán)形通道，并且第二通道可以圍繞中央通道來(lái)限定。適配器還可以限定位于適配器的外部的第一端口，并且第一端口可以被配置成提供到第二通道的流體通路。第三通道可以包括至少部分地延伸通過(guò)適配器的垂直橫截面的第二環(huán)形通道，并且第三通道可以圍繞第二通道來(lái)限定。適配器還可以限定位于適配器的外部的第二端口，并且第二端口可以被配置成提供到第三通道的流體通路。在一些實(shí)施例中，中央通道、第二通道和第三通道可以同心對(duì)準(zhǔn)。該系統(tǒng)還可以包括耦合在適配器和遠(yuǎn)程等離子體單元之間的隔離器。在實(shí)施例中，隔離器可以是或包括陶瓷。該系統(tǒng)還可以包括耦合在適配器和處理腔室之間的混合歧管。混合歧管可以被表征為入口的直徑大于或等于第三通道的外徑。混合歧管的入口可以過(guò)渡為混合歧管的錐形部分。另外，混合歧管的錐形部分可以過(guò)渡為延伸到混合歧管的出口的混合歧管的擴(kuò)口部分。

本技術(shù)還包括半導(dǎo)體處理系統(tǒng)，其可以包括遠(yuǎn)程等離子體單元。該系統(tǒng)還可以包括處理腔室。處理腔室可以包括限定中央通道的氣體箱。處理腔室還可以包括與氣體箱耦合的區(qū)隔板。區(qū)隔板可以限定穿過(guò)區(qū)隔板的多個(gè)孔。處理腔室還可以包括面板，該面板在面板的第一表面處與區(qū)隔板耦合。處理腔室還可以包括在面板的與面板的第一表面相對(duì)的第二表面處與面板耦合的離子抑制元件。