[發明專利]碳化硅器件的污染檢測方法及污染檢測系統

在審

• 申請號: 202211419106.6
• 申請日: 2022-11-14
• 公開（公告）號: CN115692231A
• 公開（公告）日: 2023-02-03
• 發明（設計）人: 史仁先;王國峰
• 申請（專利權）人: 北海惠科半導體科技有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 深圳市聯鼎知識產權代理有限公司 44232
• 代理人: 劉冰

本申請提供了一種碳化硅器件的污染檢測方法及污染檢測系統，該污染檢測方法包括：獲取一晶圓結構，晶圓結構包括襯底和形成在襯底第一面的第一擴散層，襯底和第一擴散層均為第一導電類型；將晶圓結構置于待檢測碳化硅器件中，并對晶圓結構進行擴散處理以在襯底的第二面形成第二擴散層，第二擴散層為第二導電類型，其中，第一導電類型和第二導電類型中的一者為N型，另一者為P型；在置于待檢測碳化硅器件中的晶圓結構形成完第二擴散層之后，對晶圓結構進行電極制作，以得到待測半導體器件；檢測待測半導體器件的反向恢復時間；基于反向恢復時間，確定待檢測碳化硅器件的污染情況。本申請的方法可以方便快捷地檢測碳化硅器件的污染程度進行檢測。

技術領域

本申請涉及半導體技術領域，特別涉及一種碳化硅器件的污染檢測方法及污染檢測系統。

背景技術

碳化硅管、碳化硅槳、碳化硅舟等碳化硅器件是半導體制備的必要器具，使用量較大且純凈度要求較高?，F有技術中通常是從國外購買新品碳化硅器件，存在采購周期長、成本高、易受限制等問題。國內外半導體生產商具有很多舊品碳化硅器件，若能將這些舊品碳化硅器件進行合理化利用將有利于解決半導體器件的生產和時間成本。然而，由于碳化硅器件的使用環境比較復雜，舊品碳化硅器件可能會存在污染，影響半導體質量，導致產商不敢使用、不能使用的情況發生。

因此，提出一種碳化硅器件的污染檢測方法與裝置是本領域技術人員需要解決的問題。

發明內容

本申請的目的之一是提供一種碳化硅器件的污染檢測方法和污染檢測裝置，以便能夠確定碳化硅器件的污染情況。

為解決上述技術問題，本申請采用如下技術方案：

在本申請的一個技術方案中，本申請提供一種碳化硅器件的污染檢測方法，所述污染檢測方法包括：

獲取一晶圓結構，所述晶圓結構包括襯底和形成在所述襯底第一面的第一擴散層，所述襯底和所述第一擴散層均為第一導電類型；

將所述晶圓結構置于待檢測碳化硅器件中，并對所述晶圓結構進行擴散處理以在所述襯底的第二面形成第二擴散層，所述第二擴散層為第二導電類型，其中，所述第一導電類型和所述第二導電類型中的一者為N型，另一者為P型；

在置于所述待檢測碳化硅器件中的晶圓結構形成完所述第二擴散層之后，對所述晶圓結構進行電極制作，以得到待測半導體器件；

檢測所述待測半導體器件的反向恢復時間；

基于所述反向恢復時間，確定所述待檢測碳化硅器件的污染情況。

在本申請的一個技術方案中，在所述基于所述反向恢復時間，確定所述待檢測碳化硅器件的污染情況的步驟中，包括：

獲取目標反向恢復時間；

將所述反向恢復時間與所述目標反向恢復時間進行比較；

在所述反向恢復時間大于所述目標反向恢復時間時，則確定所述待檢測碳化硅器件存在污染。

在本申請的一個技術方案中，在所述獲取目標反向恢復時間的步驟中，包括：

將所述晶圓結構置于標準碳化硅器件中，并對所述晶圓結構進行擴散處理以在所述襯底的第二面形成第二擴散層；

在置于所述標準碳化硅器件中的晶圓結構形成完所述第二擴散層之后，對所述晶圓結構進行電極制作，以得到標準半導體器件；

檢測所述標準半導體器件的反向恢復時間，并將所述標準半導體器件的反向恢復時間作為所述目標反向恢復時間。

在本申請的一個技術方案中，在所述獲取一晶圓結構的步驟中，包括：

提供第一導電類型為N型的襯底；