[發(fā)明專(zhuān)利]一種基于新型圖形化襯底的LED芯片及其制造方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202211415780.7 | 申請(qǐng)日： | 2022-11-11 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN115763658A | 公開(kāi)（公告）日： | 2023-03-07 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 請(qǐng)求不公布姓名;陳傳國(guó) | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 聚燦光電科技（宿遷）有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H01L33/20 | 分類(lèi)號(hào)： | H01L33/20;H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京弘權(quán)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11363 | 代理人： | 逯長(zhǎng)明;占園 |
| 地址： | 223865 江蘇省*** | 國(guó)省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 基于 新型 圖形 襯底 led 芯片 及其 制造 方法 | ||
1.一種基于新型圖形化襯底的LED芯片，其特征在于，所述LED芯片包括：
氧化鋁氮氧化鋁圖形化襯底、緩沖層和LED結(jié)構(gòu)層，其中所述緩沖層外延生長(zhǎng)在氧化鋁氮氧化鋁圖形化襯底上，所述LED結(jié)構(gòu)層外延生長(zhǎng)在緩沖層上；
所述氧化鋁氮氧化鋁圖形化襯底包括：氧化鋁層和氮氧化鋁圖形層；
所述緩沖層包括：氮化鋁層和氮氧化硅層；
所述氧化鋁氮氧化鋁圖形化襯底中的氧化鋁層由所述氧化鋁氮氧化鋁圖形化襯底中的所述氮氧化鋁層覆蓋；
所述緩沖層覆蓋在所述氧化鋁氮氧化鋁圖形化襯底上，所述LED結(jié)構(gòu)層覆蓋在所述緩沖層上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于新型圖形化襯底的LED芯片，其特征在于，所述氮氧化鋁圖形層包括：
與所述氧化鋁層直接連接的膜層，所述膜層厚度為0um-0.1um；
位于膜層上方的若干個(gè)圖形，所述圖形的底座寬度為2.0um-3.0um，所述圖形的高度為1.0um-2.9um，所述圖形之間間隔距離為0um-1.0um。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于新型圖形化襯底的LED芯片，其特征在于，所述緩沖層中的氮化鋁層的厚度為100-250A，所述緩沖層中的氮氧化硅層的厚度為100-300A。
4.一種基于新型圖形化襯底的LED芯片的制造方法，其特征在于，所述制造方法用于權(quán)利要求1至3任意一項(xiàng)LED芯片，所述制造方法包括：
將氧化鋁襯底放入溫度反應(yīng)室，制備表面具有過(guò)渡層的第一氧化鋁襯底；
將所述第一氧化鋁襯底多次放入溫度反應(yīng)室，制備氧化鋁氮氧化鋁圖形化襯底；
將所述氧化鋁氮氧化鋁圖形化襯底放入物理氣相沉積設(shè)備中，通過(guò)物理氣相沉積外延生長(zhǎng)氮化鋁層，得到第一襯底；
將所述第一襯底放入金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉積設(shè)備中，通過(guò)金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉積外延生長(zhǎng)氮氧化硅層，得到第二襯底；
在所述第二襯底上外延生長(zhǎng)LED結(jié)構(gòu)層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種基于新型圖形化襯底的LED芯片的制造方法，其特征在于，所述制備表面具有過(guò)渡層的第一氧化鋁襯底的步驟包括：
調(diào)節(jié)所述溫度反應(yīng)室中的靶基距；
在保持恒定濺射功率的前提下，依次通入氮?dú)狻鍤夂脱鯕猓?/p>
得到第一氧化鋁襯底。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種基于新型圖形化襯底的LED芯片的制造方法，其特征在于，所述制備氧化鋁氮氧化鋁圖形化襯底的步驟包括：
調(diào)節(jié)所述溫度反應(yīng)室中的靶基距；
在保持恒定濺射功率的前提下，依次通入氮?dú)狻鍤夂脱鯕猓?/p>
多次重復(fù)上述步驟；
得到氧化鋁氮氧化鋁圖形化襯底。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種基于新型圖形化襯底的LED芯片的制造方法，其特征在于，所述將所述氧化鋁氮氧化鋁圖形化襯底放入物理氣相沉積設(shè)備中，通過(guò)物理氣相沉積外延生長(zhǎng)氮化鋁層，得到第一襯底的步驟包括：
物理氣相沉積設(shè)備腔中，在氮?dú)夥諊校捎脷鍤廪Z擊鋁靶材通過(guò)磁控濺射在氧化鋁氮氧化鋁圖形化襯底基板表面，通入氧氣，反應(yīng)得到氮化鋁薄膜外延生長(zhǎng)在氧化鋁氮氧化鋁圖形化襯底上；
停止通入氧氣，得到第一襯底。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種基于新型圖形化襯底的LED芯片的制造方法，其特征在于，物理氣相沉積設(shè)備濺射功率設(shè)定范圍為3000-4500W，濺射溫度設(shè)定范圍為500-650℃；通入氧氣的流量為2sccm-6sccm，通入氧氣的時(shí)間為物理氣相沉積外延生長(zhǎng)整體時(shí)間的30％-60％。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L33-00 至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的專(zhuān)門(mén)適用于光發(fā)射的半導(dǎo)體器件；專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或設(shè)備；這些半導(dǎo)體器件的零部件
H01L33-02 .以半導(dǎo)體為特征的
H01L33-36 .以電極為特征的
H01L33-44 .以涂層為特征的，例如鈍化層或防反射涂層
H01L33-48 .以半導(dǎo)體封裝體為特征的
H01L33-50 ..波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件
