[發明專利]芯片精度測試平臺、單電流測試方法及芯片精度測試方法

在審

• 申請號: 202211415067.2
• 申請日: 2022-11-11
• 公開（公告）號: CN116184290A
• 公開（公告）日: 2023-05-30
• 發明（設計）人: 劉海洋
• 申請（專利權）人: 上海興感半導體有限公司
• 主分類號: G01R35/00
• 分類號: G01R35/00
• 代理公司: 北京華進京聯知識產權代理有限公司 11606
• 代理人: 吳迪

1.一種芯片精度測試平臺，用于測試芯片及芯片陣列，其特征在于，包括：

電流源，所述電流源能夠與所述芯片連接，用于向所述芯片提供電流；

電壓源，所述電壓源能夠與所述芯片連接，用于向所述芯片提供電源電壓；溫箱，所述溫箱內設置待測的芯片，所述溫箱溫度可調以改變所述芯片的環境溫度，用于實現所述芯片的環境溫度調節；

數據采集裝置，用于選擇性的采集所述芯片的輸出信號；

工控機，所述工控機用于控制所述電流源、所述電壓源、所述溫箱、以及所述數據采集裝置。

2.根據權利要求1所述的芯片精度測試平臺，其特征在于，所述數據采集裝置包括多路開關和數據讀取記錄單元，所述多路開關用于分時選通所述芯片的輸出信號，所述數據讀取記錄單元用于讀取和記錄所述芯片的輸出信號。

3.一種單電流測試方法，其特征在于，包括如下步驟：

(a)設置芯片為預定溫度；

(b)將電壓源設定為設定值，向芯片提供電源電壓；

(c)讀取電壓源的實際輸出值；

(d)將所述實際輸出值與所述設定值對比，若偏差值小于或等于許可偏差值，則使電流源按給定原邊電流值向芯片提供電流_，電壓源持續工作；

(e)等待設定時間，至電流源輸出的電流穩定；

(f)多次讀取芯片的輸出電壓值，并獲得多個所述輸出電壓值的平均值；

(g)設置多個預定溫度循環進行步驟(a)～(f)測試；

(h)將相同預定溫度下得到的芯片的輸出電壓值的平均值再次取平均值，作為該預定溫度下的芯片的輸出電壓值的標準值。

4.根據權利要求3所述的單電流測試方法，其特征在于，將所述實際輸出值與所述設定值對比，若偏差值大于許可偏差值，則通過調整電壓源參數改變電壓源的實際輸出值，使偏差值小于或等于許可偏差值。

5.根據權利要求3所述的單電流測試方法，其特征在于，設置芯片為預定溫度的步驟包括：

提供預設溫度；

測量所述芯片的實際溫度，若所述芯片的實際溫度為所述預設溫度，則執行步驟(b)。

6.根據權利要求3所述的單電流測試方法，其特征在于，多個預定溫度按照如下方式循環：室溫、第一升溫區域、第一降溫區域、室溫、第二降溫區域、第二升溫區域、室溫；所述預定溫度第三次設置為室溫的測試完畢后，循環測試結束。

7.根據權利要求3所述的單電流測試方法，其特征在于，所述許可偏差值小于或等于5mV。

8.根據權利要求3所述的單電流測試方法，其特征在于，所述設定時間大于或等于10ms。

9.一種芯片精度測試方法，其特征在于，包括如下步驟：

提供給定原邊電流值，采用權利要求3-8任意一項所述的單電流測試方法，獲得所述給定原邊電流值對應的芯片輸出電壓值的標準值；

所述給定原邊電流值采用-IP、-IP/2、0、IP/2、IP依次執行單電流測試，完成全自動測試流程，其中，IP為原邊電流值；

從測試數據中提取理想輸出電壓值、實際輸出電壓值、傳感系數、以及原邊電流值，運算并得出總精度誤差。