[發(fā)明專利]車用功率模塊及應(yīng)用車用功率模塊的車輛在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202211412224.4 | 申請日: | 2022-11-11 |
| 公開(公告)號: | CN115692401A | 公開(公告)日: | 2023-02-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 劉志強;鐘華;趙慧超;文彥東;劉佳男;劉璇;王忠禹;潘彥全;陶冶 | 申請(專利權(quán))人: | 中國第一汽車股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L25/18 | 分類號: | H01L25/18;H01L23/367;H01L23/495;H02M1/00 |
| 代理公司: | 北京翔宇專利代理事務(wù)所(普通合伙) 11960 | 代理人: | 白海佳 |
| 地址: | 130011 吉林省長*** | 國省代碼: | 吉林;22 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用功 模塊 應(yīng)用 車輛 | ||
1.一種車用功率模塊,其特征在于,包括:
至少兩個半橋電路組件,每個所述半橋電路組件包括兩組相同結(jié)構(gòu)的電路結(jié)構(gòu),每組所述電路結(jié)構(gòu)包括并排設(shè)置的IGBT芯片模組和二極管芯片模組;
所述半橋電路組件之間的布設(shè)方向分別與兩組電路結(jié)構(gòu)的布設(shè)方向以及IGBT芯片和二極管芯片的布設(shè)方向垂直,所述兩組電路結(jié)構(gòu)的布設(shè)方向與所述IGBT芯片和二極管芯片的布設(shè)方向垂直。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的車用功率模塊,其特征在于,所述半橋電路組件之間通過第一過渡導(dǎo)電體連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的車用功率模塊,其特征在于,還包括設(shè)置在電路結(jié)構(gòu)上的第一散熱基板和設(shè)置在所述電路結(jié)構(gòu)下第二散熱基板;
所述電路結(jié)構(gòu)與所述第一散熱基板之間還設(shè)置有第一絕緣襯板,所述電路結(jié)構(gòu)與所述第二散熱基板之間還設(shè)置有第二絕緣襯板;
所述第一散熱基板和所述第一絕緣襯板之間通過第一釬焊層連接,所述第二散熱基板和所述第二絕緣襯板之間通過第二釬焊層連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的車用功率模塊,其特征在于,所述第一絕緣襯板和所述第二絕緣襯板的結(jié)構(gòu)相同,均包括絕緣層和設(shè)置在所述絕緣層外的金屬層,所述金屬層為銅層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的車用功率模塊,其特征在于,
所述IGBT芯片模組包括IGBT芯片本體和設(shè)置在所述IGBT芯片本體上下表面的第三釬焊層;
所述二極管芯片模組包括二極管芯片本體和設(shè)置在所述二極管芯片本體上下表面的第四釬焊層;
設(shè)定所述電路結(jié)構(gòu)為第一電路結(jié)構(gòu)和第二電路結(jié)構(gòu);
所述第一電路結(jié)構(gòu)中的IGBT芯片模組與第二電路結(jié)構(gòu)中的IGBT芯片模組通過第二過渡導(dǎo)電體連接,第一電路結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述第二電路結(jié)構(gòu)的上層,所述第一電路結(jié)構(gòu)的IGBT芯片模組通過第三過渡導(dǎo)電體與第一絕緣襯板的金屬層連接,第二電路結(jié)構(gòu)中的IGBT芯片模組與第二絕緣襯板的金屬層連接;
所述第一電路結(jié)構(gòu)中的二極管芯片模組與第二電路結(jié)構(gòu)中的二極管芯片模組通過第四過渡導(dǎo)電體連接,所述第一電路結(jié)構(gòu)的二極管芯片模組通過第五過渡導(dǎo)電體與第一絕緣襯板的金屬層連接,第二電路結(jié)構(gòu)中的二極管芯片模組與第二絕緣襯板的金屬層連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的車用功率模塊,其特征在于,
還包括有第一引線架組和第二引線架組,所述第一引線架組為所述IGBT芯片本體服務(wù),所述第二引線架組為所述二極管芯片本體服務(wù),所述第一引線架組用以實現(xiàn)所述IGBT芯片本體與所述金屬層的連接,所述第二引線架組用以實現(xiàn)所述二極管芯片本體預(yù)金屬層之間的連接;
所述IGBT芯片本體包括發(fā)射極、柵極和集電極,所述二極管芯片本體包括陰極和陽極;
所述第一引線架組包括發(fā)射極引線架和柵極引線架,所述集電極通過與其連接的釬焊層與第二絕緣襯板的金屬層連接,所述發(fā)射極通過與其連接的釬焊層與所述發(fā)射極引線架連接,所述柵極通過與其連接的釬焊層與所述柵極引線架連接,所述柵極引線架與金屬層連接;
所述第二引線架組為陰極引線架,所述陰極通過與其連接的釬焊層與第二絕緣板的金屬層連接,所述陽極通過與其連接的釬焊層與所述陰極引線架連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的車用功率模塊,其特征在于,所述第二絕緣襯板的金屬層的信號引線通過信號端子引出。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的車用功率模塊,其特征在于,所述第一散熱基板和所述第二散熱基板通過PinFin散熱結(jié)構(gòu)進行散熱,所述PinFin散熱結(jié)構(gòu)的形狀包括圓形、橢圓形或菱形。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的車用功率模塊,其特征在于,
所述第一釬焊層、第二釬焊層、第三釬焊層和第四釬焊層采用錫層、銀層或銅層,當(dāng)采用錫層是通過錫焊工藝實現(xiàn)連接,當(dāng)采用銀層或銅層時,采用銀/銅燒結(jié)工藝實現(xiàn)連接。
10.一種應(yīng)用如權(quán)利要求1-9任一項所述的車用功率模塊的車輛,其特征在于,包括車用功率模塊,所述車用功率模塊包括:至少兩個半橋電路組件,每個所述半橋電路組件包括兩組相同結(jié)構(gòu)的電路結(jié)構(gòu),每組所述電路結(jié)構(gòu)包括并排設(shè)置的IGBT芯片模組和二極管芯片模組;
所述半橋電路組件之間的布設(shè)方向分別與兩組電路結(jié)構(gòu)的布設(shè)方向以及IGBT芯片和二極管芯片的布設(shè)方向垂直,所述兩組電路結(jié)構(gòu)的布設(shè)方向與所述IGBT芯片和二極管芯片的布設(shè)方向垂直。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L25-00 由多個單個半導(dǎo)體或其他固態(tài)器件組成的組裝件
H01L25-03 .所有包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中同一小組內(nèi)的相同類型的器件,例如整流二極管的組裝件
H01L25-16 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個或多個不同大組內(nèi)的類型的器件,例如構(gòu)成混合電路的
H01L25-18 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個或多個同一大組的不同小組內(nèi)的類型的器件
H01L25-04 ..不具有單獨容器的器件
H01L25-10 ..具有單獨容器的器件
- 在線應(yīng)用平臺上應(yīng)用間通信的回調(diào)應(yīng)答方法、應(yīng)用及在線應(yīng)用平臺
- 應(yīng)用使用方法、應(yīng)用使用裝置及相應(yīng)的應(yīng)用終端
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