[發明專利]使用掩埋式熱軌線的背側散熱

在審

• 申請號: 202211404740.2
• 申請日: 2022-11-10
• 公開（公告）號: CN116264197A
• 公開（公告）日: 2023-06-16
• 發明（設計）人: R·蓋格爾;G·帕納格波羅斯;J·X·勞;H·格斯納
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: H01L23/367
• 分類號: H01L23/367;H01L23/48;H01L27/088
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 舒雄文

1.一種集成電路(IC)器件，包括：

一個或多個晶體管的第一半導體結構和第二半導體結構；

包括導電材料的層，所述層耦合到所述第一半導體結構和所述第二半導體結構；

包括導熱材料的板；以及

軌線，通過過孔耦合到所述層并通過穿襯底過孔耦合到所述板，

其中，所述軌線在所述第一半導體結構和所述第二半導體結構與所述板之間。

2.根據權利要求1所述的IC器件，還包括支撐結構，所述支撐結構包括半導體材料并且至少部分地鄰接所述板，其中，所述穿襯底過孔和所述軌線在所述支撐結構中。

3.根據權利要求2所述的IC器件，其中，所述板的一部分鄰接所述支撐結構，并且所述板的另一部分不鄰接所述支撐結構。

4.根據權利要求1-3中任一項所述的IC器件，其中，所述穿襯底過孔的表面鄰接所述軌線的表面，并且所述穿襯底過孔的所述表面具有大于所述軌線的所述表面的面積。

5.根據權利要求1-3中任一項所述的IC器件，其中：

所述軌線是耦合到所述第一半導體結構和所述第二半導體結構的電力軌線；

所述板包括第一部分和第二部分；

所述第一部分與所述第二部分電絕緣；并且

所述軌線通過所述穿襯底過孔耦合到所述板的所述第一部分。

6.根據權利要求5所述的IC器件，其中，所述軌線為第一軌線，所述過孔為第一過孔，并且所述穿襯底過孔為第一穿襯底過孔，所述IC器件還包括：

耦合到所述層的第三半導體結構和第四半導體結構；以及

第二軌線，通過第二穿襯底過孔耦合到所述板的所述第二部分并且通過第二過孔耦合到所述層，其中，所述第二軌線在所述第三半導體結構與第四半導體結構之間。

7.根據權利要求1-3中任一項所述的IC器件，其中：

所述第一半導體結構和所述第二半導體結構在所述IC器件的第一單元中；

所述板的至少一部分在所述IC器件的第二單元中；并且

所述第二單元與所述第一單元相鄰。

8.根據權利要求7所述的IC器件，其中，所述第二單元是填充單元。

9.根據權利要求1-3中任一項所述的IC器件，其中，所述第一半導體結構和所述第二半導體結構與所述板處于所述IC器件的同一單元中。

10.根據權利要求1-3中任一項所述的IC器件，其中，所述層是第一層并且所述導電材料是第一導電材料，還包括包含第二導電材料的第二層，其中，所述第一層在所述第二層與所述軌線之間。

11.一種集成電路(IC)器件，包括：

一個或多個晶體管的多個半導體結構；

包括導電材料的層，所述層耦合到所述多個半導體結構；

包括導熱材料的板；以及

多個軌線，通過多個穿襯底過孔耦合到所述板，所述軌線中的各個軌線存在于所述多個半導體結構的兩個相鄰半導體結構之間。

12.根據權利要求11所述的IC器件，還包括在所述層和所述板之間的支撐結構，所述支撐結構包括所述多個半導體結構的半導體材料。

13.根據權利要求12所述的IC器件，其中，所述多個穿襯底過孔和所述多個軌線在所述支撐結構中。

14.根據權利要求11-13中任一項所述的IC器件，其中，所述多個軌線中的軌線通過過孔耦合到所述層。

15.根據權利要求11-13中任一項所述的IC器件，其中，所述軌線在所述過孔與所述多個穿襯底過孔之間。