[發明專利]一種基板制作方法、嵌埋基板以及半導體

在審

• 申請號: 202211389985.2
• 申請日: 2022-11-08
• 公開（公告）號: CN115732332A
• 公開（公告）日: 2023-03-03
• 發明（設計）人: 陳先明;黃高;林文健;洪業杰;黃本霞;黃聚塵
• 申請（專利權）人: 珠海越亞半導體股份有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L23/14;H01L23/13;H01L23/498;H01L23/538
• 代理公司: 廣州嘉權專利商標事務所有限公司 44205
• 代理人: 葉恩華

1.一種基板制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

制作第一半成品基板；所述第一半成品基板包括相互導通的若干個第一線路層以及至少一層第一介質層；所述第一線路層與所述第一介質層交錯疊層設置；所述第一線路層的數量a與所述第一介質層的數量b滿足關系式a＝b+1，a≥2；

在所述第一線路層上設置粘性材料層，形成器件裝貼區；所述粘性材料層垂直于基板方向的投影面積小于器件垂直于基板方向的投影面積；

在所述器件裝貼區上貼裝嵌埋器件；所述嵌埋器件的引腳面遠離所述粘性材料層設置；

在所述第一線路層上壓合第二介質層；所述第二介質層覆蓋所述粘性材料層以及所述嵌埋器件；

制作第一導通柱、第二導通柱以及第二線路層；所述第一導通柱貫穿所述第二介質層；所述第一導通柱用于連接所述第二線路層以及所述第一線路層；所述第二導通柱用于連接所述嵌埋器件以及所述第二線路層。

2.根據權利要求1所述一種基板制作方法，其特征在于，所述在所述第一線路層上設置粘性材料層，形成器件裝貼區這一步驟，具體包括：

在所述第一線路層上設置PID材料層或者在所述第一線路層上設置DAF材料層，形成器件裝貼區。

3.根據權利要求2所述一種基板制作方法，其特征在于，所述在所述第一線路層設置PID材料層這一步驟，包括：

在所述第一線路層上設置PID材料層；所述PID材料層覆蓋所述第一線路層；

對所述PID材料層進行光刻工藝，形成器件裝貼區。

4.根據權利要求1所述一種基板制作方法，其特征在于，所述制作第一導通柱、第二導通柱以及第三線路層這一步驟，具體包括：

對所述第二介質層鉆孔，形成第一導通孔以及第二導通孔，使所述第一線路層外露以及所述嵌埋器件的引腳外露；

對所述第一導通孔以及所述第二導通孔進行填孔電鍍，得到第一導通柱、第二導通柱以及第二種子層；所述第二種子層形成于所述第二介質層上；

對所述第二種子層進行光刻工藝，得到第二線路層。

5.根據權利要求2所述一種基板制作方法，其特征在于，所述在所述第一線路層上設置PID材料層或者在所述第一線路層上設置DAF材料層具體包括：在所述第一線路層上壓合PID材料層或者在所述第一線路層的預設位置涂覆DAF材料。

6.根據權利要求1所述一種基板制作方法，其特征在于，所述制作第一半成品基板這一步驟，具體包括：

在第N層金屬層表面壓合第N個介質層，并在所述第N個介質層上設置第N+1層金屬層；對所述第N層金屬層光刻，以及對所述第N+1層金屬層光刻形成N+1個第一線路層；所述N+1個第一線路層通過導通柱相互連通，其中N≥1。

7.一種嵌埋基板，其特征在于，由上述權利要求1-6任一項所述的基板制作方法制備而成,包括：

半成品基板，所述半成品基板包括相互導通的若干個第一線路層以及至少一層第一介質層；所述第一線路層與所述第一介質層交錯疊層設置；所述第一線路層的數量a與所述第一介質層的數量b滿足關系式a＝b+1，a≥2；

粘性材料層，設置于所述嵌埋器件以及半成品基板之間；

嵌埋器件，所述嵌埋器件的引腳面遠離所述半成品基板的第一線路層設置；

第二線路層，與所述嵌埋器件以及所述半成品基板的第一線路層連接；

第二介質層，設置于所述半成品基板以及第二線路層之間，覆蓋所述嵌埋器件。

8.根據權利要求7所述一種嵌埋基板，其特征在于，所述嵌埋器件包括有源器件以及無源器件。

9.根據權利要求7所述一種嵌埋基板，其特征在于，所述粘性材料層包括PID材料層或者DAF材料層。

10.一種半導體，其特征在于，包括至少一個上述權利要求7-9所述的嵌埋基板。