[發明專利]一種玻璃基板的通孔高深度電鍍銅液及其電鍍銅工藝

有效

• 申請號: 202211386859.1
• 申請日: 2022-11-07
• 公開（公告）號: CN115418686B
• 公開（公告）日: 2023-01-10
• 發明（設計）人: 洪學平;姚吉豪
• 申請（專利權）人: 深圳創智芯聯科技股份有限公司
• 主分類號: C25D3/38
• 分類號: C25D3/38;C25D5/02;C25D5/54
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種玻璃基板的通孔高深度電鍍銅液，其特征在于，包括以下質量濃度的組分：硫酸銅60-100g/L、濃硫酸200g/L、氯離子40-80mg/L、復合光亮劑30-90mg/L、復合整平劑20-90mg/L、界面活性劑15-45mg/L、橋聯劑20-60mg/L、穩定劑30-90mg/L，余量為純水；

操作溫度25-35℃

電流密度為0.2-7.5A/dm²

該復合光亮劑為1-甲基-3-正辛基咪唑雙(三氟甲磺酰)亞胺和1-丁基-3-甲基咪唑雙三氟甲磺酰亞胺鹽組合而成的組合物，兩者在使用時的質量濃度比為1:2，1-甲基-3-正辛基咪唑雙(三氟甲磺酰)亞胺為10-30mg/L，1-丁基-3-甲基咪唑雙三氟甲磺酰亞胺鹽20-60mg/L；

該復合整平劑由8-（4-氯苯硫基）鳥苷3'，5'-環一磷酸三乙銨鹽和2-甲基硫代腺苷5'-單磷酸三乙銨鹽組合而成，兩者在使用時的質量濃度比為1:1至1:2，8-（4-氯苯硫基）鳥苷3'，5'-環一磷酸三乙銨鹽為10-30mg/L，2-甲基硫代腺苷5'-單磷酸三乙銨鹽為10-60mg/L；

該橋聯劑為咪唑并[2,1-b]噻唑-5-羧酸，咪唑并[2,1-b]噻唑-6-甲酸，咪唑并[2,1-b]噻唑-2-羧酸中的一種或幾種；所述界面活性劑為月桂醇磷酸酯；

所述穩定劑為3-吲哚甲醇，所述氯離子由鹽酸提供。

2.一種玻璃基板的通孔高深度的電鍍銅工藝，其特征在于，包括以下具體步驟：

步驟1，鍍件先后依次進行氫氟酸微蝕1-2min、純水清洗后、除油1-2min、清洗，超聲清洗；

步驟2，夾具上干膜，在夾鍍件的夾具上一層干膜起到隔絕作用；

步驟3，將貼膜后的夾具進行曝光固化；

步驟4，超聲清洗完的鍍件再用夾具夾好后進入活化槽，使之吸附一層活化鈀，活化時間1-2min，再進入純水水洗槽；

步驟5，再單獨將夾具放入堿洗槽進行退干膜處理，水洗后再用10%體積濃度硝酸浸泡2min，純水水洗干凈，再返回夾好鍍件進入化學沉銅；

步驟6，正式電鍍銅，經過化學沉銅后的鍍件進入電鍍銅槽進行電鍍銅，電鍍銅所使用的電鍍銅液為權利要求1所述的電鍍銅液。

3.根據權利要求2所述的一種玻璃基板的通孔高深度的電鍍銅工藝，其特征在于，所述步驟2的具體條件是：預熱溫度80-100℃，貼膜前板面溫度為40-60℃，壓轆設定溫度為110-120℃，貼膜壓力為3-5kgf/cm²，貼膜速度為1.5-2.5m/min，貼膜后靜置時間為15min-24H。

4.根據權利要求2所述的一種玻璃基板的通孔高深度的電鍍銅工藝，其特征在于，所述步驟3的具體條件是：曝光能量均勻性大于90%，環境濕度90%以上，曝光能級17。

5.根據權利要求2所述的一種玻璃基板的通孔高深度的電鍍銅工藝，其特征在于，所述步驟5退干膜的具體條件是：氫氧化鈉的質量濃度為2-3%，溫度為45-55℃，貼膜壓力為2-3kgf/cm²。

6.根據權利要求2所述的一種玻璃基板的通孔高深度的電鍍銅工藝，其特征在于，所述步驟5的化學沉銅的具體條件是：溫度65-75℃，時間30-60min，化學沉銅的鍍液成分包括硫酸銅1.5-2.5g/L、質量分數37%的甲醛5-10mL/L、氫氧化鈉0.1g/L、EDTA-4Na 2.5-45g/L、2-肼吡啶0.1-0.5g/L、吡啶-3,5-二羧酸0.1-0.5g/L。