[發明專利]一種旋轉蒸鍍與磁控濺射復合型制靶裝置

在審

• 申請號: 202211383530.X
• 申請日: 2022-11-07
• 公開（公告）號: CN115725939A
• 公開（公告）日: 2023-03-03
• 發明（設計）人: 李云居
• 申請（專利權）人: 中國原子能科學研究院
• 主分類號: C23C14/24
• 分類號: C23C14/24;C23C14/35
• 代理公司: 北京天悅專利代理事務所(普通合伙) 11311
• 代理人: 田明;任曉航

1.一種旋轉蒸鍍與磁控濺射復合型制靶裝置，其特征在于：所述裝置包括真空靶室、旋轉靶盤、磁控濺射源、蒸鍍坩堝以及蒸鍍電極，所述旋轉靶盤、所述磁控濺射源、所述蒸鍍坩堝以及所述蒸鍍電極均設置于所述真空靶室中，所述蒸鍍坩堝與所述旋轉靶盤間隔一定距離，所述蒸鍍坩堝設置于所述蒸鍍電極之間，所述蒸鍍電極與所述真空靶室絕緣密封，穿過所述真空靶室與所述真空靶室外的蒸鍍電源相連，給所述蒸鍍電極供電加熱所述蒸鍍電極間的蒸鍍坩堝以進行蒸鍍制靶，所述磁控濺射源設置于所述旋轉靶盤一側，所述磁控濺射源與所述真空靶室絕緣密封，穿過所述真空靶室與所述真空靶室外的濺射電源相連，所述真空靶室預留氬氣充氣孔以向所述真空靶室充入高純氬氣進行保護，在真空靶室蓋板上設置手套箱，以在制靶完成后在氬氣氛圍中對反應靶進行封裝。

2.如權利要求1所述的一種旋轉蒸鍍與磁控濺射復合型制靶裝置，其特征在于：所述裝置還包括步進電機、磁流體密封部件、旋轉軸、靶架、磁控濺射源蓋板，所述步進電機設置于所述真空靶室外側，所述旋轉軸、所述靶架、所述磁控濺射源蓋板均設置于所述真空靶室內側，所述旋轉靶盤設置于所述靶架上，所述旋轉軸的兩端分別連接所述步進電機與所述靶架，所述步進電機與所述真空靶室之間通過所述磁流體密封部件進行旋轉密封。

3.如權利要求2所述的一種旋轉蒸鍍與磁控濺射復合型制靶裝置，其特征在于：所述步進電機帶動所述旋轉軸以控制所述靶架的位置并進行旋轉。

4.如權利要求2所述的一種旋轉蒸鍍與磁控濺射復合型制靶裝置，其特征在于：進行蒸鍍制靶時控制所述磁控濺射源蓋板封上所述磁控濺射源。

5.如權利要求4所述的一種旋轉蒸鍍與磁控濺射復合型制靶裝置，其特征在于：所述裝置還包括分子泵、插板閥、真空計探頭、膜厚儀、手套閥、控制板、濺射流氣單元、膜厚儀表頭、工控箱、真空計表頭、蒸鍍電源以及配電箱，所述真空計探頭以及所述膜厚儀均設置于所述真空靶室中，所述控制板、所述濺射流氣單元、所述膜厚儀表頭、所述工控箱、所述真空計表頭以及所述配電箱均設置于所述真空靶室外，所述分子泵與所述真空靶室相連，用于對所述真空靶室抽真空；在所述分子泵與所述真空靶室之間設置插板閥，所述插板閥用于開關分子泵或控制所述分子泵的抽氣速度；在所述手套箱上設置手套閥，所述手套閥位于所述真空靶室外側。

6.如權利要求5所述的一種旋轉蒸鍍與磁控濺射復合型制靶裝置，其特征在于：在所述裝置上設置至少兩個真空計探頭，所述真空計探頭用于監測低真空與高真空信號，所述真空計表頭設置于所述真空靶室外部，用于實時顯示所述真空計探頭監測的真空度。

7.如權利要求6所述的一種旋轉蒸鍍與磁控濺射復合型制靶裝置，其特征在于：所述真空計探頭設置于所述真空靶室內部或者所述分子泵所在管路中。

8.如權利要求7所述的一種旋轉蒸鍍與磁控濺射復合型制靶裝置，其特征在于：在所述旋轉靶盤上設置膜厚儀探頭，所述膜厚儀探頭用于監測鍍層厚度，所述膜厚儀表頭設置于所述真空靶室外側，用于實時顯示所述膜厚儀探頭監測的鍍層厚度。

9.如權利要求8所述的一種旋轉蒸鍍與磁控濺射復合型制靶裝置，其特征在于：所述控制板用于控制所述蒸鍍電源、所述濺射電源、所述濺射流氣單元、所述插板閥的所有電控操作單元，所述濺射流氣單元包括磁控濺射流量計，所述磁控濺射流量計用于控制濺射時氬氣的充氣速度進而控制濺射時的氣壓。

10.如權利要求9所述的一種旋轉蒸鍍與磁控濺射復合型制靶裝置，其特征在于：所述工控箱內部為所有電控單元的控制電路，所述配電箱用于向總電路供電并確保線路保險。