[發明專利]測試結構及測試方法

在審

• 申請號: 202211375673.6
• 申請日: 2022-11-04
• 公開（公告）號: CN115831929A
• 公開（公告）日: 2023-03-21
• 發明（設計）人: 劉倩倩;宋永梁
• 申請（專利權）人: 上海積塔半導體有限公司
• 主分類號: H01L23/544
• 分類號: H01L23/544;H01L21/66
• 代理公司: 華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 史治法

1.一種測試結構，其特征在于，包括：

第一焊盤；

第二焊盤，與所述第一焊盤具有間距；

第三焊盤，與所述第一焊盤和所述第二焊盤均具有間距；

導電結構，一端與所述第一焊盤相連接，另一端與所述第三焊盤相連接；

電容結構，一端與所述第二焊盤相連接，另一端連接于所述第三焊盤與所述導電結構之間。

2.根據權利要求1所述的測試結構，其特征在于，所述第三焊盤外接電壓測試裝置，所述電壓測試裝置包括示波器或者電壓表。

3.根據權利要求1所述的測試結構，其特征在于，所述電容結構包括多個電容，各所述電容均包括第一極板和第二極板，各所述電容的第一極板均與所述第二焊盤相連接，各所述電容的第二極板均連接于所述導電結構與所述第三焊盤之間。

4.根據權利要求1-3中任一項所述的測試結構，其特征在于，所述導電結構包括金屬互連線。

5.根據權利要求4所述的測試結構，其特征在于，所述金屬互連線呈蛇形延伸。

6.根據權利要求5所述的測試結構，其特征在于，所述金屬互連線包括位于頂層的多個第一金屬互連線以及位于底層的多個第二金屬互連線，所述第一金屬互連線與所述第二金屬互連線交替排布，所述第一金屬互連線與相鄰的所述第二金屬互連線相連接。

7.一種測試方法，其特征在于，所述方法應用于權利要求1-6中任一項所述的測試結構，所述方法包括：

獲取所述電容結構的電容值、初始電壓值以及最大電壓值；

令所述電容結構進行放電，在放電過程中，通過所述電壓測試裝置獲取所述電容結構隨測試時間變化的測試電壓值；

根據所述測試時間、所述測試電壓值、所述電容值、所述初始電壓值以及所述最大電壓值得到所述導電結構的電阻值。

8.根據權利要求7所述的測試方法，其特征在于，所述根據所述測試時間、所述測試電壓值、所述初始電壓值以及所述最大電壓值得到所述導電結構的電阻值，包括：

設所述測試時間為t，所述測試電壓值為Vt，所述電容值為C，所述初始電壓值為V0，所述最大電壓值為V1，所述導電結構的電阻值為R，則根據公式：Vt＝V0+(V1-V0)×[1-e^(-t/RC)]，得到所述導電結構的電阻值。

9.根據權利要求7所述的測試方法，其特征在于，令所述電容結構進行放電之前，還包括：

將所述第二焊盤外接測試電壓端口，以使所述第二焊盤的電位保持為高電位，并將所述第一焊盤接地，以對所述電容結構進行充電。

10.根據權利要求9所述的測試方法，其特征在于，所述令所述電容結構進行放電，包括：

通過所述測試電壓端口將所述第二焊盤的電位由所述高電位切換為零電位，以使所述電容結構進行放電。