[發(fā)明專利]一種快速導(dǎo)通的高壓驅(qū)動(dòng)半橋電路

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202211348845.0
• 申請(qǐng)日: 2022-10-31
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN115632553A
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-01-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 韓方;楊曉萍;王俊峰;鄭東飛;楊昊澤;賀繼鵬;陳從僑
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 西安微電子技術(shù)研究所
• 主分類號(hào): H02M3/158
• 分類號(hào): H02M3/158;H02M1/088;H02M1/44
• 代理公司: 西安通大專利代理有限責(zé)任公司 61200
• 代理人: 崔方方

1.一種快速導(dǎo)通的高壓驅(qū)動(dòng)半橋電路，其特征在于，包括NMOS管驅(qū)動(dòng)電路、PMOS管驅(qū)動(dòng)電路和功率半橋驅(qū)動(dòng)電路；

所述NMOS管驅(qū)動(dòng)電路包括PMOS管T1、NMOS管T2和電阻R1；所述PMOS管驅(qū)動(dòng)電路包括NMOS管T3、NMOS管T5、NMOS管T8、PMOS管T6、PMOS管T7、J型場(chǎng)效應(yīng)管T4、二極管Z1和電阻R2；所述功率半橋電路包括PMOS管T7和NMOS管T8；

V_IN分別輸入到PMOS管T1、NMOS管T2和NMOS管T3的柵極，PMOS管T1的漏極通過(guò)電阻R1與NMOS管T2的漏極連接，PMOS管T1的源極接電源V₁，NMOS管T3的源極通過(guò)電阻R2接地，NMOS管T3的漏極連接J型場(chǎng)效應(yīng)管T4的源極，J型場(chǎng)效應(yīng)管T4的源極與柵極相連接，J型場(chǎng)效應(yīng)管T4的漏極連接至電源V₂，J型場(chǎng)效應(yīng)管T4的柵極分別與NMOS管T5、PMOS管T6的柵極相連，并經(jīng)由二極管Z1的陽(yáng)極連接到電源V₂；NMOS管T5的源極與PMOS管T6的源極相接后連接PMOS管T7的柵極，NMOS管T5漏極和PMOS管T7的源極連接到V₂，PMOS管T1的漏極輸入到NMOS管T8，NMOS管T2源極、PMOS管T6漏極和NMOS管T8的源極均連接到地；PMOS管T7的漏極與NMOS管T8的漏極相連，T7的漏極為高壓驅(qū)動(dòng)半橋電路的輸出V_O。

2.如權(quán)利要求1所述的一種快速導(dǎo)通的高壓驅(qū)動(dòng)半橋電路，其特征在于，所述電源V₁的電壓范圍為9V～15V，所述電源V₂的電壓范圍為15V～100V。

3.如權(quán)利要求1所述的一種快速導(dǎo)通的高壓驅(qū)動(dòng)半橋電路，其特征在于，所述PMOS管T1和NMOS管T2均為漏源耐壓電壓≥2V₁的MOSFET。

4.如權(quán)利要求1所述的一種快速導(dǎo)通的高壓驅(qū)動(dòng)半橋電路，其特征在于，所述NMOS管T3、NMOS管T5和NMOS管T8以及PMOS管T6、PMOS管T7均為漏源耐壓電壓≥2V₂的MOSFET。

5.如權(quán)利要求1所述的一種快速導(dǎo)通的高壓驅(qū)動(dòng)半橋電路，其特征在于，所述J型場(chǎng)效應(yīng)管T4為漏源耐壓電壓≥V₁的場(chǎng)效應(yīng)管。

6.如權(quán)利要求1所述的一種快速導(dǎo)通的高壓驅(qū)動(dòng)半橋電路，其特征在于，所述T1～T8均采用抗電離總劑量≥3×10³Gy(Si)器件。

7.如權(quán)利要求1所述的一種快速導(dǎo)通的高壓驅(qū)動(dòng)半橋電路，其特征在于，所述電阻R1和電阻R2的阻值范圍均為100Ω～500Ω。

8.如權(quán)利要求1所述的一種快速導(dǎo)通的高壓驅(qū)動(dòng)半橋電路，其特征在于，所述二極管Z1為穩(wěn)壓二極管，穩(wěn)壓值范圍為10V～18V。

9.如權(quán)利要求1所述的一種快速導(dǎo)通的高壓驅(qū)動(dòng)半橋電路，其特征在于，所述NMOS管T5采用NPN三極管替代，所述PMOS管T6采用PNP三極管替代。