[發(fā)明專利]經(jīng)由激光誘導石墨烯進行的碳同素異形體電熱加熱器的電阻調(diào)諧

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202211348428.6
• 申請日: 2022-10-31
• 公開（公告）號: CN116193643A
• 公開（公告）日: 2023-05-30
• 發(fā)明（設計）人: C·斯萊恩;G·C·博圖拉;趙文平
• 申請（專利權(quán)）人: 古德里奇公司
• 主分類號: H05B3/00
• 分類號: H05B3/00;H05B3/14
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 張婧晨;吳強

1.一種調(diào)諧激光誘導石墨烯加熱器的電阻的方法，所述方法包括：

形成碳基加熱元件；

確定要由所述碳基加熱元件制造的激光誘導石墨烯(LIG)加熱器的目標電阻；

確定提供所述目標電阻的目標LIG圖案；以及

基于所述目標LIG圖案將激光能量引導到所述碳基加熱元件上以形成至少一個LIG區(qū)，所述至少一個LIG區(qū)限定用于形成具有所述目標電阻的所述LIG加熱器的LIG圖案。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中形成所述至少一個LIG區(qū)減小所述碳基加熱元件的電阻。

3.如權(quán)利要求2所述的方法，其中形成所述碳基加熱元件包括用聚合物材料浸漬碳基前體。

4.如權(quán)利要求3所述的方法，其中所述碳基前體的接收所述激光能量的區(qū)被轉(zhuǎn)化成限定所述至少一個LIG區(qū)的LIG。

5.如權(quán)利要求4所述的方法，其中所述至少一個LIG區(qū)具有第一電阻，并且不包括所述LIG的區(qū)具有大于所述至少一個LIG區(qū)的第二電阻。

6.如權(quán)利要求4所述的方法，其中所述至少一個LIG區(qū)的第一部分包括第一量的LIG，并且所述LIG區(qū)的第二部分包括大于所述第一部分的第二量的LIG。

7.如權(quán)利要求6所述的方法，其中所述至少一個LIG區(qū)的所述第一部分具有由所述第一量的LIG限定的第一電阻，并且所述至少一個LIG區(qū)的所述第二部分具有由所述第二量的所述LIG限定的第二電阻，所述第二電阻大于所述第一電阻。

8.一種激光誘導石墨烯(LIG)加熱器，其包括：

碳基加熱元件，所述碳基加熱元件包括第一區(qū)和相對于所述第一區(qū)在所述碳基加熱元件的不同位置處的第二區(qū)；以及

LIG，所述LIG形成在所述第二區(qū)中使得所述第二區(qū)具有與所述第一區(qū)不同的電阻。

9.如權(quán)利要求8所述的LIG加熱器，其中所述第一區(qū)具有第一電阻，并且所述第二區(qū)具有由所述LIG限定的第二電阻，所述第二電阻小于所述第一電阻。

10.如權(quán)利要求8所述的LIG加熱器，其中所述第一區(qū)不包括所述LIG。

11.如權(quán)利要求10所述的LIG加熱器，其中所述碳基加熱元件包括多個所述第一區(qū)域和多個所述第二區(qū)。

12.如權(quán)利要求11所述的LIG加熱器，其中所述多個第一區(qū)和所述多個第二區(qū)從所述碳基加熱元件的一端跨越到所述碳基加熱元件的相對端具有交替布置。

13.如權(quán)利要求9所述的LIG加熱器，其中所述LIG形成在所述第一區(qū)和所述第二區(qū)兩者中。

14.如權(quán)利要求13所述的LIG加熱器，其中所述第一區(qū)包括第一量的所述LIG，并且所述第二區(qū)包括不同于所述第一量的第二量的所述LIG。

15.如權(quán)利要求14所述的LIG加熱器，其中所述第一量的所述LIG小于所述第二量的所述LIG。

16.如權(quán)利要求15所述的LIG加熱器，其中所述第一量的所述LIG限定所述第一電阻，并且所述第二量的所述LIG限定大于所述第一電阻的所述第二電阻。

17.如權(quán)利要求16所述的LIG加熱器，其中所述LIG被形成為限定從所述LIG之中所述第一量的所述LIG延伸到所述第二量的所述LIG的梯度圖案。

18.如權(quán)利要求8所述的LIG加熱器，其中所述碳基加熱元件包括用聚合物浸漬的碳基前體。