[發(fā)明專利]一種具有快速瞬態(tài)響應(yīng)的低壓差線性穩(wěn)壓器

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202211348077.9
• 申請日: 2022-10-31
• 公開（公告）號: CN115562423A
• 公開（公告）日: 2023-01-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李瑋鑫;劉斌;張志浩;章國豪
• 申請（專利權(quán)）人: 廣東工業(yè)大學(xué)
• 主分類號: G05F1/56
• 分類號: G05F1/56
• 代理公司: 廣州粵高專利商標代理有限公司 44102
• 代理人: 高棋

1.一種具有快速瞬態(tài)響應(yīng)的低壓差線性穩(wěn)壓器，包括誤差放大器EA、功率管以及反饋電路，其特征在于，還包括帶隙基準Bandgap以及瞬態(tài)增強電路Enhancement circuit；

所述瞬態(tài)增強電路Enhancement circuit為采用Class AB型結(jié)構(gòu)的快速瞬態(tài)響應(yīng)環(huán)路；所述功率管為MOS驅(qū)動管MP，所述MOS驅(qū)動管MP通過增加米勒電容進行環(huán)路補償，在所述瞬態(tài)增強電路Enhancement circuit中產(chǎn)生一個主極點；其中：

輸入電壓V_IN分別連接所述帶隙基準Bandgap的輸入端以及所述MOS驅(qū)動管MP的漏極；

所述帶隙基準Bandgap通過連接所述誤差放大器EA的反相輸入端向所述誤差放大器EA提供所述帶隙基準Bandgap產(chǎn)生的基準電壓V_REF；

所述誤差放大器EA的正相輸入端連接所述反饋電路，所述誤差放大器EA的輸出端連接所述MOS驅(qū)動管MP的柵極以及所述瞬態(tài)增強電路Enhancement circuit的一端；

所述瞬態(tài)增強電路Enhancement circuit的另一端連接所述反饋電路、所述MOS驅(qū)動管MP的源極以及輸出電壓V_OUT；所述反饋電路接地。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有快速瞬態(tài)響應(yīng)的低壓差線性穩(wěn)壓器，其特征在于，所述瞬態(tài)增強電路Enhancement circuit包括電容C₁、電容C₂、電容C₃、電容C₄、電阻R₃、電阻R₄、晶體管M₁₅、晶體管M₁₆、晶體管M₁₇、晶體管M₁₈、晶體管M₁₉、晶體管M₂₀、晶體管M₂₁以及晶體管M₂₂；其中：

所述電容C₁的一端連接輸出電壓V_OUT，另一端連接所述電阻R₃的一端以及所述晶體管M₁₅的柵極；所述晶體管M₁₅的集電極連接電壓V_DD，所述晶體管M₁₅的發(fā)射極連接所述電阻R₃的另一端、所述晶體管M₁₆的柵極以及晶體管M₁₈的集電極；所述晶體管M₁₆的集電極連接電壓V_DD，所述晶體管M₁₆的發(fā)射極連接所述MOS驅(qū)動管MP的柵極V_G以及所述晶體管M₂₂的集電極；

所述電容C₂的一端連接輸出電壓V_OUT，另一端連接所述晶體管M₁₇的柵極以及所述晶體管M₁₈的柵極；偏置電流源I_B連接所述晶體管M₁₇的集電極，所述晶體管M₁₇的發(fā)射極接地；所述晶體管M₁₈的發(fā)射極接地；

所述電容C₃的一端連接輸出電壓V_OUT，另一端連接所述晶體管M₁₉的柵極以及所述晶體管M₂₀的柵極；所述晶體管M₁₉的集電極接地，所述晶體管M₁₉的發(fā)射極連接偏置電流源I_B；所述晶體管M₂₀的集電極接地；

所述電容C₄的一端連接輸出電壓V_OUT，另一端連接所述電阻R₄的一端以及所述晶體管M₂₁的柵極；所述電阻R₄的另一端連接所述晶體管M₂₀的發(fā)射極、所述晶體管M₂₁的集電極以及所述晶體管M₂₂的柵極；所述晶體管M₂₁的發(fā)射極接地；所述晶體管M₂₂的發(fā)射極接地。