[發(fā)明專(zhuān)利]VF-TLP測(cè)試下SCR器件模型切換開(kāi)關(guān)控制方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202211332691.6
• 申請(qǐng)日: 2022-10-28
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN116520040A
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-08-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉繼芝;王德康;劉志偉
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 電子科技大學(xué)
• 主分類(lèi)號(hào): G01R31/00
• 分類(lèi)號(hào): G01R31/00;G01R31/28
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

1.一種VF-TLP測(cè)試下SCR器件模型的切換開(kāi)關(guān)控制方法。所述用于ESD防護(hù)的SCR器件，其特征在于，包括P型硅襯底；所述襯底上形成兩個(gè)阱區(qū)，一個(gè)N型阱區(qū)和一個(gè)P型阱區(qū)，且所述兩個(gè)阱區(qū)相鄰；所述N型阱區(qū)內(nèi)設(shè)有一個(gè)與A1端相連的N型重?fù)诫s區(qū)，設(shè)有一個(gè)與A2端相連的P型重?fù)诫s區(qū)；所述P型阱區(qū)內(nèi)設(shè)有一個(gè)與K1端相連的N型重?fù)诫s區(qū)，設(shè)有一個(gè)與K2端相連的P型重?fù)诫s區(qū)；所述A1端和A2端與陽(yáng)極相連，所述K1端和K2端與陰極相連。

所述VF-TLP測(cè)試下SCR器件模型的切換開(kāi)關(guān)，其特征在于，包含一個(gè)電阻值大的電阻、一個(gè)電阻值小的電阻、一個(gè)電感和一個(gè)單刀雙擲開(kāi)關(guān)。所述電阻值大的電阻一端和所述SCR器件模型的陽(yáng)極相連，另一端和所述單刀雙擲開(kāi)關(guān)的一個(gè)動(dòng)端相連；所述電阻值小的電阻一端和所述SCR器件模型的陽(yáng)極相連，另一端和所述單刀雙擲開(kāi)關(guān)的另一個(gè)動(dòng)端相連；所述電感一端和所述SCR器件模型的陰極相連，另一端和所述單刀雙擲開(kāi)關(guān)的不動(dòng)端相連。

所述VF-TLP測(cè)試下SCR器件模型的切換開(kāi)關(guān)控制方法，其特征在于，所述電阻值大的電阻表示SCR器件未開(kāi)啟前的高阻狀態(tài)；所述電阻值小的電阻表示SCR器件開(kāi)啟后的低阻狀態(tài)；所述電感用于實(shí)現(xiàn)從高阻狀態(tài)到低阻狀態(tài)的緩慢變化；所述單刀雙擲開(kāi)關(guān)控制所述高阻狀態(tài)向低阻狀態(tài)的切換條件。

所述VF-TLP測(cè)試下SCR器件的A1端電流，在器件達(dá)到過(guò)沖點(diǎn)之前會(huì)經(jīng)歷4個(gè)階段，由時(shí)間順序分別為：第一個(gè)階段為所述N型阱區(qū)與P型阱區(qū)構(gòu)成阱PN結(jié)勢(shì)壘電容充放電；第二個(gè)階段為所述N型阱區(qū)與P型阱區(qū)構(gòu)成阱PN結(jié)的結(jié)擊穿；第三個(gè)階段為所述N阱中P型重?fù)诫s區(qū)、N阱、P阱和P阱中P型重?fù)诫s區(qū)構(gòu)成寄生PNP三極管開(kāi)啟；第四個(gè)階段為所述P阱中N型重?fù)诫s區(qū)、P阱、N阱、N阱中N型重?fù)诫s區(qū)構(gòu)成寄生NPN三極管開(kāi)啟,且所述SCR器件開(kāi)啟。將第三個(gè)階段和第四個(gè)階段的轉(zhuǎn)換點(diǎn)的電流作為開(kāi)關(guān)切換的閾值電流。

當(dāng)所述用于ESD防護(hù)的SCR器件的N型阱區(qū)的N型重?fù)诫s區(qū)電流小于等于閾值電流時(shí)，所述VF-TLP測(cè)試下SCR器件模型切換開(kāi)關(guān)電流流過(guò)電阻值大的電阻路徑；當(dāng)所述用于ESD防護(hù)的SCR器件的N型阱區(qū)的N型重?fù)诫s區(qū)電流大于閾值電流時(shí)，所述用于VF-TLP測(cè)試下SCR器件模型切換開(kāi)關(guān)電流流過(guò)電阻值小的電阻路徑。