[發(fā)明專利]一種輻射面與匹配電阻一體化的曲面天線制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202211331019.5 | 申請日: | 2022-10-28 |
| 公開(公告)號: | CN115478264B | 公開(公告)日: | 2023-05-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 方杰;崔西會;劉建國;徐利明;萬養(yǎng)濤;黎康杰;許冰;李文;聶劍坤;全旭寧;李佳;李枘;楊顯濤;吳婷;馮雪華;劉振龍;伍藝龍;龐婷;盧茜;柳明輝;王興平 | 申請(專利權(quán))人: | 中國電子科技集團公司第二十九研究所 |
| 主分類號: | C23C18/08 | 分類號: | C23C18/08;C23C18/18;C22F1/10;H01Q17/00 |
| 代理公司: | 成都九鼎天元知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 51214 | 代理人: | 賈林 |
| 地址: | 610036 四川*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 輻射 匹配 電阻 一體化 曲面 天線 制造 方法 | ||
1.一種輻射面與匹配電阻一體化的曲面天線制造方法,其特征在于,具體包括以下步驟:
步驟S1:天線介質(zhì)制備,并采用激光減材方法在天線介質(zhì)的表面進行工藝槽制造,并對天線介質(zhì)進行表面粗化處理;
步驟S2:采用激光增材制造的方法在天線介質(zhì)表面進行輻射面的電路制備,并熱處理:
步驟S3:采用激光增材制造的方法在天線介質(zhì)表面進行匹配電阻制備;
步驟S4:采用干冰射流定向噴射方式對匹配電阻表面強化處理;
步驟S5:利用激光調(diào)阻的方法對匹配電阻進行調(diào)阻;
步驟S6:對于輻射面、匹配電阻的表面進行防護處理;完成制造。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種輻射面與匹配電阻一體化的曲面天線制造方法,其特征在于,所述步驟S1具體包括以下步驟:
步驟S11:根據(jù)天線介質(zhì)的三維模型,采用高分子材料或陶瓷并利用數(shù)控加工方式加工天線介質(zhì);
步驟S12:利用激光減材制造在天線介質(zhì)表面加工工藝槽;
步驟S13:在天線介質(zhì)的表面通過物理粗化或化學(xué)粗化的方法對輻射面與匹配電阻加工位置進行表面粗化處理。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種輻射面與匹配電阻一體化的曲面天線制造方法,其特征在于,所述步驟S12中利用激光減材制造在天線介質(zhì)表面加工工藝槽具體是指:
選用紫外納秒激光器、紫外皮秒激光器、紅外納秒激光器中的一種;采用“十”字網(wǎng)格法加工,調(diào)整固定在夾具上的天線介質(zhì)至振鏡范圍進行掃描和加工;
當選用紫外納秒激光器時,所述紫外納秒激光器發(fā)射的激光波長為355nm,紫外納秒激光器功率設(shè)置為1.5-2W,紫外納秒激光器的振鏡掃描次數(shù)為10-20次,掃描速度為2000-3000mm/s;
所述工藝槽長寬與匹配電阻長寬尺寸一致,其曲率的天線介質(zhì)曲率一致,所述工藝槽的深度為d,d≤0.1mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種輻射面與匹配電阻一體化的曲面天線制造方法,其特征在于,所述步驟S2具體包括以下步驟:
步驟S21:根據(jù)輻射面的三維模型,將導(dǎo)電漿料涂覆在天線介質(zhì)的表面;采用高溫預(yù)固化導(dǎo)電漿料,使其在天線介質(zhì)表面形成底層金屬層;
步驟S22:在底層金屬層上采用化學(xué)鍍涂方法加工鍍鎳鈀金鍍層,并熱處理。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種輻射面與匹配電阻一體化的曲面天線制造方法,其特征在于,所述步驟S21具體包括以下步驟:
步驟S211:采用直寫筆將導(dǎo)電漿料涂覆在天線介質(zhì)表面,預(yù)置速率為8-12mm/s,驅(qū)動氣壓為0.1-0.2MPa;
步驟S212:采用連續(xù)激光照射在導(dǎo)電漿料表面,對導(dǎo)電漿料燒結(jié)固化,在天線介質(zhì)表面制造出輻射面的底層金屬;其中連續(xù)激光的功率密度6*104-8*104W/cm2、掃描速度為5-8mm/s。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種輻射面與匹配電阻一體化的曲面天線制造方法,其特征在于,所述步驟S22具體包括以下步驟:
步驟S221:采用30%-50%體積濃度的磷酸除油液加熱至50-60℃,并結(jié)合超聲對步驟S21制備的輻射面清洗3-5min;
步驟S222:采用5%-10%體積濃度的硫酸和過硫酸鈉的混合溶液對步驟S221制備的輻射面酸洗1-3min,將輻射面上的氧化層去除;
步驟S223:對于去氧化層處理后的輻射面進行活化處理;
步驟S224:對于活化處理后的輻射面依次進行鍍鎳、鍍鈀、鍍金;
步驟S225:對步驟S26制備的輻射面進行真空熱處理,真空度小于10-2Pa,熱處理溫度為200-260℃,處理時間≥24h。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種輻射面與匹配電阻一體化的曲面天線制造方法,其特征在于,所述步驟S3具體是指:
在完成輻射面制備完成之后,根據(jù)匹配電阻的三維模型,利用漿料涂覆預(yù)成型方法與激光燒結(jié)固化方法在工藝槽內(nèi)表面制造匹配電阻;其中,漿料為其釕系漿料,匹配電阻厚度為d,d≥50um。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C18-00 通過液態(tài)化合物分解抑或覆層形成化合物溶液分解、且覆層中不留存表面材料反應(yīng)產(chǎn)物的化學(xué)鍍覆
C23C18-02 .熱分解法
C23C18-14 .輻射分解法,例如光分解、粒子輻射
C23C18-16 .還原法或置換法,例如無電流鍍
C23C18-54 .接觸鍍,即無電流化學(xué)鍍
C23C18-18 ..待鍍材料的預(yù)處理





