[發明專利]用于電遷移測試的虛置結構有效
| 申請號： | 202211330965.8 | 申請日： | 2022-10-28 |
| 公開（公告）號： | CN115513084B | 公開（公告）日： | 2023-03-03 |
| 發明（設計）人： | 俞佩佩;王麗雅;胡明輝 | 申請（專利權）人： | 合肥新晶集成電路有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/66 | 分類號： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240 | 代理人： | 王曉玲 |
| 地址： | 230012 安徽省合*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 遷移 測試 結構 | ||
1.一種用于電遷移測試的虛置結構，其特征在于，包括：
絕緣介質層；
多個第一開口，沿第一方向間隔的開設在所述絕緣介質層中，所述第一方向為垂直于所述絕緣介質層厚度的方向；
一個第二開口，開設在所述絕緣介質層中，所述第二開口位于多個所述第一開口的一側，且所述第二開口沿所述第一方向的長度大于所述第一開口沿所述第一方向的長度，所述第二開口用于在所述電遷移測試中使得金屬測試結構以及待測金屬線裸露；
多個第一金屬塊，均勻的間隔設置在所述絕緣介質層的表面上。
2.根據權利要求1所述的虛置結構，其特征在于，所述虛置結構還包括：
多個第二金屬塊，位于各所述第一開口的兩側，且沿所述第一方向排列，所述第二金屬塊沿第二方向的長度大于所述第一開口沿所述第二方向的長度，所述第二方向與所述絕緣介質層厚度的方向垂直且與所述第一方向垂直。
3.根據權利要求2所述的虛置結構，其特征在于，所述虛置結構還包括：
多個第三金屬塊，位于所述第二開口的遠離所述第一開口的一側，且沿所述第一方向排列，所述第三金屬塊沿所述第一方向的長度小于所述第二開口沿所述第一方向的長度。
4.根據權利要求3所述的虛置結構，其特征在于，所述虛置結構還包括：
多個第四金屬塊，位于所述第三金屬塊的遠離所述第二開口的一側，且沿所述第二方向排列，所述第四金屬塊沿所述第一方向的長度大于所述第二開口沿所述第一方向的長度。
5.根據權利要求2所述的虛置結構，其特征在于，所述第二金屬塊沿所述第一方向的長度范圍為5μm~7μm。
6.根據權利要求3所述的虛置結構，其特征在于，所述第三金屬塊沿所述第一方向的長度與所述第二開口沿所述第一方向的長度的比值范圍為1:8~1:3。
7.根據權利要求2至6中任一項所述的虛置結構，其特征在于，所述第二開口沿所述第二方向的長度范圍為1μm~2μm。
8.根據權利要求1至6中任一項所述的虛置結構，其特征在于，所述第一金屬塊沿所述第一方向的長度范圍為1μm~3μm。
9.根據權利要求1至6中任一項所述的虛置結構，其特征在于，所述第一開口、所述第二開口以及所述第一金屬塊的形狀包括矩形。
10.根據權利要求1至6中任一項所述的虛置結構，其特征在于，所述第一金屬塊呈矩陣形式分布。
11.根據權利要求1至6中任一項所述的虛置結構，其特征在于，所述絕緣介質層的材料包括以下之一：氮化硅、氧化硅以及碳氧化硅。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
