[發(fā)明專利]磁體系統(tǒng)、濺射設(shè)備和方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202211330782.6 | 申請(qǐng)日: | 2022-10-27 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN116130328A | 公開(kāi)(公告)日: | 2023-05-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | K·施耐德;G·格羅斯;T·桑德;R·豪斯瓦爾德 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 馮·阿登納資產(chǎn)股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01J37/34 | 分類號(hào): | H01J37/34;C23C14/35 |
| 代理公司: | 北京市鑄成律師事務(wù)所 11313 | 代理人: | 王珺;李文穎 |
| 地址: | 德國(guó)德*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 磁體 系統(tǒng) 濺射 設(shè)備 方法 | ||
1.一種用于濺射設(shè)備(300)的磁體系統(tǒng)(100),所述磁體系統(tǒng)(100)包括:
·殼體(406g),所述殼體具有殼體內(nèi)部空間(406h);
·磁體載體(102),所述磁體載體設(shè)置在所述殼體內(nèi)部空間(406h)中并且借助于所述殼體(406g)支撐,優(yōu)選地以相對(duì)于所述殼體位置固定的方式支撐;
·除濕設(shè)備,所述除濕設(shè)備鄰接于所述殼體內(nèi)部空間(406h)或設(shè)置在所述殼體內(nèi)部空間中,用于對(duì)所述殼體內(nèi)部空間(406h)進(jìn)行除濕。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁體系統(tǒng)(100),其中所述除濕設(shè)備具有冷卻阱(408)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的磁體系統(tǒng)(100),還包括:
·流體接口,所述流體接口與所述冷卻阱(408)耦聯(lián),用于對(duì)所述冷卻阱(408)供應(yīng)冷卻流體。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的磁體系統(tǒng)(100),其中所述除濕設(shè)備具有吸濕材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的磁體系統(tǒng)(100),其中所述除濕設(shè)備具有兩個(gè)流體接口,所述流體接口借助于所述殼體內(nèi)部空間(406h)以彼此引導(dǎo)流體的方式連接。
6.一種用于濺射設(shè)備(300)的磁體系統(tǒng)(100),所述磁體系統(tǒng)(100)包括:
·殼體(406g),所述殼體具有殼體內(nèi)部空間(406h);
·磁體載體(102),所述磁體載體設(shè)置在所述殼體內(nèi)部空間(406h)中并且借助于所述殼體(406g)支撐,優(yōu)選地以相對(duì)于所述殼體位置固定的方式支撐;
·貧水流體,所述貧水流體設(shè)置在所述殼體內(nèi)部空間(406h)中并且所述磁體載體(102)至少部分地嵌入所述貧水流體中;
·其中所述貧水流體具有小于1%的水物質(zhì)百分比。
7.一種用于濺射設(shè)備(300)的磁體系統(tǒng)(100),所述磁體系統(tǒng)(100)包括:
·殼體(406g),所述殼體具有殼體內(nèi)部空間(406h);
·磁體載體(102),所述磁體載體設(shè)置在所述殼體內(nèi)部空間(406h)中并且借助于所述殼體(406g)支撐,優(yōu)選地以相對(duì)于所述殼體位置固定的方式支撐;
·電路,所述電路設(shè)置在所述殼體內(nèi)部空間(406h)中并且以水密封方式封裝。
8.一種用于濺射設(shè)備(300)的磁體系統(tǒng)(100),所述磁體系統(tǒng)(100)包括:
·殼體(406g),所述殼體具有殼體內(nèi)部空間(406h);
·磁體載體(102),所述磁體載體設(shè)置在所述殼體內(nèi)部空間(406h)中并且借助于所述殼體(406g)支撐;
·濕度傳感器,所述濕度傳感器鄰接于所述殼體內(nèi)部空間(406h)或設(shè)置在所述殼體內(nèi)部空間中,用于檢測(cè)所述殼體內(nèi)部空間(406h)的化學(xué)組分。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的磁體系統(tǒng)(100),還包括:
·多個(gè)磁體,所述磁體借助于磁體支架保持在所述殼體內(nèi)部空間(406h)中。
10.一種用于對(duì)根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的磁體系統(tǒng)(100)進(jìn)行除濕的方法,包括:
·從殼體內(nèi)部引出第一流體,所述殼體內(nèi)部由所述第一流體填充和/或所述磁體載體(102)嵌入所述第一流體中;
·將第二流體引入所述殼體內(nèi)部中,所述殼體內(nèi)部由所述第二流體填充和/或所述磁體載體(102)嵌入所述第二流體中;
·其中所述第二流體具有比所述第一流體的氣態(tài)水物質(zhì)百分比更低的氣態(tài)水物質(zhì)百分比和/或比所述第一流體的液態(tài)水物質(zhì)百分比更高的液態(tài)水物質(zhì)百分比。
11.一種濺射設(shè)備(300),包括:
·支承設(shè)備,優(yōu)選具有一個(gè)或多個(gè)端塊,所述支承設(shè)備用于能轉(zhuǎn)動(dòng)地支承濺射靶;
·根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的磁體系統(tǒng)(100),所述磁體系統(tǒng)借助于所述支承設(shè)備以相對(duì)于所述支承設(shè)備位置固定的方式支承在所述濺射靶內(nèi)。
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