[發明專利]一種非對稱角度依賴的多色顯示傾斜納米柱陣列結構及應用

在審

• 申請號: 202211329721.8
• 申請日: 2022-10-27
• 公開（公告）號: CN115744810A
• 公開（公告）日: 2023-03-07
• 發明（設計）人: 丁聰;任金明;姚小莉;王永明;李瑞澤;陸泓波;秦亞光
• 申請（專利權）人: 中國電建集團華東勘測設計研究院有限公司;浙江華東工程建設管理有限公司
• 主分類號: B81C1/00
• 分類號: B81C1/00;G03F7/00;B81B7/02;B81B7/04;B82Y20/00;B82Y40/00
• 代理公司: 浙江杭州金通專利事務所有限公司 33100
• 代理人: 吉靖;劉曉春

1.一種非對稱角度依賴的多色顯示傾斜納米柱陣列結構，其特征在于：所述多色顯示傾斜納米柱陣列結構中單個單元結構為圓柱體，法向傾斜角為10°~30°，所述多色顯示傾斜納米柱陣列結構傾斜方向一致；

所述多色顯示傾斜納米柱陣列結構主體為聚苯乙烯納米結構，外層沉積金屬納米沉積層；

所述多色顯示傾斜納米柱陣列結構如下方式得到：

S1：清洗，清洗硅襯底表面污垢；

S2：涂膠，在硅襯底表面旋涂電子束光刻膠；

S3：烘干，將旋涂電子束光刻膠的硅襯底置于熱板上進行烘烤；

S4：曝光，在旋涂有電子束光刻膠的硅襯底上進行傾斜電子束曝光；

S5：顯影，用顯影液溶解除受到曝光的電子束光刻膠，實現非對稱納米柱陣列；

S6：沉積，在顯影后的硅襯底上依次進行金屬層沉積。

2. 根據權利要求1所述的非對稱角度依賴的多色顯示傾斜納米柱陣列結構，其特征在于：非對稱傾斜納米柱陣列結構的排列周期為600～800 nm。

3. 根據權利要求1所述的非對稱角度依賴的多色顯示傾斜納米柱陣列結構，其特征在于：所述聚苯乙烯納米結構的半徑為80～120 nm，高度為500～600 nm；

金屬納米沉積層為Al納米沉積層，金屬納米沉積層的厚度為90～100 nm。

4.根據權利要求1所述的非對稱角度依賴的多色顯示傾斜納米柱陣列結構，其特征在于：步驟S1中，采用RCA清洗硅片五分鐘，然后用去離子水沖洗清洗過的硅片。

5.根據權利要求1所述的非對稱角度依賴的多色顯示傾斜納米柱陣列結構，其特征在于：步驟S2中，電子束光刻膠是將聚苯乙烯按照5%濃度溶解于苯甲醚制備得到，并使用勻膠機旋涂。

6. 根據權利要求1所述的非對稱角度依賴的多色顯示傾斜納米柱陣列結構，其特征在于：步驟S3中，烘干溫度為180℃，時間為30 min。

7. 根據權利要求1所述的非對稱角度依賴的多色顯示傾斜納米柱陣列結構，其特征在于：步驟S4中，曝光條件為20～25 kV，90～110 nC/cm²，曝光過程是將載樣臺鎖定后，通過五軸轉動系統精確控制載樣臺的傾斜角度，納米柱結構的傾斜角度由載樣臺的傾斜角度進行控制，載樣臺的傾斜角度控制為10°～30°。

8.根據權利要求1所述的非對稱角度依賴的多色顯示傾斜納米柱陣列結構，其特征在于：步驟S5中，顯影溶劑為苯甲醚和異丙醇混合物，顯影時間為5分鐘。

9. 根據權利要求1所述的非對稱角度依賴的多色顯示傾斜納米柱陣列結構，其特征在于：步驟S6中，沉積速率為0.8～1 ?/s，沉積金屬為Al，沉積厚度為90～100 nm。

10.根據權利要求1-9中任意一項所述的非對稱角度依賴的多色顯示傾斜納米柱陣列結構在新型非對稱納米光子結構和/或器件開發中的應用。