[發明專利]一種半導體釉及其制造方法在審
| 申請號： | 202211327640.4 | 申請日： | 2022-10-27 |
| 公開（公告）號： | CN115521068A | 公開（公告）日： | 2022-12-27 |
| 發明（設計）人： | 肖波;趙明彪;張學輝;賴波;劉宇 | 申請（專利權）人： | 江西省星海電瓷制造有限公司 |
| 主分類號： | C03C8/00 | 分類號： | C03C8/00;C04B41/86 |
| 代理公司： | 南京鼎坤專利代理事務所(普通合伙) 32681 | 代理人： | 王芳芳 |
| 地址： | 337200*** | 國省代碼： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 半導體 及其 制造 方法 | ||
1.一種半導體釉，其特征在于，包括以下質量份的原料組成：長石20-40份、石英5-20份、微鋁粉0.5-3份、瓷粉10-20份、滑石粉2-8份、宜春土2-10份、界牌泥2-10份、坯泥1-10份、方解石1-10份、氧化錫5-20份、氧化銻1-10份，導電劑5-20份。
2.根據權利要求1所述的一種半導體釉，其特征在于，所述導電劑包括：高純二氧化錫、高純五氧化二銻、稀土氧化鈰。
3.根據權利要求1所述的一種半導體釉，其特征在于，所述長石的化學組成包括：64.72重量百分比的SiO2，19.39重量百分比的Al2O3，0.31重量百分比的CaO，0.01重量百分比的MgO，0.11重量百分比的Fe2O3，10.62重量百分比的K2O，3.48重量百分比的Na2O。
4.根據權利要求1所述的一種半導體釉，其特征在于，所述石英的化學組成包括：95.67重量百分比的SiO2，1.44重量百分比的Al2O3，0.01重量百分比的CaO，0.04重量百分比的MgO，0.15重量百分比的Fe2O3，0.26重量百分比的K2O。
5.根據權利要求1所述的一種半導體釉，其特征在于，所述方解石的化學組成包括：55.86重量百分比的CaO，0.95重量百分比的MgO。
6.一種半導體釉的制造方法，包括以下步驟：
S1：將原料取出，進行稱重，然后放置在攪拌機中，進行充分混合；
S2：然后將石墨坩堝進行加熱至200-300℃，此時燃燒時間為2-4小時；
S3：然后將S2中加熱處理后的材料放置進球磨機中，進行球磨，球磨時間為3-5小時，球磨結束后，并過篩除鐵處理得到基礎釉，測試合格后存儲待用；
S4：將含有高純二氧化錫、高純五氧化二銻、稀土氧化鈰的導電劑按照配方配比、使用超細攪拌磨單獨球磨、過篩、除鐵，測試合格后存儲待用；
S5：將處理好的基礎釉、導電劑按照配方配比，使用超高速攪拌機混合5小時以上，測試合格后存儲待用；
S6：施釉，將制備好了的半導體釉，旋轉粘度計釉漿粘度400-800，上釉比重1.35-1.45g/cm3，釉層厚度0.18-0.25mm。
7.根據權利要求6所述的一種半導體釉的制造方法，其特征在于，所述S2的燒結過程中，使用攪拌棍不斷的進行攪拌，使得其進行受熱均勻。
8.根據權利要求6所述的一種半導體釉的制造方法，其特征在于，所述S3中，球磨目數為200-300目。
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