[發(fā)明專利]具有電隔離電介質(zhì)襯層的嵌入式封裝

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202211327552.4
• 申請(qǐng)日: 2022-10-26
• 公開（公告）號(hào): CN116031213A
• 公開（公告）日: 2023-04-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 趙應(yīng)山
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/29
• 分類號(hào): H01L23/29;H01L23/31;H01L25/07;H01L23/528;H01L23/538;H01L23/498
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 林金朝

1.一種半導(dǎo)體封裝，包括：

封裝襯底，其包括內(nèi)部層壓層、設(shè)置在所述內(nèi)部層壓層下方的第一金屬化層、以及設(shè)置在所述內(nèi)部層壓層上方的第二金屬化層；

第一半導(dǎo)體管芯，其包括設(shè)置在所述第一半導(dǎo)體管芯的第一表面上的第一負(fù)載端子、以及設(shè)置在所述第一半導(dǎo)體管芯的與所述第一半導(dǎo)體管芯的所述第一表面相對(duì)的第二表面上的第二負(fù)載端子；以及

電介質(zhì)材料的襯層，在所述第一半導(dǎo)體管芯上；

其中，所述第一半導(dǎo)體管芯嵌入在所述內(nèi)部層壓層內(nèi)，使得所述第一半導(dǎo)體管芯的所述第一表面面向所述第二金屬化層，并且

其中，所述電介質(zhì)材料的襯層設(shè)置在所述第一半導(dǎo)體管芯的拐角上，所述拐角在所述第一半導(dǎo)體管芯的所述第一負(fù)載端子與所述第二負(fù)載端子之間。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中，所述第一半導(dǎo)體管芯的所述拐角在所述第一半導(dǎo)體管芯的所述第一表面與所述第一半導(dǎo)體管芯的第一邊緣側(cè)之間，所述第一邊緣側(cè)在所述第一半導(dǎo)體管芯的所述第一表面與所述第二表面之間延伸，并且其中，所述電介質(zhì)材料的襯層包括設(shè)置在所述第一半導(dǎo)體管芯的所述第一表面上并且從所述第一負(fù)載端子延伸到所述拐角的第一部分。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝，其中，所述電介質(zhì)材料的襯層的所述第一部分僅沿著所述第一半導(dǎo)體管芯的所述第一邊緣側(cè)的一部分從所述拐角延伸。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體封裝，其中，所述電介質(zhì)材料的襯層包括設(shè)置在所述第一邊緣側(cè)上并且僅沿著所述第一邊緣側(cè)的一部分從所述拐角延伸的第二部分。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝，其中，所述電介質(zhì)材料的襯層包括設(shè)置在所述第一半導(dǎo)體管芯的第二拐角上的第二部分，所述第二拐角在所述第一半導(dǎo)體管芯的所述第一表面與所述第一半導(dǎo)體管芯的第二邊緣側(cè)之間，所述第二邊緣側(cè)在所述第一半導(dǎo)體管芯的所述第一表面與所述第二表面之間延伸，并且與所述第一半導(dǎo)體管芯的所述第一邊緣側(cè)相對(duì)。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體封裝，其中，電介質(zhì)材料的第二襯層僅沿著所述第一半導(dǎo)體管芯的所述第二邊緣側(cè)的一部分延伸，并且其中，所述電介質(zhì)材料的第二襯層是環(huán)氧樹脂層。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體封裝，還包括：

第二半導(dǎo)體管芯，其包括設(shè)置在所述第二半導(dǎo)體管芯的第一表面上的第一負(fù)載端子、以及設(shè)置在所述第二半導(dǎo)體管芯的與所述第二半導(dǎo)體管芯的所述第一表面相對(duì)的第二表面上的第二負(fù)載端子；以及

電介質(zhì)材料的襯層，在所述第二半導(dǎo)體管芯上；

其中，所述第二半導(dǎo)體管芯嵌入在所述內(nèi)部層壓層內(nèi)，使得所述第二半導(dǎo)體管芯的所述第一表面面向所述第一金屬化層，并且

其中，所述電介質(zhì)材料的襯層設(shè)置在所述第二半導(dǎo)體管芯的在所述第二半導(dǎo)體管芯的所述第一負(fù)載端子與所述第二負(fù)載端子之間的拐角上。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體封裝，其中，所述半導(dǎo)體封裝被配置為集成半橋電路，其中，所述第一半導(dǎo)體管芯和所述第二半導(dǎo)體管芯各自被配置為分立功率晶體管管芯，其中，所述第一半導(dǎo)體管芯是所述集成半橋電路的高邊開關(guān)，并且其中，所述第二半導(dǎo)體管芯是所述集成半橋電路的低邊開關(guān)。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體封裝，還包括嵌入在所述內(nèi)部層壓層內(nèi)的第三半導(dǎo)體管芯，其中，所述第三半導(dǎo)體管芯是包括I/O端子的邏輯管芯，所述I/O端子設(shè)置在所述第三半導(dǎo)體管芯的面向所述第二金屬化層的第一表面上，其中，所述第三半導(dǎo)體管芯被配置為經(jīng)由所述I/O端子來控制所述第一半導(dǎo)體管芯和所述第二半導(dǎo)體管芯的切換操作，并且其中，所述第三半導(dǎo)體管芯通過設(shè)置在所述第一半導(dǎo)體管芯的第一邊緣區(qū)域上的所述電介質(zhì)材料的襯層與所述第一半導(dǎo)體管芯橫向電隔離。