[發明專利]電子照相感光構件和各自包括該電子照相感光構件的電子照相設備和處理盒

在審

• 申請號: 202211327545.4
• 申請日: 2022-10-27
• 公開（公告）號: CN116068867A
• 公開（公告）日: 2023-05-05
• 發明（設計）人: 中田浩一;高橋尚浩
• 申請（專利權）人: 佳能株式會社
• 主分類號: G03G5/06
• 分類號: G03G5/06
• 代理公司: 北京魏啟學律師事務所 11398
• 代理人: 魏啟學

本發明涉及電子照相感光構件和各自包括該電子照相感光構件的電子照相設備和處理盒。提供包括支承體、電荷產生層、第一空穴輸送層和第二空穴輸送層的電子照相感光構件，第二空穴輸送層含式(1)的空穴輸送性化合物(質量：W1，最高占據分子軌道的能量值：CTM1HOMO)、式(2)的空穴輸送性化合物(質量：W2)和/或式(3)的空穴輸送性化合物(質量：W3，最高占據分子軌道的能量值：CTM2HOMO)，式(I)的值為0.05?5.0質量％，且滿足式(II)：(W2+W3)/(W1+W2+W3)×100％(I)；0.05(eV)≤|CTM2HOMO|?|CTM1HOMO|≤0.30(eV)(II)。

技術領域

本發明涉及電子照相感光構件和各自包括該電子照相感光構件的電子照相設備和處理盒。

背景技術

要求電子照相感光構件的表面層具有耐久性和穩定性，這是因為由包括充電、曝光、顯影、轉印和清潔的一系列電子照相處理引起的應力反復施加至表面層。用于改善耐久性的手段為例如涉及將固化性樹脂引入電子照相感光構件的表面層中的方法。然而，設置具有高耐久性的表面層涉及的問題在于以下所謂的重影現象可能會惡化：前次圖像輸出時曝光部與非曝光部之間的電位差對下一次圖像輸出有影響，并且該影響表現為圖像濃度差。通常，通過在完成電子照相處理的各循環之后設置進行光照射等的除電工序來采取針對該問題的措施。

同時，近年來，對于電子照相設備的過程的簡化及其成本的降低存在日益增長的需求，因此需要可以省略現有模塊等的設計。因此，需要即使在不設置除電工序時也可以抑制重影圖像的電子照相感光構件。

在日本專利申請特開No.2018-101136中，存在以下描述：通過對電子照相感光構件的表面層的材料構成進行構思來抑制重影現象。然而，該構成不針對于表面層中引入有固化性樹脂的高耐久性的電子照相感光構件。

近年來，不僅要求電子照相感光構件的耐久性的改善，還要求即使在簡化的過程中也可以抑制圖像缺陷的技術。

本發明的目的在于提供一種電子照相感光構件和各自包括該電子照相感光構件的電子照相設備和處理盒，所述電子照相感光構件盡管高度耐久也具有抑制重影現象的作用，并且具有令人滿意的電特性。

發明內容

即，根據本發明的一個方面，提供一種電子照相感光構件，其包括：支承體、在支承體上形成的電荷產生層、在電荷產生層上形成的第一空穴輸送層、和在第一空穴輸送層上形成的第二空穴輸送層，第二空穴輸送層為表面層，其中第二空穴輸送層包含含有以下的組合物的共聚物：由下式(1)表示的空穴輸送性化合物、和選自由下式(2)表示的空穴輸送性化合物和由下式(3)表示的空穴輸送性化合物組成的組中的至少一種空穴輸送性化合物，其中當組合物含有的由下式(1)表示的空穴輸送性化合物的質量由W1表示、組合物含有的由下式(2)表示的空穴輸送性化合物的質量由W2表示、并且組合物含有的由下式(3)表示的空穴輸送性化合物的質量由W3表示時，由以下表達式(I)算出的值為0.05質量％至5.0質量％：

(W2+W3)/(W1+W2+W3)×100(質量％)…表達式(I)，

并且其中當由下式(1)表示的空穴輸送性化合物在其結構優化后通過密度泛函理論B3LYP/6-31G*進行能量計算的結果獲得的空穴輸送性化合物的最高占據分子軌道的能量值由CTM1HOMO表示、并且選自由下式(2)表示的空穴輸送性化合物和由下式(3)表示的空穴輸送性化合物組成的組中的至少一種空穴輸送性化合物在其結構優化后通過密度泛函理論B3LYP/6-31G*進行能量計算的結果獲得的空穴輸送性化合物的最高占據分子軌道的能量值由CTM2HOMO表示時，CTM1HOMO和CTM2HOMO滿足以下表達式(II)：

0.05(eV)≤|CTM2HOMO|-|CTM1HOMO|≤0.30(eV)…(II)