[發明專利]三維存儲器及其制作方法、存儲器系統

在審

• 申請號: 202211326009.2
• 申請日: 2022-10-27
• 公開（公告）號: CN115602713A
• 公開（公告）日: 2023-01-13
• 發明（設計）人: 李貝貝;徐偉;袁彬;許宗珂;薛磊;霍宗亮
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H10B43/35;H10B43/27
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270
• 代理人: 邵磊;張穎玲

本公開實施例公開了一種三維存儲器的制作方法，包括：提供半導體層；所述半導體層包括沿第一方向排布的第一區域、第二區域，所述第一方向垂直于所述半導體層的厚度方向；在所述半導體層上形成多個絕緣層和多個犧牲層交替層疊的堆疊結構；在所述第一區域上形成多個貫穿所述堆疊結構的溝道結構；在所述第二區域上形成貫穿所述堆疊結構且沿所述第一方向延伸的第一柵縫隙；通過所述第一柵縫隙去除所述第二區域上的部分犧牲層；在所述第一區域上形成貫穿所述堆疊結構且沿所述第一方向延伸的第二柵縫隙，所述第一柵縫隙與所述第二柵縫隙連通；通過所述第二柵縫隙去除所述第一區域上的犧牲層。

技術領域

本公開涉及半導體技術領域，具體地，涉及一種三維存儲器及其制作方法、存儲器系統。

背景技術

三維存儲器是一種新興的閃存類型，三維存儲器器件通過垂直堆疊多層數據存儲單元來解決二維或者平面閃存帶來的限制。三維存儲器器件具備卓越的精度，支持在更小的空間內容納更高的存儲容量，成本低，功耗低，能全面滿足眾多需求。然而，三維存儲器還面臨諸多的挑戰。

公開內容

本公開實施例提出一種三維存儲器及其制作方法、存儲器系統。

根據本公開的一個方面，提供了一種三維存儲器的制作方法，包括：

提供半導體層；所述半導體層包括沿第一方向排布的第一區域、第二區域，所述第一方向垂直于所述半導體層的厚度方向；

在所述半導體層上形成多個絕緣層和多個犧牲層交替層疊的堆疊結構；

在所述第一區域上形成多個貫穿所述堆疊結構的溝道結構；在所述第二區域上形成貫穿所述堆疊結構且沿所述第一方向延伸的第一柵縫隙；

通過所述第一柵縫隙去除所述第二區域上的部分犧牲層；

在所述第一區域上形成貫穿所述堆疊結構且沿所述第一方向延伸的第二柵縫隙，所述第一柵縫隙與所述第二柵縫隙連通；

通過所述第二柵縫隙去除所述第一區域上的犧牲層。

上述方案中，所述堆疊結構包括在第二方向上堆疊的多個子堆疊結構，所述溝道結構包括在所述第二方向上堆疊的多個子溝道結構，每個子堆疊結構中的子溝道結構貫穿所述子堆疊結構；所述第二方向為所述半導體層的厚度方向。

上述方案中，所述形成堆疊結構以及溝道結構，包括：

在所述半導體層上形成第一子堆疊結構；

在所述第一區域上形成貫穿所述第一子堆疊結構的第一子溝道孔，并在所述第一子溝道孔中填充第一犧牲材料；

在所述第一子堆疊結構上形成第二子堆疊結構；

在所述第一區域上形成貫穿所述第二子堆疊結構的第二子溝道孔，并在所述第二子溝道孔中填充第一犧牲材料；所述第二子溝道孔與所述第一子溝道孔連通；

在所述第二子堆疊結構上形成第三子堆疊結構；

在所述第一區域上形成貫穿所述第三子堆疊結構的第三子溝道孔，所述第三子溝道孔與所述第二子溝道孔連通；

去除第一子溝道孔以及第二子溝道孔中的第一犧牲材料，并在第一子溝道孔、第二子溝道孔、第三子溝道孔中形成第一子溝道結構、第二子溝道結構、第三子溝道結構。

上述方案中，所述形成貫穿所述堆疊結構且沿所述第一方向延伸的第二柵縫隙，包括：

在形成所述第一子溝道孔的同時，在所述第一區域上形成貫穿所述第一子堆疊結構的第一子柵縫隙；

在所述第一子溝道孔中填充第一犧牲材料的同時，在所述第一子柵縫隙中填充第一犧牲材料；