[發明專利]半導體器件及其制備方法和存儲系統

在審

• 申請號: 202211324858.4
• 申請日: 2022-10-27
• 公開（公告）號: CN115566004A
• 公開（公告）日: 2023-01-03
• 發明（設計）人: 李貝貝;徐偉;袁彬;許宗珂;楊竹;王香凝;霍宗亮
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L23/538
• 分類號: H01L23/538;H01L21/768;G11C5/02;G11C5/04
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270
• 代理人: 邵磊;張穎玲

1.一種半導體器件，其特征在于，包括：

疊層結構，包括多層交疊設置的柵極絕緣層和柵極層；

多個接觸部，沿所述疊層結構的堆疊方向，各所述接觸部分別貫穿至不同的所述柵極層；

多個所述接觸部包括第一接觸部和第二接觸部，所述第一接觸部在所述堆疊方向上的投影面積大于所述第二接觸部在所述堆疊方向上的投影面積。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，還包括：

沿所述堆疊方向，所述第一接觸部的尺寸大于與所述第二接觸部的尺寸。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述第一接觸部和所述第二接觸部沿第一方向排布，所述第一接觸部與所述第二接觸部在所述第一方向上的投影的幾何中心存在間隔，所述第一方向與所述堆疊方向交叉。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，每個所述接觸部包括相互接觸的第一連接部和第二連接部，所述第一連接部沿所述堆疊方向延伸，所述第二連接部沿垂直于所述堆疊方向的方向延伸并連接所述柵極層。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述疊層結構包括沿第一方向設置的核心區和連接區；

多個第一柵間隙結構，貫穿所述疊層結構，位于所述核心區和所述連接區并沿第一方向延伸，多個所述第一柵間隙結構沿第二方向排布，所述第二方向與所述第一方向垂直且與所述堆疊方向垂直。

6.根據權利要求5所述的半導體器件，其特征在于，沿所述第二方向，多個沿第一方向排布的所述接觸部至與其距離最近的所述第一柵間隙結構的最小距離相等。

7.根據權利要求5所述的半導體器件，其特征在于，還包括：

第二柵間隙結構，包括沿所述第一方向間隔排布的多個第二子柵間隙結構；

所述第二柵間隙結構至少位于所述核心區。

8.根據權利要求5所述的半導體器件，其特征在于，還包括：

多個沿所述第二方向排布的接觸單元，每個所述接觸單元包括沿所述第一方向排成一列的多個所述接觸部。

9.根據權利要求8所述的半導體器件，其特征在于，相鄰的位于不同所述接觸單元的所述接觸部在所述第二方向上的投影的幾何中心存在間隔。

10.根據權利要求8所述的半導體器件，其特征在于，所述接觸單元位于所述連接區。

11.根據權利要求8所述的半導體器件，其特征在于，所述接觸單元與距離其最近的所述第一柵間隙結構之間包括有多個溝道結構，多個所述溝道結構沿所述第一方向排布。

12.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述接觸部在所述堆疊方向上的投影形狀可以是圓形或者方型中的至少一種。

13.一種權利要求1至12中任一項所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

形成初始疊層結構，所述初始疊層結構包括多層交疊設置的柵極絕緣層和柵極犧牲層；

形成接觸孔，沿所述初始疊層結構的堆疊方向，各所述接觸孔分別貫穿至不同的所述柵極犧牲層；多個所述接觸孔包括第一接觸孔和第二接觸孔，所述第一接觸孔在所述堆疊方向上的投影面積大于所述第二接觸孔在所述堆疊方向上的投影面積；

將每一所述柵極犧牲層的部分替換為柵極層；

在所述接觸孔中形成接觸部，所述接觸部與所述柵極層連接。

14.根據權利要求13所述的制備方法，其特征在于，沿所述堆疊方向，所述第一接觸部的尺寸大于與所述第二接觸部的尺寸。