[發明專利]一種電容器制作方法及電容器在審
| 申請號: | 202211320383.1 | 申請日: | 2022-10-26 |
| 公開(公告)號: | CN115631947A | 公開(公告)日: | 2023-01-20 |
| 發明(設計)人: | 盧敏儀;羅旺;郭留陽;羅文裕 | 申請(專利權)人: | 廣州天極電子科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01G4/30 | 分類號: | H01G4/30;H01G4/38;H01G4/005;H01G4/08;H01G4/232;H01G13/00 |
| 代理公司: | 北京高沃律師事務所 11569 | 代理人: | 賈瑞華 |
| 地址: | 511400 廣東省*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 電容器 制作方法 | ||
1.一種電容器制備方法,其特征在于,包括:
將絕緣基板研磨至設定厚度并進行拋光,獲得處理后的絕緣基板;
在所述絕緣基板的上表面和下表面分別沉積導電電極;
對所述絕緣基板上表面沉積的導電電極和下表面沉積的導電電極進行刻蝕,分別獲得所述絕緣基板上表面的第二導電電極和下表面的第三導電電極;
在完成所述第二導電電極和所述第三導電電極刻蝕的所述絕緣基板的上表面和下表面分別沉積第一絕緣介質層和第二絕緣介質層;
對所述第一絕緣介質層沉積的導電電極和所述第二絕緣介質層沉積的導電電極進行刻蝕,分別獲得所述第一絕緣介質上的第一導電電極和所述第二絕緣介質層上的第四導電電極;
在所述第一導電電極上覆蓋第一薄膜層,在所述第四導電電極上覆蓋第二薄膜層,獲得初步結構的電容器;
在所述初步結構的電容器的一端覆蓋第一端電極,在所述初步結構的電容器的另一端覆蓋第二端電極;所述第一端電極分別與所述第一導電電極和所述第四導電電極連接,所述第二端電極分別與所述第二導電電極和所述第三導電電極連接,或者所述第一端電極分別與所述第一導電電極和所述第三導電電極連接,所述第二端電極分別與所述第二導電電極和所述第四導電電極連接。
2.根據權利要求1所述的電容器制備方法,其特征在于,當所述第一端電極分別與所述第一導電電極和所述第四導電電極連接,所述第二端電極分別與所述第二導電電極和所述第三導電電極連接時,所述第一端電極與所述第二導電電極和所述第三導電電極的距離均為60μm,所述第二端電極與所述第一導電電極和所述第四導電電極的距離均為60μm。
3.根據權利要求1所述的電容器制備方法,其特征在于,所述絕緣基板的材料為光敏玻璃、鈦酸鍶、氮化鋁或碳化硅。
4.根據權利要求1所述的電容器制備方法,其特征在于,所述第一薄膜層和所述第二薄膜層的材料為聚酰亞胺。
5.根據權利要求1所述的電容器制備方法,其特征在于,所述第一絕緣介質層和所述第二絕緣介質層的材料為氧化硅、氮化硅、氮化鋁或者氧化鋁。
6.根據權利要求1所述的電容器制備方法,其特征在于,所述設定厚度為250μm。
7.根據權利要求1所述的電容器制備方法,其特征在于,所述第一絕緣介質層和所述第二絕緣介質層的厚度為100nm。
8.一種電容器,其特征在于,利用如權利要求1-7所述的電容器制備方法制備所述電容器,所述電容器包括:從上而下依次層疊設置的第一薄膜層、第一導電電極、第一絕緣介質層、第二導電電極、絕緣基板、第三導電電極、第二絕緣介質層、第四導電電極和第二薄膜層,所述電容器還包括第一端電極和第二端電極;
當所述第一端電極分別與所述第一導電電極和所述第四導電電極連接,所述第二端電極分別與所述第二導電電極和所述第三導電電極連接時,所述第一導電電極、所述第一絕緣介質層和所述第二導電電極構成第一電容,所述第三導電電極、所述第二絕緣介質層和所述第四導電電極構成第二電容,所述第一電容和所述第二電容并聯連接;
當所述第一端電極分別與所述第一導電電極和所述第三導電電極連接,所述第二端電極分別與所述第二導電電極和所述第四導電電極連接時,所述第二導電電極、所述絕緣基板和所述第三導電電極構成第三電容,所述第一導電電極、所述第一絕緣介質層和所述第二導電電極構成第四電容,所述第三導電電極、所述第二絕緣介質層和所述第四導電電極構成第五電容,所述第三電容、所述第四電容和所述第五電容并聯連接。
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