[發(fā)明專利]一種廣域稀布陣列多頻點(diǎn)聯(lián)合低旁瓣波束形成方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202211314629.4
• 申請(qǐng)日: 2022-10-26
• 公開（公告）號(hào): CN115765813A
• 公開（公告）日: 2023-03-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李鑫宇;夏雙志;王鵬毅;范事成;劉子龍
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國電子科技集團(tuán)公司第五十四研究所
• 主分類號(hào): H04B7/06
• 分類號(hào): H04B7/06
• 代理公司: 河北東尚律師事務(wù)所 13124
• 代理人: 王文慶

1.一種廣域稀布陣列多頻點(diǎn)聯(lián)合低旁瓣波束形成方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟1，構(gòu)建廣域稀布陣列，廣域稀布陣列中的陣元總數(shù)為M，確定第m個(gè)陣元的坐標(biāo)(x_m,y_m,z_m)，確定可用頻段范圍[f_min,f_max]；其中，m＝1,2,...,M，f_min表示可用頻段最低頻點(diǎn)，f_max表示可用頻段最高頻點(diǎn)；

步驟2，在可用頻段范圍[f_min,f_max]中選取N個(gè)頻點(diǎn)，N個(gè)頻點(diǎn)中的第i個(gè)頻點(diǎn)f_iN為：

其中，N＝2,...,10，i＝1,2,...,N；

步驟3，按照下式計(jì)算N個(gè)頻點(diǎn)聯(lián)合低旁瓣波束形成時(shí)的最大旁瓣主瓣比ratio_N：

ΔR＝x_m cosθcosφ+y_m cosθsinφ+z_m sinθ

ΔR₀＝x_m cosθ₀cosφ₀+y_m cosθ₀sinφ₀+z_m sinθ₀

其中，c為光速，φ為方位角，θ為俯仰角，(θ₀,φ₀)為波束指向，S₁為方向圖俯仰向的旁瓣區(qū)間，S₂為方向圖方位向的旁瓣區(qū)間；

步驟4，重復(fù)步驟2和步驟3，分別獲得N＝2,...,10的ratio_N，選出使得20log₁₀(ratio_N)取最小值的N值，將其設(shè)為k′，即

接著，在N＝2,...,k′的范圍內(nèi)，選出滿足以下條件的N的最小取值：

20log₁₀(ratio_N)-20log₁₀(ratio_k′)＜1N＝2,...,k′

該最小取值即為最終確定的多頻點(diǎn)聯(lián)合低旁瓣波束形成的頻點(diǎn)數(shù)目k；

步驟5，計(jì)算方向圖：

ΔR＝x_m cosθcosφ+y_m cosθsinφ+z_m sinθ

ΔR₀＝x_m cosθ₀cosφ₀+y_m cosθ₀sinφ₀+z_m sinθ₀

其中，F(xiàn)_k(φ,θ)為由k個(gè)頻點(diǎn)聯(lián)合低旁瓣波束形成的方向圖函數(shù)；

完成廣域稀布陣列多頻點(diǎn)聯(lián)合低旁瓣波束形成。