[發明專利]具有緩沖結構的金錫預成型焊盤的薄膜電路及其制備方法

在審

• 申請號: 202211313157.0
• 申請日: 2022-10-25
• 公開（公告）號: CN115547962A
• 公開（公告）日: 2022-12-30
• 發明（設計）人: 張朝文;楊俊鋒;羅育紅;丁明建;韋玉丙;劉宇鵬
• 申請（專利權）人: 廣州天極電子科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488;H01L27/01;H01L21/48
• 代理公司: 北京高沃律師事務所 11569
• 代理人: 賈瑞華

1.一種具有緩沖結構的金錫預成型焊盤的薄膜電路，其特征在于，包括：薄膜電路基片、設置在所述薄膜電路基片上的功能層、設置在所述功能層上的金屬緩沖層以及設置在所述金屬緩沖層上的金錫預成型焊盤；

所述金屬緩沖層的最高熔點低于所述金錫預成型焊盤的最低熔點，且所述金錫預成型焊盤是由金錫共晶焊料制備而成；

在所述薄膜電路加熱過程中，當加熱溫度低于所述金錫預成型焊盤的最低熔點且高于所述金屬緩沖層的最高熔點時，所述金屬緩沖層熔化成液態金屬；所述液態金屬用于降低所述金錫預成型焊盤與所述功能層之間的應力。

2.根據權利要求1所述的一種具有緩沖結構的金錫預成型焊盤的薄膜電路，其特征在于，所述金屬緩沖層的厚度為0.1μm～1.0μm。

3.根據權利要求1所述的一種具有緩沖結構的金錫預成型焊盤的薄膜電路，其特征在于，所述金錫預成型焊盤的厚度為2μm～100μm。

4.根據權利要求1所述的一種具有緩沖結構的金錫預成型焊盤的薄膜電路，其特征在于，所述金錫預成型焊盤的熔點范圍為280℃～320℃；所述金屬緩沖層的最高熔點低于280℃。

5.根據權利要求1所述的一種具有緩沖結構的金錫預成型焊盤的薄膜電路，其特征在于，所述金屬緩沖層是由混合金屬材料制備而成；所述混合金屬材料為配比為50：50的銦錫材料、配比為70：30的銦鉛材料、配比為96：4的錫銀材料或者配比為10：88：2的錫鉛銀材料。

6.根據權利要求1所述的一種具有緩沖結構的金錫預成型焊盤的薄膜電路，其特征在于，所述功能層是由薄膜電路微帶線制備而成。

7.根據權利要求1所述的一種具有緩沖結構的金錫預成型焊盤的薄膜電路，其特征在于，所述薄膜電路基片為陶瓷基片。

8.一種具有緩沖結構的金錫預成型焊盤的薄膜電路的制備方法，其特征在于，包括：

在薄膜電路基片表面沉積薄膜電路所需的功能層；

在所述功能層上加工出薄膜電路圖形；

在所述薄膜電路圖形上加工出用于制備金錫預成型焊盤的窗口；

在所述窗口上制備金屬緩沖層；

在所述金屬緩沖層上制備金錫預成型焊盤；

其中，所述金屬緩沖層的最高熔點低于所述金錫預成型焊盤的最低熔點，且所述金錫預成型焊盤是由金錫共晶焊料制備而成。

9.根據權利要求8所述的一種具有緩沖結構的金錫預成型焊盤的薄膜電路的制備方法，其特征在于，所述在所述薄膜電路圖形上加工出用于制備金錫預成型焊盤的窗口，具體包括：

在所述薄膜電路圖形上以旋涂或噴涂的方式涂布光刻膠，并通過曝光、顯影的工藝加工出用于制備金錫預成型焊盤的窗口。

10.根據權利要求9所述的一種具有緩沖結構的金錫預成型焊盤的薄膜電路的制備方法，其特征在于，在所述金屬緩沖層上制備金錫預成型焊盤之后，還包括：

清洗光刻膠，并按薄膜電路圖形劃切得到薄膜電路。