[發(fā)明專利]一種紫外發(fā)光設(shè)備、發(fā)光二極管器件及其制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202211312151.1
• 申請(qǐng)日: 2022-10-25
• 公開（公告）號(hào): CN115602768A
• 公開（公告）日: 2023-01-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張爽;楊一鳴;張會(huì)雪;羅紅波
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 湖北深紫科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/06
• 分類號(hào): H01L33/06;H01L33/10;H01L33/14;H01L33/38
• 代理公司: 北京眾達(dá)德權(quán)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11570
• 代理人: 吳強(qiáng)

1.一種發(fā)光二極管器件，其特征在于，包括：

襯底基板；

發(fā)光功能層，設(shè)置在所述襯底基板的一側(cè)；所述發(fā)光功能層包括陣列分布的多個(gè)發(fā)光單元，相鄰兩個(gè)所述發(fā)光單元之間設(shè)置有的隔離槽，所述隔離槽的側(cè)壁與所述襯底基板的夾角角度小于90°；

N型電極，設(shè)置在隔離槽的側(cè)壁，并位于所述側(cè)壁的靠近所述襯底基板的一端；

P型電極，設(shè)置在所述發(fā)光功能層遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管器件，其特征在于，所述夾角角度為30°～60°。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管器件，其特征在于，還包括：

N型電極連接層，覆蓋在所述隔離槽的側(cè)壁與所述隔離槽底部，并導(dǎo)電接觸相鄰兩個(gè)所述發(fā)光單元的N型電極。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管器件，其特征在于，還包括：

反射層，設(shè)置在所述隔離槽的側(cè)壁與所述N型電極連接層之間。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管器件，其特征在于，還包括：

緩沖層，設(shè)置在所述襯底基板與所述發(fā)光功能層之間；其中，所述隔離槽穿透所述緩沖層。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管器件，其特征在于，所述發(fā)光功能層包括：

N型半導(dǎo)體層，設(shè)置在所述襯底基板的一側(cè)；

量子阱層，設(shè)置在所述N型半導(dǎo)體層的遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)；

電子阻擋層，設(shè)置在所述量子阱層的遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)；

P型半導(dǎo)體層，設(shè)置在所述電子阻擋層的遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)；

所述隔離槽的側(cè)壁包括第一側(cè)壁、第二側(cè)壁和平臺(tái)部，所述第一側(cè)壁對(duì)應(yīng)于所述N型半導(dǎo)體層、所述量子阱層和所述電子阻擋層，所述第二側(cè)壁對(duì)應(yīng)于所述P型半導(dǎo)體層，所述平臺(tái)部設(shè)置在所述N型半導(dǎo)體層，且所述第一側(cè)壁和所述第二側(cè)壁通過(guò)所述平臺(tái)部連接；所述N型電極設(shè)置在所述平臺(tái)部。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管器件，其特征在于，所述N型半導(dǎo)體層的材料為N型(Al)GaN半導(dǎo)體材料，所述P型半導(dǎo)體層的材料為P型(Al)GaN半導(dǎo)體材料。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管器件，其特征在于，還包括：

P型電極連接層，設(shè)置覆蓋在所述P型電極遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)，并導(dǎo)電接觸相鄰兩個(gè)所述發(fā)光單元的P型電極。

9.一種紫外發(fā)光設(shè)備，其特征在于，包括權(quán)利要求1-8中任一所述的發(fā)光二極管器件。

10.一種發(fā)光二極管器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供襯底基板；

在所述襯底基板的一側(cè)形成發(fā)光功能層；

在所述發(fā)光功能層上形成隔離槽，以得到陣列分布的多個(gè)發(fā)光單元；所述隔離槽的側(cè)壁與所述襯底基板的夾角角度小于90°；

在隔離槽的側(cè)壁形成N型電極，所述N型電極位于所述側(cè)壁的靠近所述襯底基板的一端；在所述發(fā)光功能層遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)形成P型電極。