[發(fā)明專利]一種顯示面板和顯示裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202211304600.8 | 申請日: | 2022-10-24 |
| 公開(公告)號: | CN115579376A | 公開(公告)日: | 2023-01-06 |
| 發(fā)明(設計)人: | 張燦源;李曉 | 申請(專利權)人: | 上海天馬微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15;H01L33/06;H01L33/30;H01L33/36;H01L33/62 |
| 代理公司: | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人: | 嚴慧 |
| 地址: | 201201 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 顯示 面板 顯示裝置 | ||
1.一種顯示面板,其特征在于,包括襯底基板以及位于所述襯底基板一側的多個發(fā)光單元組;
所述發(fā)光單元組包括第一發(fā)光單元和第二發(fā)光單元;所述第一發(fā)光單元包括沿第一方向疊層設置的P型半導體層、發(fā)光層和N型半導體層,所述第二發(fā)光單元包括沿所述第一方向疊層設置的N型半導體層、發(fā)光層和P型半導體層;所述第一方向為所述襯底基板指向所述發(fā)光單元組的方向;
所述顯示面板還包括位于所述襯底基板和所述發(fā)光單元組之間的電極層,所述電極層包括第一電極;所述第一發(fā)光單元的P型半導體層與所述第一電極電連接,所述第一發(fā)光單元的N型半導體層與所述第二發(fā)光單元的P型半導體層電連接。
2.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述電極層還包括第二電極,所述第二電極和所述第一電極的電位不同;
所述第二發(fā)光單元的N型半導體層與所述第二電極電連接。
3.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述發(fā)光單元組還包括第三發(fā)光單元,所述第三發(fā)光單元包括沿所述第一方向疊層設置的N型半導體層、發(fā)光層和P型半導體層;
所述電極層還包括第二電極,所述第二電極和所述第一電極的電位不同;
所述第二發(fā)光單元的N型半導體層與所述第三發(fā)光單元的P型半導體層電連接,所述第三發(fā)光單元的N型半導體層與所述第二電極電連接。
4.根據權利要求2所述的顯示面板,其特征在于,所述發(fā)光單元組還包括第一連接結構;
所述第一連接結構分別與所述第一發(fā)光單元的N型半導體層和所述第二發(fā)光單元的P型半導體層電連接。
5.根據權利要求3所述的顯示面板,其特征在于,所述發(fā)光單元組還包括電絕緣的第二連接結構和第三連接結構;
所述第二連接結構分別與所述第一發(fā)光單元的N型半導體層和所述第二發(fā)光單元的P型半導體層電連接;所述第三連接結構分別與所述第二發(fā)光單元的N型半導體層和所述第三發(fā)光單元的P型半導體層電連接。
6.根據權利要求5所述的顯示面板,其特征在于,所述第二發(fā)光單元的N型半導體層包括第一N型半導體部和第二N型半導體部,
沿所述第一方向,所述第二發(fā)光單元中的P型半導體層投影與所述第一N型半導體部投影交疊;所述第二N型半導體部位于靠近所述第三發(fā)光單元的一側,且與所述第三連接結構電連接。
7.根據權利要求5所述的顯示面板,其特征在于,所述發(fā)光單元組還包括輔助連接結構,所述輔助連接結構位于所述第二發(fā)光單元的N型半導體層靠近所述襯底基板的一側,分別與所述第三連接結構和所述第三發(fā)光單元的P型半導體層電連接。
8.根據權利要求7所述的顯示面板,其特征在于,所述第一發(fā)光單元還包括位于P型半導體層遠離發(fā)光層一側的第一電極端,所述第三發(fā)光單元還包括位于N型半導體層遠離發(fā)光層一側的第二電極端;
所述第一電極端分別與所述第一發(fā)光單元的P型半導體層和所述第一電極電連接,所述第二電極端分別與所述第三發(fā)光單元的N型半導體層和所述第二電極電連接;
其中,所述第一電極端、所述輔助連接結構和所述第二電極端同層。
9.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述發(fā)光單元組還包括第四發(fā)光單元,所述第四發(fā)光單元包括沿所述第一方向疊層設置的N型半導體層、發(fā)光層和P型半導體層;
所述電極層還包括第二電極,所述第二電極和所述第一電極的電位不同;
所述第一發(fā)光單元的N型半導體層還與所述第四發(fā)光單元的P型半導體層電連接,所述第二發(fā)光單元的N型半導體層和所述第四發(fā)光單元的N型半導體層均與所述第二電極電連接。
10.根據權利要求9所述的顯示面板,其特征在于,所述發(fā)光單元組還包括第四連接結構;
所述第四連接結構分別與所述第一發(fā)光單元的N型半導體層、所述第二發(fā)光單元的P型半導體層和所述第四發(fā)光單元的P型半導體層電連接。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





