[發明專利]基板的處理方法

在審

• 申請號: 202211303665.0
• 申請日: 2022-10-24
• 公開（公告）號: CN116564801A
• 公開（公告）日: 2023-08-08
• 發明（設計）人: 慎志軒;吳雨珊
• 申請（專利權）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/033
• 分類號: H01L21/033;H01L21/311;H10N97/00
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 黃艷

1.一種基板的處理方法，包括：

提供一基板，其包括一犧牲層和堆疊于該犧牲層上的一絕緣層；

形成一多晶硅硬掩模于該絕緣層上；

蝕刻通過該多晶硅硬掩模的多個開口暴露出來的該絕緣層和該犧牲層以形成多個通道；

沉積一金屬膜于該多晶硅硬掩模上和所述通道中；

沉積一鈍化膜于該金屬膜上；

進行一第一移除制程以移除位于該多晶硅硬掩模上方的部分該鈍化膜和該金屬膜；

進行一第二移除制程以移除通過該鈍化膜和該金屬膜暴露出來的部分該多晶硅硬掩模；以及

進行一第三移除制程以移除該多晶硅硬掩模和該鈍化膜和該金屬膜圍繞該多晶硅硬掩模的部分。

2.如權利要求1所述的基板的處理方法，其中該鈍化膜包括氧化物并且在該第一移除制程、第二移除制程、第三移除制程期間保護該絕緣層和該犧牲層不被移除。

3.如權利要求1所述的基板的處理方法，其中該第一移除制程使用一制程氣體，其包括三氯化硼(BCl₃)、氯(Cl)、和四氟化碳(CF₄)的一混合物。

4.如權利要求3所述的基板的處理方法，其中三氯化硼(BCl₃)與氯(Cl)與四氟化碳(CF₄)的一比例為2:1:1。

5.如權利要求4所述的基板的處理方法，其中該第一移除制程是在50毫托的一壓力下進行。

6.如權利要求1所述的基板的處理方法，其中該第二移除制程使用三氯化硼(BCl₃)和氯(Cl)作為反應氣體。

7.如權利要求6所述的基板的處理方法，其中三氯化硼(BCl₃)與氯(Cl)的一比例為1:1。

8.如權利要求7所述的基板的處理方法，其中該第二移除制程是在10毫托的一壓力下進行。

9.如權利要求1所述的基板的處理方法，其中該第二移除制程使用溴化氫(HBr)作為反應氣體。

10.如權利要求9所述的基板的處理方法，其中該第二移除制程是在50到80毫托的一壓力下進行。

11.如權利要求9所述的基板的處理方法，其中該第二移除制程在1500瓦的一功率、200伏的一偏置電壓、和50％的一負載循環下進行。

12.如權利要求1所述的基板的處理方法，其中該第三移除制程使用氯(Cl)、氧氣(O₂)、和四氟化碳(CF₄)作為反應氣體。

13.如權利要求12所述的基板的處理方法，其中氯(Cl)與氧氣(O₂)與四氟化碳(CF₄)的一比例為20:1:1。

14.如權利要求12所述的基板的處理方法，其中該第三移除制程是在小于20毫托的一壓力下進行。

15.如權利要求1所述的基板的處理方法，其中包括氧化物的該鈍化膜的制作技術包括一原子層沉積制程。

16.如權利要求1所述的基板的處理方法，其中該金屬膜包括難熔金屬和氮化物。