[發明專利]半導體納米粒子及其制造方法、以及發光器件在審
| 申請號： | 202211302803.3 | 申請日： | 2018-02-28 |
| 公開（公告）號： | CN115612484A | 公開（公告）日： | 2023-01-17 |
| 發明（設計）人： | 鳥本司;龜山達矢;岸茉莉乃;宮前千惠;桑畑進;上松太郎;小谷松大祐;仁木健太 | 申請（專利權）人： | 國立大學法人東海國立大學機構;國立大學法人大阪大學;日亞化學工業株式會社 |
| 主分類號： | C09K11/02 | 分類號： | C09K11/02;C09K11/62;B82Y20/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 朱丹 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 納米 粒子 及其 制造 方法 以及 發光 器件 | ||
1.一種核殼型的半導體納米粒子，其具備：
包含Ag、In、Ga及S的核；和
包含第13族元素及第16族元素的殼，
發光峰值波長在500nm以上且不足590nm的范圍內，發光峰的半值寬度為70nm以下。
2.根據權利要求1所述的核殼型的半導體納米粒子，其中，
所述核中，Ga的原子數相對于所述In和Ga的原子數的合計之比為0.2以上且0.9以下。
3.根據權利要求1或2所述的核殼型的半導體納米粒子，其中，
所述核中，Ag的原子數相對于所述Ag、In和Ga的原子數的合計之比為0.05以上且0.55以下。
4.根據權利要求1所述的核殼型的半導體納米粒子，其中，
所述核中，Ag的原子數相對于所述Ag、In和Ga的原子數的合計之比為0.3以上且0.55以下，
Ga的原子數相對于所述In和Ga的原子數的合計之比為0.5以上且0.9以下。
5.根據權利要求1所述的核殼型的半導體納米粒子，其中，
所述核中，Ag的原子數相對于所述Ag、In和Ga的原子數的合計之比為0.05以上且0.27以下，
Ga的原子數相對于所述In和Ga的原子數的合計之比為0.25以上且0.75以下。
6.根據權利要求1～5中任一項所述的核殼型的半導體納米粒子，其中，
所述殼還包含第1族元素。
7.根據權利要求1～6中任一項所述的核殼型的半導體納米粒子，其中，
所述殼作為所述第13族元素至少包含Ga。
8.根據權利要求1～7中任一項所述的核殼型的半導體納米粒子，其中，
所述殼作為所述第16族元素至少包含S。
9.根據權利要求1～8中任一項所述的核殼型的半導體納米粒子，其中，
所述殼包含與所述核相比帶隙能量大的半導體。
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