[發明專利]顯示面板、拼接屏和拼接顯示裝置在審
| 申請號: | 202211301992.2 | 申請日: | 2022-10-24 |
| 公開(公告)號: | CN115458577A | 公開(公告)日: | 2022-12-09 |
| 發明(設計)人: | 景陽鐘;張云鵬;楊晶利;何祥飛;羊振中 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;G09G3/3208 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243 | 代理人: | 曹曄 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 拼接 顯示裝置 | ||
1.一種顯示面板,包括襯底基板和設置于所述襯底基板上的驅動結構層,其特征在于,
所述驅動結構層包括第一平坦層,和至少部分位于所述第一平坦層的第一開口區的第一源漏金屬層;
所述顯示面板包括顯示區和圍設于所述顯示區的外圍的非顯示區,所述顯示區包括靠近所述非顯示區設置的第一區域;
所述第一源漏金屬層遠離所述襯底基板的一側形成有第二平坦層,所述第二平坦層具有位于所述第一區域的第二開口區;
在所述第二開口區形成有陽極層,所述陽極層在所述襯底基板上的正投影與所述第一源漏金屬層在所述襯底基板上的正投影部分重疊;
所述陽極層遠離所述襯底基板的一側形成有像素定義層,所述像素定義層設置有位于所述第一區域的第三開口區,以露出至少部分所述陽極層;
在所述第三開口區形成有陰極層。
2.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述第三開口區在所述襯底基板上的正投影位于所述第二開口區在所述襯底基板上的正投影內。
3.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,在第一方向上,所述陽極層包括遠離所述非顯示區的第一側壁,所述陰極層包括遠離所述非顯示區的第二側壁,所述第二側壁覆蓋于所述第一側壁上,所述第一側壁所在的平面與所述襯底基板所在的平面具有不等于零度的夾角,所述第一方向平行于從所述顯示區到所述非顯示區的方向。
4.根據權利要求3所述的顯示面板,其特征在于,所述第二開口區包括在所述第一方向上遠離所述非顯示區的第三側壁,所述第三開口區包括在所述第一方向上遠離所述非顯示區的第四側壁,所述第三側壁和所述第四側壁位于同一平面,所述第三側壁和所述第四側壁所在的平面與所述襯底基板所在的平面具有不等于零度的夾角。
5.根據權利要求3所述的顯示面板,其特征在于,所述第二開口區包括在所述第一方向上遠離所述非顯示區的第三側壁,所述第三開口區包括在所述第一方向上遠離所述非顯示區的第四側壁,所述第三側壁位于所述第四側壁靠近所述非顯示區的一側,所述第三側壁所在的平面與所述襯底基板所在的平面具有不等于零度的夾角。
6.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述第二開口區在所述襯底基板上的正投影包括第一部分,所述第一開口區在所述襯底基板上的正投影位于所述第一部分靠近所述非顯示區的一側,所述第一部分與所述第三開口區在所述襯底基板上的正投影至少部分重疊。
7.根據權利要求3或6所述的顯示面板,其特征在于,在第一方向上,所述第三開口區具有靠近所述非顯示區設置的第五側壁,所述第一開口區具有遠離所述非顯示區設置的第六側壁,所述第五側壁位于所述第六側壁遠離或靠近所述非顯示區的一側,所述第一方向平行于從所述顯示區到所述非顯示區的方向。
8.根據權利要求7所述的顯示面板,其特征在于,在第一方向上,所述陽極層包括靠近所述非顯示區的第七側壁,所述第一源漏金屬層包括遠離所述非顯示區設置的第八側壁,所述陰極層包括靠近所述非顯示區設置的第九側壁,所述第七側壁覆蓋于所述第八側壁上,所述第九側壁覆蓋至少部分所述第八側壁。
9.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述顯示區包括位于所述第一區域遠離所述非顯示區的一側的第二區域,所述像素定義層包括位于所述第二區域的第四開口區,所述第四開口區包括靠近所述第一區域設置的第一子開口區,以及遠離所述第一區域設置的多個第二子開口區,在第一方向上,所述第三開口區與所述第一子開口區之間的距離小于或等于相鄰兩個所述第二子開口區之間的距離,所述第一方向平行于從所述顯示區到所述非顯示的方向。
10.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,沿著遠離所述襯底基板的方向,所述驅動結構層包括依次層疊設置的有源層、第一柵金屬層、第二柵金屬層、第二源漏金屬層和所述第一源漏金屬層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





