[發明專利]半導體裝置及電力轉換裝置

在審

• 申請號: 202211294931.8
• 申請日: 2022-10-21
• 公開（公告）號: CN116031226A
• 公開（公告）日: 2023-04-28
• 發明（設計）人: 西山正幸;米山玲;吉松直樹;荒木慎太郎;川瀨達也;益本寬之
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488;H01L23/24;H01L23/367;H02M1/00
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 何立波;張天舒

1.一種半導體裝置，其具有：

絕緣層；

電路圖案，其設置于所述絕緣層的上表面；

半導體元件，其通過第1接合材料與所述電路圖案的上表面接合；

絕緣部件，其通過第2接合材料與所述電路圖案的上表面接合；以及

引線電極，其將所述半導體元件與所述絕緣部件連接，

所述半導體元件的上表面與所述引線電極的下表面通過第3接合材料而接合，

所述絕緣部件的上表面與所述引線電極的下表面通過第4接合材料而接合，

所述第1接合材料、所述第2接合材料、所述第3接合材料及所述第4接合材料由相同的材質構成。

2.一種半導體裝置，其具有：

冷卻機構；

絕緣層，其設置于所述冷卻機構的上側；

電路圖案，其設置于所述絕緣層的上表面；

半導體元件，其通過第1接合材料與所述電路圖案的上表面接合；

絕緣部件，其通過第2接合材料與所述冷卻機構的上表面接合；以及

引線電極，其將所述半導體元件與所述絕緣部件連接，

所述半導體元件的上表面與所述引線電極的下表面通過第3接合材料而接合，

所述絕緣部件的上表面與所述引線電極的下表面通過第4接合材料而接合，

所述第1接合材料、所述第2接合材料、所述第3接合材料及所述第4接合材料由相同的材質構成。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，還具有：

與所述絕緣層不同的另外的絕緣層；以及

與所述電路圖案不同的另外的電路圖案，其設置于所述另外的絕緣層的下表面，

所述另外的電路圖案設置于所述引線電極的上側，

所述引線電極的接合有所述半導體元件和所述絕緣部件的部位的上表面分別通過第5接合材料和第6接合材料與所述另外的電路圖案接合，

所述第1接合材料、所述第2接合材料、所述第3接合材料、所述第4接合材料、所述第5接合材料及所述第6接合材料由相同的材質構成。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體裝置，其中，

所述引線電極具有能夠與外部裝置連接的外部連接部，

所述絕緣部件位于所述引線電極的接合有所述半導體元件的部位與所述外部連接部之間。

5.根據權利要求1至4中任一項所述的半導體裝置，其中，

還具有封裝樹脂，該封裝樹脂將所述引線電極的一部分、所述半導體元件和所述絕緣部件封裝，

所述封裝樹脂包含環氧樹脂或凝膠。

6.根據權利要求5所述的半導體裝置，其中，

所述絕緣部件包含具有氧化膜的Si、AlN、Al₂O₃、SiN或導熱率比所述封裝樹脂高的樹脂。

7.根據權利要求1至6中任一項所述的半導體裝置，其中，

所述引線電極包含銅。

8.根據權利要求1至7中任一項所述的半導體裝置，其中，

所述第1接合材料包含焊料或銀。

9.根據權利要求1至8中任一項所述的半導體裝置，其中，

所述引線電極的截面積被設定為與所述半導體裝置的驅動時的所述半導體元件的發熱溫度相比由所述引線電極的導體電阻引起的發熱溫度小的大小。

10.根據權利要求1至9中任一項所述的半導體裝置，其中，

所述絕緣層包含AlN、Al₂O₃或SiN。

11.根據權利要求1至10中任一項所述的半導體裝置，其中，

所述絕緣層包含具有大于或等于10W/m·K的導熱率的樹脂。