[發(fā)明專利]一種金屬導(dǎo)電液及其應(yīng)用

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202211294479.5
• 申請(qǐng)日: 2022-10-21
• 公開（公告）號(hào): CN115449863A
• 公開（公告）日: 2022-12-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林章清;王科;王莉;章曉冬;劉江波;童茂軍
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海天承化學(xué)有限公司
• 主分類號(hào): C25D3/38
• 分類號(hào): C25D3/38;C25D7/00;H05K3/42
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 劉二艷

本發(fā)明涉及一種金屬導(dǎo)電液及其應(yīng)用，所述金屬導(dǎo)電液包括式Ⅰ所示的電鍍添加劑、助劑和溶劑。本發(fā)明所述金屬導(dǎo)電液具有良好的深鍍能力，電鍍后的鍍層在密集孔區(qū)域與大銅面區(qū)域的厚度差小。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及金屬導(dǎo)電液技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種金屬導(dǎo)電液及其應(yīng)用。

背景技術(shù)

隨著5G項(xiàng)目發(fā)展，基站建設(shè)不斷推動(dòng)線路板制作工藝的提升；對(duì)于基站板，高頻板的要求不斷提升，電路板的厚度增加，導(dǎo)通孔孔徑變小，出現(xiàn)了高縱橫比板材。這種線路板單元面積大，板材厚度大，孔徑小，孔密度大，焊盤直徑小，布線寬度小，線間距小，同時(shí)層數(shù)多。

傳統(tǒng)的電鍍過程中，電路板的通孔區(qū)域存在電流分布高低不等、極差較大的現(xiàn)象，不能保證電鍍后孔內(nèi)、板面銅厚均勻，出現(xiàn)孔內(nèi)銅厚兩頭厚中間薄的現(xiàn)象，銅厚薄，即TP值低。目前用于PCB全板電鍍的主流設(shè)備是垂直連續(xù)電鍍?cè)O(shè)備(VCP)，與傳統(tǒng)的垂直龍門電鍍線相比，具有鍍層均勻性好、貫孔能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，但在使用傳統(tǒng)的電鍍?cè)噭r(shí)依然無法對(duì)PCB上的局部密集孔區(qū)域進(jìn)行補(bǔ)償增厚。目前一般工序是先VCP全板電鍍，再進(jìn)行龍門電鍍局部增厚，但提高了生產(chǎn)成本，降低生產(chǎn)效率。

CN107217282A公開了一種高TP值軟板電鍍液及電鍍方法。其公開的高TP值軟板電鍍液，所述電鍍液包含A-E組份，其中，所述A組份為無水硫酸銅；所述B組份為硫酸；所述C組份為氯化物；所述D組份選自聚二硫二丙烷磺酸鈉、3-巰基丙烷磺酸鈉、N,N-二甲基二硫代羰基丙烷磺酸鈉、異硫脲丙磺酸內(nèi)鹽和3-(苯駢噻唑-2-巰基)-丙烷磺酸鈉中的一種或至少兩種的混合物；所述E組份選自聚乙二醇、聚丙醇和脂肪胺聚氧乙烯醚中的一種或至少兩種的混合物。其公開的高TP值軟板電鍍液的總有機(jī)含碳量低，電鍍銅的延展性和熱沖擊可靠性高，軟板的通孔TP值高，同時(shí)可以使用高的電流密度，可廣泛用于軟板的精細(xì)通孔鍍銅。

CN201924097U公開了一種電鍍裝置，涉及電鍍技術(shù)領(lǐng)域。解決了現(xiàn)有的電鍍方法所電鍍而成的鍍層在不同區(qū)域上的厚度差別較大，導(dǎo)致產(chǎn)品良品率較低的技術(shù)問題。其公開的電鍍裝置，包括：電源；存放有電鍍液的容器；作為陽極的金屬離子源物件浸泡于電鍍液內(nèi)；作為陰極的待鍍物件浸泡于電鍍液內(nèi)；金屬離子在金屬離子源物件至待鍍物件之間的電力線的作用下附著于待鍍物件上并形成鍍層；電力線調(diào)整裝置，用于調(diào)整金屬離子源物件至待鍍物件的電力線的分布。

目前為了減少密集孔區(qū)域的厚度差異主要通過設(shè)備改進(jìn)的方式，但總體上收效微弱，大部分是以犧牲生產(chǎn)效率換取性能。

綜上所述，開發(fā)一種具備良好的深鍍能力，并且密集孔與大銅面的電鍍層厚度差值小的金屬導(dǎo)電液是至關(guān)重要的。

發(fā)明內(nèi)容

針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明的目的在于提供一種金屬導(dǎo)電液及其應(yīng)用，所述金屬導(dǎo)電液具有良好的深鍍能力，電鍍后的鍍層在密集孔區(qū)域與大銅面區(qū)域的厚度差值小。

為達(dá)此目的，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案：

第一方面，本發(fā)明提供一種金屬導(dǎo)電液，所述金屬導(dǎo)電液包括式Ⅰ所示的電鍍添加劑、助劑和溶劑；

Z₁-R-(CH₂)_n-R-Z₂ 式Ⅰ；

其中，n為1或2；

R選自S或CH₂；

Z₁和Z₂各自獨(dú)立地選自-(C₂H₄Y)_a-(C₃H₆Y)_b-A-CH₂-M

Y選自O(shè)或胺基；

A選自單鍵、NH或CH₂；